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公开(公告)号：CN111736370A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010533310.5
申请日：2020-06-12
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂基集成芯片及制备方法，其衬底材料为硅基薄膜铌酸锂，波导为铌酸锂脊形波导，其结构包括输入输出端口、马赫曾德尔电光强度调制器、耦合双环谐振器，马赫曾德尔调制器包含2个1×2多模干涉耦合器、两个调制臂和一个GSG电极，耦合双环谐振器的两个耦合区采用基于马赫曾德尔干涉结构的耦合系数调谐单元，耦合区和腔内设置调控电极；射频信号通过调制器加载到光载波上，后经过谐振器处理，输出的信号通过输出端输出到探测器或者其他单元芯片，从而实现包括滤波、延时等的功能。本发明通过将电光调制器与微环谐振器集成，实现滤波与延时功能，且采用全硅基薄膜铌酸锂材料，拥有大带宽、快速调谐的优势。
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公开(公告)号：CN114038923B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111279072.0
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , G02B6/122 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
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公开(公告)号：CN114038923A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111279072.0
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , G02B6/122 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
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