公开(公告)号：CN112596160B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN202011492990.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 周奉杰 ,  钱广 ,  顾晓文 ,  唐杰

IPC: G02B6/138 ,  G02B6/136 ,  G02B6/132

Abstract: 本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法，包括：对LNOI材料进行表面清洁；制备高精度的电子束标记；涂覆电子束正胶ZEP 520A，进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光；蒸发剥离Ni金属，作为光栅波导刻蚀掩膜；采用F基RIE干法刻蚀与NH4OH：H2O2：H2O的湿法处理，循环多次达到指定刻蚀深度；采用30％HNO3去除剩余的Ni掩膜；生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅，有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题，提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。

公开(公告)号：CN112596160A

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN202011492990.7

申请日：2020-12-16

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 周奉杰 ,  钱广 ,  顾晓文 ,  唐杰

IPC: G02B6/138 ,  G02B6/136 ,  G02B6/132

Abstract: 本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法，包括：对LNOI材料进行表面清洁；制备高精度的电子束标记；涂覆电子束正胶ZEP 520A，进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光；蒸发剥离Ni金属，作为光栅波导刻蚀掩膜；采用F基RIE干法刻蚀与NH4OH：H2O2：H2O的湿法处理，循环多次达到指定刻蚀深度；采用30％HNO3去除剩余的Ni掩膜；生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅，有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题，提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。

公开(公告)号：CN114039273B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202111279069.9

申请日：2021-10-31

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 ,  中国电子科技集团公司第五十五研究所

Inventor： 钱广 ,  唐杰 ,  周奉节 ,  孔月婵 ,  姜文海 ,  陈堂胜

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。

公开(公告)号：CN114039273A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111279069.9

申请日：2021-10-31

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 钱广 ,  唐杰 ,  周奉节 ,  孔月婵 ,  姜文海 ,  陈堂胜

IPC: H01S5/026 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。