公开(公告)号：CN100386847C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN00801885.5

申请日：2000-08-29

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 中井哲弥 ,  河原史朋 ,  斋藤诚 ,  川村恭彦 ,  筱原真 ,  荒井克夫

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/205

Abstract: 在保持架本体(23)的上面载置晶片(22)，保持架本体插入到形成于热处理炉内的多个保持架用凹槽(14)，水平地得到保持。保持架本体形成为没有切口的圆板状，在保持架本体形成以该保持架本体的轴线为中心沿周向延伸并朝上方凸出的环状凸起(24)。晶片接触在凸起上面地载置于保持架本体，当晶片直径为D时，凸起的外径形成在0.5D-0.98D的范围内，晶片的外周缘不接触凸起。通过防止制作保持架本体时在保持架本体产生翘曲，从而可抑制在晶片产生滑移。另外，可不从规定位置错开地由同一保持架本体确实地保持直径不同的晶片。另外，还可平滑地进行晶片在保持架本体的载置作业和卸下作业。

公开(公告)号：CN1215205C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN99811516.9

申请日：1999-09-29

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 古川纯 ,  须藤充 ,  中井哲弥 ,  藤川隆男 ,  增井卓也

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体，且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭，或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此，不管单晶体(11)的尺寸有多大，都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。