公开(公告)号：CN101023200A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200580023240.2

申请日：2005-05-17

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 藤川孝 ,  石桥昌幸 ,  土肥敬幸 ,  杉本诚司

IPC: C23C16/458 ,  H01L21/205 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/68735 ,  C23C16/4583 ,  C30B25/12 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供一种基座(10)，设有用来在气相生长时收容晶片(W)的晶片凹部(101)。晶片凹部(101)至少具有晶片的外周部(W1)放置于其上的第1凹部(102)和在第1凹部之下形成的并具有小于第1凹部的直径的第2凹部(103)。基座(10)还设有流体通路(105)，该流体通路的一端(105a)开口在第2凹部的纵壁面(103a)上，而且另一端(105b)开口在基座的背面(104)或侧面(106)上。