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公开(公告)号：CN117781902A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202410021055.4
申请日：2024-01-08
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了获取膜厚光学量测设备系统参数的最优值的方法、稳定性监控方法及膜厚测量方法，包括：获取表面覆盖介质膜的标准晶片，介质膜的厚度为参考膜厚；在标准晶片的表面设置至少一个目标量测区域，目标量测区域包括由若干量测点位组成的区域点阵；对每个目标量测区域设定对应的系统参数初值，对目标量测区域内的各个量测点位在相应的系统参数初值的条件下分别进行膜厚测量，并计算得到系统参数初值对应的膜厚均值和膜厚标准差；基于膜厚均值和膜厚标准差，获取系统参数的参考值；基于系统参数的参考值获取膜厚量测设备系统参数的最优值。本发明有效的解决了常规办法对量测机台即量测设备进行监控对固定点位多次测量时产生的热积累问题。
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公开(公告)号：CN116313865A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310146572.X
申请日：2023-02-21
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种量测校准方法及监控量测设备稳定性的方法，该量测校准方法包括：制备表面覆盖介质膜的标准晶片；对标准晶片进行预处理；获取预处理后的标准晶片表面的空气分子污染层的生长公式；根据空气分子污染层的生长公式，对与标准晶片具有相同存放环境的待测晶片的表面的介质膜的量测厚度进行校准，以获取待测晶片表面的介质膜的校准厚度；标准晶片和待测晶片的表面具有相同类型的介质膜。该量测校准方法通过对晶片表面空气分子污染吸附和生长规律进行动态监测，然后通过其规律修正晶片的介质膜厚度，实现了介质膜量测厚度的校准，提高了获取介质膜厚度的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114322762B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111546851.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学参数测量方法及装置，所述方法包括：获取待测样品的测量光谱S，并获得优化谱线T；计算待测参数x的第一初值x1；创建测量光谱S的仿真光谱s和所述s的优化谱线t；计算特征差值M0，并设置所述M0的权重k0，计算特征差值Ma，并设置所述Ma的权重ka，所述M0和所述Ma是跟随所述x变化的变量；计算M的最小值，在所述M取Mmin时，所对应的待测参数x的参数值x2为所述待测参数x的最优解。本发明通过综合考量同一待测样品的不同类型光谱曲线的特性确定出待测参数初值的最优解，提高了对薄膜厚度、OCD等光学参数测量的准确度。
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公开(公告)号：CN115829052A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211490637.4
申请日：2022-11-25
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于光学散射测量的混合模型学习方法、光学散射测量方法和电子设备，包括：基于物理模型和材料的结构参数，通过分析实验光谱进行回归方式获得回归数据，回归数据为仿真光谱或待测参数预测值；将参考参数作为标签数据，将标签数据和回归数据共同输入机器学习模型进行训练；当机器学习模型的损失函数的损失值达到设定阈值时停止训练，获得混合模型。该方法结合了物理模型的泛化能力和机器学习模型的精度优势，能够提升半导体量测中的测量速度和精度。
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公开(公告)号：CN115077398A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210667770.6
申请日：2022-06-14
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学测量方法，所述光学测量方法包括：获取待测样品的测量光谱；对所述测量光谱进行光滑滤波处理，以得到高频光谱；基于所述待测样品的光学性能参数对所述测量光谱中的变量真空波长建立变量替换函数关系，以获取替换变量；基于所述替换变量，对所述高频光谱进行约化处理，以得到目标高频信号；对所述目标高频信号进行傅里叶变换，以得到傅里叶空间光谱；对所述傅里叶空间光谱进行寻峰，其中最大峰所对应的参数值即为所述待测样品的待测参数的测量结果。本发明直接通过确定所述傅里叶空间光谱最大峰所对应的参数值，并根据所述参数值得到所述待测样品的待测参数，提高了对待测样品的光学参数的准确度。
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公开(公告)号：CN119023589A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411141556.2
申请日：2024-08-20
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硅锗薄膜的锗组分值和载流子浓度值的测量方法及程序产品，方法包括：获取硅锗薄膜的实验光谱；获取硅锗薄膜的锗组分与介电函数的第一函数关系；获取硅锗薄膜的载流子浓度与介电函数的第二函数关系；获取理论光谱，基于理论光谱对实验光谱进行光谱拟合，在拟合过程中设置第一波段中各第一波长的权重均大于第二波段中各第二波长的权重，计算评价函数，获得锗组分值；重新获取理论光谱，基于重新获取的理论光谱对实验光谱进行光谱拟合，在拟合过程中设置第二波段中各第二波长的权重均大于第一波段中各第一波长的权重，计算评价函数，获得载流子浓度值。本发明能够快速测量硅锗薄膜的锗组分值和载流子浓度值，降低对硅锗薄膜的损伤。
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公开(公告)号：CN114322762A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111546851.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学参数测量方法及装置，所述方法包括：获取待测样品的测量光谱S，并获得优化谱线T；计算待测参数x的第一初值x1；创建测量光谱S的仿真光谱s和所述s的优化谱线t；计算特征差值M0，并设置所述M0的权重k0，计算特征差值Ma，并设置所述Ma的权重ka，所述M0和所述Ma是跟随所述x变化的变量；计算M的最小值，在所述M取Mmin时，所对应的待测参数x的参数值x2为所述待测参数x的最优解。本发明通过综合考量同一待测样品的不同类型光谱曲线的特性确定出待测参数初值的最优解，提高了对薄膜厚度、OCD等光学参数测量的准确度。
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