公开(公告)号：CN114023831A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111278485.7

申请日：2021-10-30

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 李冠宇 ,  戴家赟 ,  王宇轩 ,  牛斌

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高速高响应光电探测器及其制作方法，光电探测器包括衬底、P型电极、有源层和N型电极，P型电极同时作为入射光的反射层；光电探测器的制作方法包括：在InP衬底上生长外延层；在P‑InGaAs接触层上蒸发P型电极Ti/Pt/Au，在另一衬底上蒸发金属Au，将InP片与另一衬底片通过金‑金热压键合技术集成在一起；去除InP衬底；在N‑InP接触层上制备N电极；腐蚀探测器有源层，刻蚀P型电极；沉积SiNx介质，通过刻蚀在N型电极和P型电极上形成窗口；制作Au电极，最终完成光电探测器的制备。利用本发明的制备方法制备的光电探测器具有大带宽、高响应以及易于耦合封装的优点。

公开(公告)号：CN111739931A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010822589.9

申请日：2020-08-17

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 张凯 ,  朱广润 ,  牛斌 ,  王登贵 ,  陈堂胜

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种再生长GaN肖特基二极管及其制造方法，该二极管结构自下而上包括衬底和高阻缓冲层，在所述高阻缓冲层上依次设有再生长n+GaN层和再生长n-GaN层，所述再生长n+GaN层上方设有阴极，所述再生长n-GaN层的上方设有T型阳极，所述T型阳极通过空气桥与阳极pad相连。本发明能够解决材料连续生长的应力及其掺杂浓度问题，不仅可以大幅提高n+GaN层掺杂浓度并降低串联电阻，提高二极管功率与效率，还能维持GaN高阻缓冲层的无应力或者低应力状态，有利于实现薄膜工艺与太赫兹电路，广泛适应于微波毫米波整流器与限幅器、太赫兹倍频器等应用。

公开(公告)号：CN111900093A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010671626.0

申请日：2020-07-14

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 牛斌 ,  范道雨

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/768 ,  H01L23/29 ,  H01L23/48 ,  H01L23/552

Abstract: 本发明公开了一种BCB薄膜太赫兹电路及其制作方法，方法包括：1)在半导体衬底上外延生长带有腐蚀停止层的太赫兹二极管或三极管外延材料，2)完成二极管、三极管等有源器件及电阻、电容等无源器件工艺制作，3)旋涂总厚度覆盖所有片上器件的BCB并固化，4)在所有器件电极接触上方处制作BCB通孔，5)在BCB上方制作电路金属布线，连接BCB通孔中的器件电极，6)完全去除半导体衬底及腐蚀停止层，完成BCB薄膜太赫兹电路制作。通过本方法可制作微米级厚度的BCB薄膜电路金属布线基板，且BCB材料具有极低的介电常数及太赫兹损耗，可提高太赫兹电路性能。

公开(公告)号：CN111952161A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN202010702327.9

申请日：2020-07-21

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 范道雨 ,  牛斌

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种无衬底垂直型肖特基二极管的制作方法，包括：1)制作T形肖特基接触阳极；2)制作阳极台面；3)旋涂BCB介质并固化；4)BCB刻蚀，电镀制作压块和介质桥；5)背面减薄去除全部砷化镓衬底；6)背面欧姆接触制作；7)背面刻蚀BCB，最终实现无衬底垂直型肖特基二极管的制作。本发明通过正面的BCB保护，在背面全部去除砷化镓衬底后，再制作背面阴极欧姆接触，在保证一定机械强度下降低了肖特基二极管的串联电阻和寄生电容，大幅提升器件性能。