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公开(公告)号：CN114387323B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202111593678.1
申请日：2021-12-23
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种基于光栅图像的位移测量方法及装置，首先获取模板图像；其次，沿光栅条纹方向对所述模板图像进行投影得到模板向量；然后，采集待测物位移后的光栅图像，沿光栅条纹方向对所述光栅图像进行投影，构建待测向量，计算待测向量与模板向量的归一化相关系数，其中相关系数最大值对应的像素位置即为待测物位移后的目标特征的像素位置；最后将待测物位移后的目标特征的像素位置与目标特征初始像素位置相减，得到目标特征的相对像素位移，基于所述相对像素位移和所述待测物的初始位置，得到待测物位移后的绝对位置。本发明仅需光栅光源以及采集光栅图像的摄像头即可进行位移测量，适合狭小空间中的位移测量。
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公开(公告)号：CN114279974B
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202111511446.7
申请日：2021-12-06
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种含带宽光谱的光谱处理方法，包括步骤：获取待测样件的椭偏光谱、反射光谱、入射光源的带宽以及光强分布节点数；基于光强分布节点数和入射光源的带宽对椭偏光谱和反射光谱做插值处理，得到新椭偏光谱和新反射光谱，并进一步得到新椭偏光谱向量；基于光强分布节点数获取光强分布节点的权重集，并根据权重集构造权重矩阵；基于权重矩阵获取权重逆矩阵；基于权重逆矩阵和新椭偏光谱向量获取无带宽椭偏光谱。本发明根据光源的带宽，利用反卷积法从包含带宽因素的实际测量光谱中计算出不含带宽因素的理想测量光谱，用理想测量光谱代替实际测量光谱进行分析，可有效避免物理模型中对带宽进行耗时的积分运算，可极大提高测量光谱分析效率。
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公开(公告)号：CN119044075A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411149380.5
申请日：2024-08-21
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明实施例公开一种薄膜参数的测量方法，该方法包括：构建薄膜的模型函数并获取薄膜的测量光谱，模型函数用于对测量光谱进行拟合；获取模型函数中的各个待测参数的灵敏度，并获取灵敏度中灵敏度最小的第一待测参数和/或待测参数中灵敏度最大的第二待测参数，得到目标待测参数；获取目标待测参数对应的灵敏度修正项，并将模型函数中的目标待测参数替换为灵敏度修正项得到第一改进模型函数，灵敏度修正项是因变量为目标待测参数的表达式；以及基于测量光谱和第一改进模型函数，通过非线性回归方法确定待测参数的测量值。本发明实施例基于非线性回归方法迭代求解待测参数，能够避免整体跳过参数最优解，提高待测参数的测量准确度。
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公开(公告)号：CN115406377B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211047949.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种建立理论光谱库的方法及装置、形貌参数测量方法及装置，该建立理论光谱库的方法能够提高创建理论光谱库的速度，包括：获取待测量样品的形貌模型，将形貌模型划分为M个分块，并获取每个分块的初始形貌参数；多次浮动每个分块的至少一个初始形貌参数，得到每个分块的多组参考形貌参数；根据每个分块的初始形貌参数，确定每个分块的初始子构型，根据每个分块的多组参考形貌参数，确定每个分块的多个参考子构型，划分为多个片层，得到每个分块的子构型的片层划分结果；得到形貌模型的所有的子构型；得到形貌模型的所有子构型分别对应的片层划分结果；分别计算形貌模型的每个子构型对应的理论光谱，得到形貌模型对应的理论光谱库。
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公开(公告)号：CN118692953A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410694310.1
申请日：2024-05-30
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/244 , G06F18/27 , G06N3/0442 , G06N3/045 , G06N3/084 , G06N3/096 , G06N3/0985
Abstract: 本发明属于晶片工艺参数提取相关技术领域，其公开了一种光调制光学反射率晶片中离子注入工艺参数的提取方法及系统，方法包括：对光调制光学反射率的晶片样本进行载流子照明实验，获得不同离子注入工艺参数下的功率曲线；构建多任务神经网络模型，所述多任务神经网络模型包括M个前馈网络以及N个对M个前馈网络进行集成的门控网络；以所述功率曲线为输入，以对应的工艺参数为输出，对所述多任务神经网络模型进行训练；将待测晶片样本的功率曲线输入训练完成的多任务神经网络模型获得对应的工艺参数。本申请可以实现晶片的注入工艺参数的精确提取。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118565395A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410596107.0
申请日：2024-05-14
Applicant: 华中科技大学 , 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明属于X射线散射测量相关技术领域，其公开了一种基于X射线的纳米结构参数提取方法及装置，其中方法包括：S1，对标准样品进行X射线散射测量，根据散射强度建模公式以及标准样品的已知绝对散射强度，计算标定因子；S2，对待测样品进行X射线散射测量，根据散射强度建模公式以及标定因子，获取待测样品的绝对散射强度的测量值；S3，通过仿真获取待测样品的绝对散射强度的仿真值，根据仿真值与测量值的差异，优化获取待测样品的尺寸参数信息。本发明提出先标定待测样品的小角X射线绝对散射强度，然后利用绝对散射强度的测量值对仿真值进行优化，进而提取出尺寸参数信息，能够在单入射角下实现纳米结构X射线关键尺寸快速测量。
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公开(公告)号：CN114545581B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202210155709.3
申请日：2022-02-21
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G02B7/00
Abstract: 本发明公开了一种光束孔调节装置，涉及光学或带电粒子束光学领域，包括底座，具有通孔；底座与第一直线驱动源连接以能沿X方向移动；主动模块，固定在底座上；主动模块具有第一柔性形变部，第一柔性形变部与第二直线驱动源连接以能沿Y方向产生形变；和从动模块，固定在底座上；从动模块具有与第一柔性形变部侧边接触的第二柔性形变部，第二柔性形变部上开设有光束孔，且光束孔能够与通孔连通；第一直线驱动源驱使底座运动完成光束孔向X方向移动，第二直线驱动源驱使第一柔性形变部形变以使得第二柔性形变部在Y方向产生形变；通过以上结构设置，减少了传统传动机构带来的误差影响，本方案有效的保障并提高了运动可重复性。
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公开(公告)号：CN118243611A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311534887.8
申请日：2023-11-16
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01N21/01 , G01N21/88 , G01N21/956
Abstract: 本发明提供一种待测样品缺陷检测方法，包括：将二维周期点照明光场对准待测样品，采集关注区域的第一远场显微图像；基于第一远场显微图像与理想远场显微图像的第一差分图像判定关注区域是否存在缺陷并对缺陷进行标定，标定包括：在多个检测位置处采集关注区域的远场显微图像，计算远场显微图像与理想远场显微图像之间的差分图像，根据缺陷在每个检测位置处的差分图像中扰动信号强度，确定缺陷的位置和缺陷的类型。本发明中二维周期点照明光场是基于检测系统参数设计的，不依赖于待测样品的形貌，因此基于二维周期点照明光场对待测样品进行缺陷检测，对待测样品形貌无限制，对非周期、周期、不同图案都能够进行检测，且能够实现缺陷的精确定位。
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公开(公告)号：CN113343182B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110736991.X
申请日：2021-06-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种理论光谱数据的优化方法、系统、电子设备及测量方法，优化方法包括：获取一在X、Y方向均具有周期性结构的样品模型；获取样品模型在X、Y方向上的收敛级次对集合；设定收敛级次对组；遍历收敛级次对集合中的收敛级次对组，获取收敛级次对组中每一收敛级次对的去除均方误差；将去除均方误差与第一阈值进行比较，过滤所有小于第一阈值的去除均方误差对应的收敛级次对，形成优化级次对集合；获取优化级次对集合对应的理论光谱数据。本发明在收敛级次对集合中通过第一阈值过滤去除均方误差较小的收敛级次对，优化后的收敛级次对集合的级次对的个数比原先的收敛级次对集合中级次对的个数少，从而有效提升理论光谱数据的计算效率。
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公开(公告)号：CN117781902A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410021055.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了获取膜厚光学量测设备系统参数的最优值的方法、稳定性监控方法及膜厚测量方法，包括：获取表面覆盖介质膜的标准晶片，介质膜的厚度为参考膜厚；在标准晶片的表面设置至少一个目标量测区域，目标量测区域包括由若干量测点位组成的区域点阵；对每个目标量测区域设定对应的系统参数初值，对目标量测区域内的各个量测点位在相应的系统参数初值的条件下分别进行膜厚测量，并计算得到系统参数初值对应的膜厚均值和膜厚标准差；基于膜厚均值和膜厚标准差，获取系统参数的参考值；基于系统参数的参考值获取膜厚量测设备系统参数的最优值。本发明有效的解决了常规办法对量测机台即量测设备进行监控对固定点位多次测量时产生的热积累问题。
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