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公开(公告)号:CN100386847C
公开(公告)日:2008-05-07
申请号:CN00801885.5
申请日:2000-08-29
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/205
Abstract: 在保持架本体(23)的上面载置晶片(22),保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽(14),水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状,在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体,当晶片直径为D时,凸起的外径形成在0.5D-0.98D的范围内,晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲,从而可抑制在晶片产生滑移。另外,可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外,还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。