公开(公告)号：CN1215205C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN99811516.9

申请日：1999-09-29

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 古川纯 ,  须藤充 ,  中井哲弥 ,  藤川隆男 ,  增井卓也

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/324

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/48 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/3245

Abstract: 在使单晶体(11)稳定的气氛中，在0.2～304Mpa的压力和以绝对温度表示的单晶体(11)熔点的0.85倍以上的温度下，对单晶体(11)进行热等静压处理5分钟～20小时，然后对单晶体(11)进行缓冷。对单晶体(11)稳定的气氛优选为不活泼气体或者包含高蒸气压元素的蒸气的气体，且HIP处理优选在10～200MPa的压力下进行。单晶体(11)可以为硅单晶、GaAs单晶、InP单晶、ZnS单晶或ZnSe单晶铸锭，或者从铸锭上切取的晶块或晶片。由此，不管单晶体(11)的尺寸有多大，都可以去除或者分散位于单晶体(11)表面以及内部的诸如空位型内生缺陷的晶格缺陷。