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公开(公告)号：CN1271697C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410003827.4
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
Abstract: 一种用于半导体基片品质评价的方法，包括通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生载流子的稳态扩散分布，从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式(2)，用入射强度不同的两种激发光照射所述的半导体衬底表面，来测量两种光致发光强度的信号数据，以及用一个特定值乘所述两种光致发光强度的信号数据中强度较小的一个，然后从强度较大的信号数据中减去强度较小的信号数据，并由此通过消去所述表达式(2)的第一项得到包括从薄膜层中发射的更大量光的信号数据，或者通过消去所述表达式(2)的第二项得到包括从块状基片中发射的更大量光的信号数据。
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公开(公告)号：CN1165077C
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN01112096.7
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
Abstract: 在激光器件和半导体基片之间的第一个斩光器以一特定频率遮挡激发光，在第一斩光器和半导体基片之间的第二个斩光器以比第一斩光器高的变化频率遮挡激发光。当用激发光断续性地照射半导体基片时，通过控制第二个斩光器逐渐增加激发光的斩光频率时，控制器从光致发光平均强度的变化得到光致发光的衰减时间常数T，通过“τ＝T/C”计算出半导体基片的寿命τ，其中C是一个常数。通过定量地得到长寿命半导体基片的寿命准确地评价半导体基片中的杂质和缺陷等。
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公开(公告)号：CN1529351A
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN200410003827.4
申请日：2001-03-30
Applicant: 三菱住友硅晶株式会社
Abstract: 一种用于半导体基片品质评价的方法，包括通过解扩散方程得到当用所述激发光照射所述薄膜层时，在所述薄膜层中产生载流子的稳态扩散分布，从所述载流子的稳态扩散分布导出得到光致发光强度的信号数据的表达式(2)，用入射强度不同的两种激发光照射所述的半导体衬底表面，来测量两种光致发光强度的信号数据，以及用一个特定值乘所述两种光致发光强度的信号数据中强度较小的一个，然后从强度较大的信号数据中减去强度较小的信号数据，并由此通过消去所述表达式(2)的第一项得到包括从薄膜层中发射的更大量光的信号数据，或者通过消去所述表达式(2)的第二项得到包括从块状基片中发射的更大量光的信号数据。
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