公开(公告)号：CN117781902A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202410021055.4

申请日：2024-01-08

Applicant: 上海精测半导体技术有限公司

Inventor： 金秀龙 ,  翟冬梅 ,  张云 ,  朱敏 ,  杜航

IPC: G01B11/06 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供了获取膜厚光学量测设备系统参数的最优值的方法、稳定性监控方法及膜厚测量方法，包括：获取表面覆盖介质膜的标准晶片，介质膜的厚度为参考膜厚；在标准晶片的表面设置至少一个目标量测区域，目标量测区域包括由若干量测点位组成的区域点阵；对每个目标量测区域设定对应的系统参数初值，对目标量测区域内的各个量测点位在相应的系统参数初值的条件下分别进行膜厚测量，并计算得到系统参数初值对应的膜厚均值和膜厚标准差；基于膜厚均值和膜厚标准差，获取系统参数的参考值；基于系统参数的参考值获取膜厚量测设备系统参数的最优值。本发明有效的解决了常规办法对量测机台即量测设备进行监控对固定点位多次测量时产生的热积累问题。

公开(公告)号：CN117116794A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311086356.7

申请日：2023-08-25

Applicant: 上海精测半导体技术有限公司

Inventor： 陈雅馨 ,  陈梦来 ,  董诗浩 ,  李仲禹 ,  金秀龙

IPC: H01L21/66 ,  G01D21/02

Abstract: 本发明提供了一种测量方法，包括：获取硅层厚度，硅层厚度包括第一厚度和/或第二厚度，第一厚度为第一硅层的厚度，第二厚度为第二硅层的厚度；确定基准面以及基准面的位置，基准面以及基准面的位置包括第一基准面与第一基准面的位置，和/或，第二基准面与第二基准面的位置；获取基准面与绝缘体上硅结构之间的位置关系；根据硅层厚度、基准面的位置以及位置关系，得到氧化层的特性参数。本发明借助基准面，以获取基准面与绝缘体上硅结构之间的位置关系，结合硅层厚度和基准面的位置，在不损坏绝缘体上硅结构的前提下，可计算得到氧化层的特性参数，以监控绝缘体上硅结构的制备工艺，进而提高制备绝缘体上硅结构的良率。

公开(公告)号：CN116313865A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310146572.X

申请日：2023-02-21

Applicant: 上海精测半导体技术有限公司

Inventor： 金秀龙 ,  翟冬梅 ,  张戎 ,  罗昺寰 ,  张云 ,  李仲禹

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开提供了一种量测校准方法及监控量测设备稳定性的方法，该量测校准方法包括：制备表面覆盖介质膜的标准晶片；对标准晶片进行预处理；获取预处理后的标准晶片表面的空气分子污染层的生长公式；根据空气分子污染层的生长公式，对与标准晶片具有相同存放环境的待测晶片的表面的介质膜的量测厚度进行校准，以获取待测晶片表面的介质膜的校准厚度；标准晶片和待测晶片的表面具有相同类型的介质膜。该量测校准方法通过对晶片表面空气分子污染吸附和生长规律进行动态监测，然后通过其规律修正晶片的介质膜厚度，实现了介质膜量测厚度的校准，提高了获取介质膜厚度的精度。