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公开(公告)号：CN1748292B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200380107825.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 学校法人汉阳学院
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02
Abstract: 一种化学机械研磨用浆料组合物，究明了研磨除去速度相对于添加剂浓度和研磨剂大小的依赖关系，公开了可以任意地控制氧化物层对氮化物层的除去速度选择比的浆料组合物的选择比控制方法。本发明的选择比控制方法，是相对于氮化物层选择性地研磨除去氧化物层的化学机械研磨用浆料组合物的选择比控制方法，包括：上述浆料组合物含有氧化铈研磨粒子、分散剂及阴离子性添加剂，一边变化上述浆料组合物中的上述阴离子添加剂的浓度，一边确认上述氧化物层相对于氮化物层的研磨速度的选择比步骤；和以上述确认了的研磨速度的选择比为基准，通过添加上述阴离子添加剂的浓度使得上述浆料组合物具有希望的选择比，来控制上述浆料组合物的选择比步骤。
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公开(公告)号：CN1748292A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200380107825.3
申请日：2003-12-25
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社 , 学校法人汉阳学院
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02
Abstract: 一种化学机械研磨用浆料组合物，究明了研磨除去速度对于添加剂浓度和研磨剂大小的依赖关系，公开了可以任意地控制氧化物层对氮化物层的除去速度选择比的浆料组合物的选择比控制方法。本发明的选择比控制方法，是相对于氮化物层选择性地研磨除去氧化物层的化学机械研磨用浆料组合物的选择比控制方法，包括：上述浆料组合物含有氧化铯研磨粒子、分散剂及阴离子性添加剂，一边变化上述浆料组合物中的上述阴离子添加剂的浓度，一边确认上述氧化物层对于氮化物层的研磨速度的选择比步骤；和以上述确认了的研磨速度的选择比为基准，通过添加上述阴离子添加剂的浓度使得上述浆料组合物具有希望的选择比，来控制上述浆料组合物的选择比步骤。
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公开(公告)号：CN100411110C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200480012603.8
申请日：2004-05-11
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。
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公开(公告)号：CN1784771A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200480012603.8
申请日：2004-05-11
IPC: H01L21/304
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/31053
Abstract: 本发明公开了可补偿在晶片表面形成的纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物以及利用其的半导体元件的表面平坦化方法。本发明的浆液组合物，在对晶片表面形成的氧化物层进行机械化学机械抛光的工序时，在用于补偿纳米形貌效应的化学机械抛光用浆液组合物中，含有抛光粒子和添加剂，为了在上述化学机械抛光工序后将上述氧化物层的厚度偏差(OTD)控制在一定水平以下，上述抛光粒子的尺寸和上述添加剂的浓度最优化为一定的范围内。
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