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公开(公告)号：CN1203530C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN01811619.1
申请日：2001-04-23
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/24 , B24B37/28
Abstract: 一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内进行不带有自转的圆运动，由此而同时研磨上述半导体晶片的正反两面；上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个与余下的另一个是使用在研磨时的半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得半导体晶片正面的光泽度与其反面的光泽度不同。
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公开(公告)号：CN1437762A
公开(公告)日：2003-08-20
申请号：CN01811619.1
申请日：2001-04-23
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/24 , B24B37/28
Abstract: 在同时研磨半导体晶片(W)的正反两面时，上平板(12)的研磨布(14)以及下平板(13)的研磨布(15)中的任一个研磨布是使用与余下的另一个研磨布在研磨时半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得正面的光泽度与反面的光泽度不同。而且，通过使上平板与下平板的旋转速度不同，而使正面的光泽度与反面的光泽度不同。
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公开(公告)号：CN1188251C
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN01810403.7
申请日：2001-05-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/16
Abstract: 在使用双面抛光装置进行半导体晶片的抛光时，使上平板(12)方作用于晶片(W)正面的摩擦力与下平板(13)方作用于晶片反面的摩擦力产生较大差异，从而使得晶片(W)在晶片保持孔(11a)内以0.1～1.0rpm的速度回旋。而且，此时，在晶片(W)的周边部分的局部外露于分别安装在上平板(12)和下平板(13)上的抛光布(14、15)之外3～15mm的状态下进行抛光，使得晶片的周边部分与中心部分相比，相对于上述各抛光布(14、15)其单位时间内的接触面积减小。因此，晶片周边部分的抛光塌边得到抑制，晶片W的平面度得以提高。
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公开(公告)号：CN1441713A
公开(公告)日：2003-09-10
申请号：CN01810403.7
申请日：2001-05-31
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
IPC: B24B37/04 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/08 , B24B37/042 , B24B37/16
Abstract: 在使用双面抛光装置进行半导体晶片的抛光时，使上平板(12)方作用于晶片(W)正面的摩擦力与下平板(13)方作用于晶片反面的摩擦力产生较大差异，从而使得晶片(W)在晶片保持孔(11a)内以0.1～1.0rpm的速度回旋。而且，此时，在晶片(W)的周边部分的局部外露于分别安装在上平板(12)和下平板(13)上的抛光布(14、15)之外3～15mm的状态下进行抛光，使得晶片的周边部分与中心部分相比，相对于上述各抛光布(14、15)其单位时间内的接触面积减小。因此，晶片周边部分的抛光塌边得到抑制，晶片W的平面度得以提高。
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