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公开(公告)号：CN117191866A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311186072.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法及系统，测试方法包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学法参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。本发明基于3ω电学法，通过对热电信号电极的设计、测试参数的设计、制备技术和测试技术的控制，实现对微米和毫米量级厚度的金刚石晶体片热导率的高精度测试，解决了目前测试方法难以实现对高导热、厚度百微米量级至毫米量级自支撑金刚石晶体片热导率的高精度表征与评估，满足基于金刚石材料的半导体器件研制及其热管理技术开发需求。
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公开(公告)号：CN114551384A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210114681.9
申请日：2022-01-30
Applicant: 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 , 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种应用于万瓦级功率器件的散热基板及其制备方法，散热基板位于万瓦级功率器件底部，采用多进多出的微流道和微流柱相结合的歧管设计，分为上方的微流道基板和下方的微流柱基板，两者连通，侧壁通过机械键合在一起。本发明采用歧管式散热基板解决万瓦级功率器件产生的热可靠性隐患，其中散热基板是多进多出的微流道和微流柱相结合的歧管设计，并且内部微流道与微流柱镀铬，有效保证了整个功率器件可靠性和稳定性。相比传统热沉与散热基板，其具有更高的散热能力、散热效率、更高的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN117191865A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185639.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的微纳级半导体材料传热能力测试方法及系统，测试方法包括半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、微纳级半导体材料传热能力高精度计算分析。基于3ω电学法，通过对半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、实现对微纳级厚度微纳级半导体材料传热能力的高精度测试，为微纳级微纳级半导体材料传热能力测试表征提供了新的测试技术，更具有经济性，满足半导体器件热管理技术开发中对微纳级薄膜或其界面的传热能力表征需求。
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