公开(公告)号：CN1759468B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN03826259.2

申请日：2003-02-06

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 盐野一郎 ,  二宫正晴 ,  鸿上肇

IPC: H01L21/20 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L29/165 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1054

Abstract: 本发明的半导体衬底的制造方法，包括：第一层形成工序、第二层形成工序、热处理工序以及研磨工序，第一层形成工序中，设定所述第一SiGe层的膜厚，薄于因膜厚增加而发生位错并产生晶格缓和的膜厚即临界膜厚的2倍厚度，第二层形成工序中，形成倾斜组成区域，使第二SiGe层的Ge组成比至少在第一SiGe层或与Si的接触面上低于第一SiGe层中Ge组成比在层中的最大值，并且，至少在一部分上Ge组成比朝表面方向逐渐增加。从而，贯通位错密度低，且表面粗糙度小，同时防止器件制造工序等的热处理时的表面或界面的粗糙度的恶化。

公开(公告)号：CN1271697C

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200410003827.4

申请日：2001-03-30

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 长谷川健 ,  伊藤辉三 ,  白木弘幸

IPC: H01L21/66 ,  H01L33/00 ,  G01N21/63

Abstract: 一种用于半导体基片品质评价的方法，包括通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生载流子的稳态扩散分布，从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式(2)，用入射强度不同的两种激发光照射所述的半导体衬底表面，来测量两种光致发光强度的信号数据，以及用一个特定值乘所述两种光致发光强度的信号数据中强度较小的一个，然后从强度较大的信号数据中减去强度较小的信号数据，并由此通过消去所述表达式(2)的第一项得到包括从薄膜层中发射的更大量光的信号数据，或者通过消去所述表达式(2)的第二项得到包括从块状基片中发射的更大量光的信号数据。

公开(公告)号：CN100386847C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN00801885.5

申请日：2000-08-29

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 中井哲弥 ,  河原史朋 ,  斋藤诚 ,  川村恭彦 ,  筱原真 ,  荒井克夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/205

Abstract: 在保持架本体(23)的上面载置晶片(22)，保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽(14)，水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状，在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体，当晶片直径为D时，凸起的外径形成在0.5D-0.98D的范围内，晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲，从而可抑制在晶片产生滑移。另外，可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外，还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。

公开(公告)号：CN101023200A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580023240.2

申请日：2005-05-17

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 藤川孝 ,  石桥昌幸 ,  土肥敬幸 ,  杉本诚司

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4583 ,  C30B25/12 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种基座(10)，设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(103)。基座(10)还设有流体通路(105)，该流体通路的一端(105a)开口在第2凹部的纵壁面(103a)上，而且另一端(105b)开口在基座的背面(104)或侧面(106)上。

公开(公告)号：CN1249272C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN01108316.6

申请日：2001-02-27

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 北村浩之介 ,  小野直树

IPC: C30B15/00 ,  G06F17/13 ,  H01L21/00

Abstract: 将单晶提拉装置中的热区模型化成网格结构；将各元件的物理性质数值输入到计算机中；根据加热器的发热量和各元件的热发射率获得各元件的表面温度分布；根据各元件的表面温度分布和热导率获得内部温度分布，从而获得考虑了对流的熔液内部温度分布；根据包括单晶三相点的等温线获得单晶与熔液之间的固液界面的形状；重复第三到第五步骤直到三相点成为单晶的熔点。单晶与熔液之间的固液界面形状的计算结果与实际测量结果彼此吻合得非常好。

公开(公告)号：CN1748292A

公开(公告)日：2006-03-15

申请号：CN200380107825.3

申请日：2003-12-25

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 ,  学校法人汉阳学院

Inventor： 朴在勤 ,  白云揆 ,  朴珍亨 ,  加藤健夫

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C09G1/02

Abstract: 一种化学机械研磨用浆料组合物，究明了研磨除去速度对于添加剂浓度和研磨剂大小的依赖关系，公开了可以任意地控制氧化物层对氮化物层的除去速度选择比的浆料组合物的选择比控制方法。本发明的选择比控制方法，是相对于氮化物层选择性地研磨除去氧化物层的化学机械研磨用浆料组合物的选择比控制方法，包括：上述浆料组合物含有氧化铯研磨粒子、分散剂及阴离子性添加剂，一边变化上述浆料组合物中的上述阴离子添加剂的浓度，一边确认上述氧化物层对于氮化物层的研磨速度的选择比步骤；和以上述确认了的研磨速度的选择比为基准，通过添加上述阴离子添加剂的浓度使得上述浆料组合物具有希望的选择比，来控制上述浆料组合物的选择比步骤。

公开(公告)号：CN1215205C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN99811516.9

申请日：1999-09-29

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 古川纯 ,  须藤充 ,  中井哲弥 ,  藤川隆男 ,  增井卓也

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体，且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭，或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此，不管单晶体(11)的尺寸有多大，都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。

公开(公告)号：CN1639869A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804904.X

申请日：2003-05-02

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 富田真一 ,  吉丸浩二

IPC: H01L27/12

CPC classification number: B24B37/30 ,  H01L21/76251

Abstract: 一种通过在表面磨削后进行除去活性层的外周部的粘合不良部分的粘合基片、其制造方法、晶片外周加压夹具类。在表面磨削后，对粘合晶片(30)的活性层用晶片(10)一侧实施除去外周部而留下中央部的外周除去研磨。从而省去以前的外周磨削、外周腐蚀。并且，能够消除因外周腐蚀而导致的晶片(20)的外周面的腐蚀麻点、因氧化硅薄膜(10a)的切削余留而导致的SOI层(10A)的污染及损伤，能谋求高成品率、低成本。

公开(公告)号：CN1188251C

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN01810403.7

申请日：2001-05-31

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 谷口彻 ,  小野五十六 ,  原田晴司

IPC: B24B37/04 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/042 ,  B24B37/16

Abstract: 在使用双面抛光装置进行半导体晶片的抛光时，使上平板(12)方作用于晶片(W)正面的摩擦力与下平板(13)方作用于晶片反面的摩擦力产生较大差异，从而使得晶片(W)在晶片保持孔(11a)内以0.1～1.0rpm的速度回旋。而且，此时，在晶片(W)的周边部分的局部外露于分别安装在上平板(12)和下平板(13)上的抛光布(14、15)之外3～15mm的状态下进行抛光，使得晶片的周边部分与中心部分相比，相对于上述各抛光布(14、15)其单位时间内的接触面积减小。因此，晶片周边部分的抛光塌边得到抑制，晶片W的平面度得以提高。

公开(公告)号：CN1526158A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02809679.7

申请日：2002-12-23

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 石桥昌幸 ,  J·F·克鲁格 ,  土肥敬幸 ,  堀江大造 ,  藤川孝

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45589 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05－55％。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为0.2－3.2平方毫米，且通孔的密度为每平方厘米0.25－25个。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。