公开(公告)号：CN1639869A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN03804904.X

申请日：2003-05-02

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 富田真一 ,  吉丸浩二

IPC: H01L27/12

CPC classification number: B24B37/30 ,  H01L21/76251

Abstract: 一种通过在表面磨削后进行除去活性层的外周部的粘合不良部分的粘合基片、其制造方法、晶片外周加压夹具类。在表面磨削后，对粘合晶片(30)的活性层用晶片(10)一侧实施除去外周部而留下中央部的外周除去研磨。从而省去以前的外周磨削、外周腐蚀。并且，能够消除因外周腐蚀而导致的晶片(20)的外周面的腐蚀麻点、因氧化硅薄膜(10a)的切削余留而导致的SOI层(10A)的污染及损伤，能谋求高成品率、低成本。

公开(公告)号：CN1639869B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN03804904.X

申请日：2003-05-02

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 富田真一 ,  吉丸浩二

IPC: H01L27/12

CPC classification number: B24B37/30 ,  H01L21/76251

Abstract: 一种通过在表面磨削后进行除去活性层的外周部的粘合不良部分的粘合基片、其制造方法、晶片外周加压夹具类。在表面磨削后，对粘合晶片(30)的活性层用晶片(10)一侧实施除去外周部而留下中央部的外周除去研磨。从而省去以前的外周磨削、外周腐蚀。并且，能够消除因外周腐蚀而导致的晶片(20)的外周面的腐蚀麻点、因氧化硅薄膜(10a)的切削余留而导致的SOI层(10A)的污染及损伤，能谋求高成品率、低成本。