公开(公告)号：CN100419958C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN02809679.7

申请日：2002-12-23

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 石桥昌幸 ,  J·F·克鲁格 ,  土肥敬幸 ,  堀江大造 ,  藤川孝

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45589 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05-55%。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为0.2-3.2平方毫米，且通孔的密度为每平方厘米0.25-25个。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。

公开(公告)号：CN101023200A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580023240.2

申请日：2005-05-17

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 藤川孝 ,  石桥昌幸 ,  土肥敬幸 ,  杉本诚司

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4583 ,  C30B25/12 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种基座(10)，设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(103)。基座(10)还设有流体通路(105)，该流体通路的一端(105a)开口在第2凹部的纵壁面(103a)上，而且另一端(105b)开口在基座的背面(104)或侧面(106)上。

公开(公告)号：CN1526158A

公开(公告)日：2004-09-01

申请号：CN02809679.7

申请日：2002-12-23

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 石桥昌幸 ,  J·F·克鲁格 ,  土肥敬幸 ,  堀江大造 ,  藤川孝

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/45589 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B29/06 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742

Abstract: 一种用于外延生长设备和方法中的基座，其中，多个圆形通孔被制作在凹坑底部壁中向着圆形底部壁的中心达大约1/2半径距离的外围区域中。这些通孔的总开口表面积为底部壁表面积的0.05－55％。提供在这一外围区域处的各个通孔的开口表面积为0.2－3.2平方毫米，且通孔的密度为每平方厘米0.25－25个。在半导体晶片被安装在凹坑中之后，在使源气体和载气(亦即反应气体)在基座的上表面侧流动，并使载气在下表面侧流动的情况下，进行外延生长。