公开(公告)号：CN114023831A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111278485.7

申请日：2021-10-30

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 李冠宇 ,  戴家赟 ,  王宇轩 ,  牛斌

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明公开了一种高速高响应光电探测器及其制作方法，光电探测器包括衬底、P型电极、有源层和N型电极，P型电极同时作为入射光的反射层；光电探测器的制作方法包括：在InP衬底上生长外延层；在P‑InGaAs接触层上蒸发P型电极Ti/Pt/Au，在另一衬底上蒸发金属Au，将InP片与另一衬底片通过金‑金热压键合技术集成在一起；去除InP衬底；在N‑InP接触层上制备N电极；腐蚀探测器有源层，刻蚀P型电极；沉积SiNx介质，通过刻蚀在N型电极和P型电极上形成窗口；制作Au电极，最终完成光电探测器的制备。利用本发明的制备方法制备的光电探测器具有大带宽、高响应以及易于耦合封装的优点。

公开(公告)号：CN113871378A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111065370.X

申请日：2021-09-12

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 王宇轩 ,  李冠宇 ,  孔月婵 ,  陈堂胜

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0304 ,  H01L29/73 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电集成接收前端芯片的器件组合优势，又可以解决传统单片集成PIN+HBT共享生长法所面临的性能折中的瓶颈，提升芯片的整体性能：本方法采用剥离转移方法将非同衬底上生长并完成工艺的探测器集成在已完成工艺的跨阻放大器衬底上，实现最优性能下二者器件之间的近距离集成，提升最终光电集成接收前端芯片的性能。本发明有望推广至其他光电集成芯片的制造领域，具有较好的通用性。

公开(公告)号：CN113871378B

公开(公告)日：2022-04-19

申请号：CN202111065370.X

申请日：2021-09-12

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 王宇轩 ,  李冠宇 ,  孔月婵 ,  陈堂胜

IPC: H01L25/16 ,  H01L21/50 ,  H01L31/105 ,  H01L31/0304 ,  H01L29/73 ,  H01L29/20

Abstract: 本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电集成接收前端芯片的器件组合优势，又可以解决传统单片集成PIN+HBT共享生长法所面临的性能折中的瓶颈，提升芯片的整体性能：本方法采用剥离转移方法将非同衬底上生长并完成工艺的探测器集成在已完成工艺的跨阻放大器衬底上，实现最优性能下二者器件之间的近距离集成，提升最终光电集成接收前端芯片的性能。本发明有望推广至其他光电集成芯片的制造领域，具有较好的通用性。

公开(公告)号：CN115622522A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211232225.0

申请日：2022-10-10

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 戴家赟 ,  王飞 ,  王宇轩 ,  郭怀新

IPC: H03H3/02

Abstract: 本发明公开了一种基于外延层剥离转移的单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：制备单晶压电薄膜和上电极；构成分立的谐振器区域；衬底正面相对临时键合到支撑载片上；将压电薄膜衬底减薄并完全去除；压电薄膜背面刻蚀通孔；在压电薄膜背面制作谐振器的下电极金属；在另一高阻衬底上表面制备空腔结构；高阻衬底表面旋涂永久键合材料；压电薄膜背面与高阻衬底上表面相对，永久键合；将支撑载片与压电薄膜和高阻衬底分离，得到在高阻衬底上带有空腔结构的谐振器。本发明通过外延层剥离技术将AlN单晶薄膜和电极从外延衬底分离，通过低温晶圆键合的方式将AlN单晶薄膜和上下电极转移到具有空腔结构的衬底上，具有高性能、小型化的特点。