公开(公告)号：CN114023825A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111237026.4

申请日：2021-10-24

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 戴家赟 ,  孔月婵 ,  王飞 ,  王铭 ,  郭怀新 ,  陈堂胜

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H03G11/02

Abstract: 本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合金属；将减薄后的PIN二极管背面和导电衬底正面进行键合；将导电衬底背面进行减薄；制备下电极金属；将临时载片与导电衬底进行分离，并清洗划片；得到由高导热导电衬底及键合到其正面的PIN二极管构成的大功率限幅器。本发明将Si PIN或GaAs PIN二极管从原始热导率较低的Si衬底或GaAs衬底上剥离下来，集成到热导率更高的衬底上，有效提升PIN限幅管的耐受功率。

公开(公告)号：CN114023825B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202111237026.4

申请日：2021-10-24

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 戴家赟 ,  孔月婵 ,  王飞 ,  王铭 ,  郭怀新 ,  陈堂胜

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H03G11/02

Abstract: 本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合金属；将减薄后的PIN二极管背面和导电衬底正面进行键合；将导电衬底背面进行减薄；制备下电极金属；将临时载片与导电衬底进行分离，并清洗划片；得到由高导热导电衬底及键合到其正面的PIN二极管构成的大功率限幅器。本发明将Si PIN或GaAs PIN二极管从原始热导率较低的Si衬底或GaAs衬底上剥离下来，集成到热导率更高的衬底上，有效提升PIN限幅管的耐受功率。