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公开(公告)号：CN114023825B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111237026.4
申请日：2021-10-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L23/367 , H01L23/373 , H03G11/02
Abstract: 本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合金属；将减薄后的PIN二极管背面和导电衬底正面进行键合；将导电衬底背面进行减薄；制备下电极金属；将临时载片与导电衬底进行分离，并清洗划片；得到由高导热导电衬底及键合到其正面的PIN二极管构成的大功率限幅器。本发明将Si PIN或GaAs PIN二极管从原始热导率较低的Si衬底或GaAs衬底上剥离下来，集成到热导率更高的衬底上，有效提升PIN限幅管的耐受功率。
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公开(公告)号：CN117191865A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311185639.7
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的微纳级半导体材料传热能力测试方法及系统，测试方法包括半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、微纳级半导体材料传热能力高精度计算分析。基于3ω电学法，通过对半导体薄膜测试隔离层设计与制备、热电信号电极设计与制备、3ω电学法参数控制与测试、实现对微纳级厚度微纳级半导体材料传热能力的高精度测试，为微纳级微纳级半导体材料传热能力测试表征提供了新的测试技术，更具有经济性，满足半导体器件热管理技术开发中对微纳级薄膜或其界面的传热能力表征需求。
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公开(公告)号：CN115394673B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202211020542.6
申请日：2022-08-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种适用于3ω电学法的大尺寸晶圆级衬底热测试变温环境控制装置，包括装置控制腔体、晶圆级衬底承载台、电路探针互联模块、测试温控模块、温度显示模块及真空控制模块；装置控制腔体用于实现其他模块的集成固定；晶圆级衬底承载台用于大尺寸晶圆级衬底材料的固定和温度控制；电路探针互联模块用于解决热导率测试过程中测试样品的电信号输入和监测；测试温控模块用于控制装置内环境温度调控；真空控制模块用于控制装置内环境的真空度调控。本发明解决了现有3ω电学法热测试装置无法对大尺寸晶圆衬底直接进行任意环境条件下热导率测试的问题，提升基于3ω电学法的热测试能力和环境适用性。
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公开(公告)号：CN117241553A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311188127.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H05K7/20
Abstract: 本发明公开了一种大功率微波源高效冷却系统及其制备方法，系统主要包含功率器件集成单元、高效冷却路径、功率源基板单元，所述功率器件集成单元实现多组微波功率器件阵列集成和功能电路集成，高效冷却路径实现大功率微波源的多级高效冷却能力，功率源基板单元实现微波源系统的支撑。本发明采用内嵌微流散热的低热阻功率器件、陈列分流式低流阻散热结构设计，有效解决了大功率器件集成过程中的热积累问题，实现了大功率微波源的高效集成和大功率功能。
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公开(公告)号：CN113611695B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110781461.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法，系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元，所有单元集成在4U标准机柜内；所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率，微波信号控制单元实现稳定射频微波，多层级散热单元保证了系统的安全性，智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸，有效满足了单机柜的系统集成，同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患，有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性；相比传统的磁控管结构功率源系统，其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114551384A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210114681.9
申请日：2022-01-30
Applicant: 哈工大机器人(中山)无人装备与人工智能研究院 , 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L23/367
Abstract: 本发明公开了一种应用于万瓦级功率器件的散热基板及其制备方法，散热基板位于万瓦级功率器件底部，采用多进多出的微流道和微流柱相结合的歧管设计，分为上方的微流道基板和下方的微流柱基板，两者连通，侧壁通过机械键合在一起。本发明采用歧管式散热基板解决万瓦级功率器件产生的热可靠性隐患，其中散热基板是多进多出的微流道和微流柱相结合的歧管设计，并且内部微流道与微流柱镀铬，有效保证了整个功率器件可靠性和稳定性。相比传统热沉与散热基板，其具有更高的散热能力、散热效率、更高的可靠性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113611695A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202110781461.7
申请日：2021-07-12
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/473 , H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/52
Abstract: 本发明公开了一种万瓦级GaN基固态功率源系统及其制造方法，系统包括高效率GaN功放单元、微波信号控制单元、多层级散热单元和智能管控单元，所有单元集成在4U标准机柜内；所述高效率GaN功放单元实现万瓦级功率，微波信号控制单元实现稳定射频微波，多层级散热单元保证了系统的安全性，智能管控单元保证了系统运行稳定性和可调控性。本发明采用采用高效率GaN功放单元实现万瓦级功率源的高集成度和小尺寸，有效满足了单机柜的系统集成，同时采用多层级散热单元解决万瓦级功率产生的热可靠性隐患，有效保证了功率源系统性能的稳定性和系统安全性；相比传统的磁控管结构功率源系统，其尺寸更小、稳定性和可靠性更高。
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公开(公告)号：CN117191866A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311186072.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法及系统，测试方法包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学法参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。本发明基于3ω电学法，通过对热电信号电极的设计、测试参数的设计、制备技术和测试技术的控制，实现对微米和毫米量级厚度的金刚石晶体片热导率的高精度测试，解决了目前测试方法难以实现对高导热、厚度百微米量级至毫米量级自支撑金刚石晶体片热导率的高精度表征与评估，满足基于金刚石材料的半导体器件研制及其热管理技术开发需求。
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公开(公告)号：CN115622522A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211232225.0
申请日：2022-10-10
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于外延层剥离转移的单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：制备单晶压电薄膜和上电极；构成分立的谐振器区域；衬底正面相对临时键合到支撑载片上；将压电薄膜衬底减薄并完全去除；压电薄膜背面刻蚀通孔；在压电薄膜背面制作谐振器的下电极金属；在另一高阻衬底上表面制备空腔结构；高阻衬底表面旋涂永久键合材料；压电薄膜背面与高阻衬底上表面相对，永久键合；将支撑载片与压电薄膜和高阻衬底分离，得到在高阻衬底上带有空腔结构的谐振器。本发明通过外延层剥离技术将AlN单晶薄膜和电极从外延衬底分离，通过低温晶圆键合的方式将AlN单晶薄膜和上下电极转移到具有空腔结构的衬底上，具有高性能、小型化的特点。
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公开(公告)号：CN114023826A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111251519.3
申请日：2021-10-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L23/373 , H03G11/02
Abstract: 本发明公开了一种无衬底大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备PIN限幅管正面工艺，刻蚀暴露出P+、I和N+的台面结构，制备出金属上电极；在含有PIN二极管台面结构的材料正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；减薄，去除剩余衬底；在去除衬底后的PIN二极管材料背面制备金属下电极。将临时载片分离，并清洗划片，得到无衬底的PIN限幅二极管和位于二极管背面的金属电极构成的大功率限幅器。本发明将传统PIN限幅二极管的Si/GaAs衬底去除，改用热导率更高的金属，同时金属材料相对于半导体具有更低的串联电阻，有助于进一步提升PIN限幅管的耐受功率。
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