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公开(公告)号：CN115406377B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211047949.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种建立理论光谱库的方法及装置、形貌参数测量方法及装置，该建立理论光谱库的方法能够提高创建理论光谱库的速度，包括：获取待测量样品的形貌模型，将形貌模型划分为M个分块，并获取每个分块的初始形貌参数；多次浮动每个分块的至少一个初始形貌参数，得到每个分块的多组参考形貌参数；根据每个分块的初始形貌参数，确定每个分块的初始子构型，根据每个分块的多组参考形貌参数，确定每个分块的多个参考子构型，划分为多个片层，得到每个分块的子构型的片层划分结果；得到形貌模型的所有的子构型；得到形貌模型的所有子构型分别对应的片层划分结果；分别计算形貌模型的每个子构型对应的理论光谱，得到形貌模型对应的理论光谱库。
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公开(公告)号：CN115406377A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211047949.8
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种建立理论光谱库的方法及装置、形貌参数测量方法及装置，该建立理论光谱库的方法能够提高创建理论光谱库的速度，包括：获取待测量样品的形貌模型，将形貌模型划分为M个分块，并获取每个分块的初始形貌参数；多次浮动每个分块的至少一个初始形貌参数，得到每个分块的多组参考形貌参数；根据每个分块的初始形貌参数，确定每个分块的初始子构型，根据每个分块的多组参考形貌参数，确定每个分块的多个参考子构型，划分为多个片层，得到每个分块的子构型的片层划分结果；得到形貌模型的所有的子构型；得到形貌模型的所有子构型分别对应的片层划分结果；分别计算形貌模型的每个子构型对应的理论光谱，得到形貌模型对应的理论光谱库。
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公开(公告)号：CN115540779A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211060933.0
申请日：2022-08-30
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种获取理论光谱的方法、形貌参数测量方法及装置。周期性结构包括若干周期单元，该方法包括：沿周期性结构底部到顶部的方向Z，将所述形貌模型划分出多个片层；基于每个所述片层在所述方向Z的介质分布，获取相应片层介电系数沿周期方向的连续函数；然后计算每个所述片层的介电系数的傅里叶系数；最后利用严格耦合波分析算法，计算得到周期性结构的理论光谱。本发明避免了对模型划分的片层侧面轮廓的近似，使得RCWA计算中形貌模型的处理更加贴合样品实际形貌模型，得到了每个片层的介电系数的连续函数，提高了介电系数的傅里叶系数计算精度，提高了理论光谱计算精度和计算效率。
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公开(公告)号：CN114963996A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210429471.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学特性建模方法及装置、光学参数测量方法，所述光学特性建模方法，包括：获取周期性介质的特性参数，并基于所述特性参数和严格耦合波分析法构建第一耦合波方程组；所述周期性介质关于光束入射平面对称；获取电场的两个正交分量或磁场的两个正交分量的线性组合，并基于所述第一耦合波方程组和所述电场的两个正交分量或所述磁场的两个正交分量的线性组合构建第二耦合波方程组；根据所述周期性介质的对称性简化所述第二耦合波方程组；求解简化后的所述第二耦合波方程组，得到理论光谱。本发明提高了光学建模的效率，以得到理论光谱。
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公开(公告)号：CN114322762A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111546851.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学参数测量方法及装置，所述方法包括：获取待测样品的测量光谱S，并获得优化谱线T；计算待测参数x的第一初值x1；创建测量光谱S的仿真光谱s和所述s的优化谱线t；计算特征差值M0，并设置所述M0的权重k0，计算特征差值Ma，并设置所述Ma的权重ka，所述M0和所述Ma是跟随所述x变化的变量；计算M的最小值，在所述M取Mmin时，所对应的待测参数x的参数值x2为所述待测参数x的最优解。本发明通过综合考量同一待测样品的不同类型光谱曲线的特性确定出待测参数初值的最优解，提高了对薄膜厚度、OCD等光学参数测量的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114963996B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202210429471.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学特性建模方法及装置、光学参数测量方法，所述光学特性建模方法，包括：获取周期性介质的特性参数，并基于所述特性参数和严格耦合波分析法构建第一耦合波方程组；所述周期性介质关于光束入射平面对称；获取电场的两个正交分量或磁场的两个正交分量的线性组合，并基于所述第一耦合波方程组和所述电场的两个正交分量或所述磁场的两个正交分量的线性组合构建第二耦合波方程组；根据所述周期性介质的对称性简化所述第二耦合波方程组；求解简化后的所述第二耦合波方程组，得到理论光谱。本发明提高了光学建模的效率，以得到理论光谱。
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公开(公告)号：CN115014240B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202210826813.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种获取理论光谱的方法和形貌参数的测量方法，用于提高理论光谱计算效率和形貌参数的测量效率。获取理论光谱的方法包括：获取待测量样品的形貌模型，将形貌模型划分为M个分块，获取每个分块的初始形貌参数，浮动初始形貌参数得到多组参考形貌参数；确定每个分块的初始构型和多个参考构型，每个分块的散射特性矩阵组包括初始构型和多个参考构型分别对应的散射特性矩阵；从形貌模型的底部向顶部的顺序依次从每个分块的散射特性矩阵组中分别选取的任意一个散射矩阵进行逐级合并，得到形貌模型入射区的散射特性矩阵；获取入射区的多个散射特性矩阵；获取入射区的多个反射电场，基于多个反射电场得到待测量样品的多个理论光谱。
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公开(公告)号：CN115342741B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202211042805.3
申请日：2022-08-29
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明涉及一种光声测量的建模方法、光声测量方法及系统，其建模方法包括获取待测样品的特性参数，所述特性参数包括膜层数M、各膜层的复折射率和名义厚度，M为正整数；根据所述特性参数，计算得到所述待测样品的第一反射率；获取所述待测样品在吸收激发光后于厚度方向上各膜层的位移；根据所述位移，得到所述待测样品的第二反射率；基于所述第一反射率和所述第二反射率，得到所述待测样品的反射率变化的仿真信号。本发明提出了基于应变后的样品分层模型和RCWA算法，来计算膜厚；适用于任意入射角的探测光的同时，提高了计算效率和准确率。
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公开(公告)号：CN115014240A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210826813.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
IPC: G01B11/24
Abstract: 本发明公开了一种获取理论光谱的方法和形貌参数的测量方法，用于提高理论光谱计算效率和形貌参数的测量效率。获取理论光谱的方法包括：获取待测量样品的形貌模型，将形貌模型划分为M个分块，获取每个分块的初始形貌参数，浮动初始形貌参数得到多组参考形貌参数；确定每个分块的初始构型和多个参考构型，每个分块的散射特性矩阵组包括初始构型和多个参考构型分别对应的散射特性矩阵；从形貌模型的底部向顶部的顺序依次从每个分块的散射特性矩阵组中分别选取的任意一个散射矩阵进行逐级合并，得到形貌模型入射区的散射特性矩阵；获取入射区的多个散射特性矩阵；获取入射区的多个反射电场，基于多个反射电场得到待测量样品的多个理论光谱。
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公开(公告)号：CN114322762B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111546851.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 上海精测半导体技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种光学参数测量方法及装置，所述方法包括：获取待测样品的测量光谱S，并获得优化谱线T；计算待测参数x的第一初值x1；创建测量光谱S的仿真光谱s和所述s的优化谱线t；计算特征差值M0，并设置所述M0的权重k0，计算特征差值Ma，并设置所述Ma的权重ka，所述M0和所述Ma是跟随所述x变化的变量；计算M的最小值，在所述M取Mmin时，所对应的待测参数x的参数值x2为所述待测参数x的最优解。本发明通过综合考量同一待测样品的不同类型光谱曲线的特性确定出待测参数初值的最优解，提高了对薄膜厚度、OCD等光学参数测量的准确度。
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