公开(公告)号：CN102983105A

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN201210057487.8

申请日：2012-03-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  张启新 ,  杨仁盛 ,  林大为 ,  罗仕豪 ,  叶志扬 ,  林慧雯 ,  高荣辉 ,  涂元添 ,  林焕哲 ,  彭治棠 ,  郑培仁 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/28229 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种制造集成电路的方法，包括：提供半导体衬底并且在该半导体衬底的上方形成栅极电介质(例如，高-k电介质)。在半导体衬底和栅极电介质的上方形成金属栅极结构，并且在该金属栅极结构的上方形成薄电介质膜。该薄电介质膜包含与金属栅极的金属相结合的氮氧化物。该方法还包括：在金属栅极结构的各个侧面上提供层间电介质(ILD)。本发明还提供了一种用于高-k金属栅极器件的自对准绝缘膜。

公开(公告)号：CN102891145A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201110363633.5

申请日：2011-11-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0642

Abstract: CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。本发明涉及集成电路制造，并且更具体地来说，涉及金属栅极结构。一种CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底、N-金属栅电极以及P-金属栅电极。该衬底包括包围着P-有源区域和N-有源区域的隔离区域。该N-金属的栅电极包括位于N-有源区域上方的第一金属成分。该P-金属栅电极包括位于P-有源区域上方的体部分以及位于隔离区域上方的端盖部分。该端盖部分包含第一金属成分，而该体部分含括与第一金属成分不同的第二金属成分。本发明还提供了一种CMOS半导体器件的金属栅极结构及其形成方法。

公开(公告)号：CN102637685A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210020308.3

申请日：2012-01-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄学理 ,  杨宝如 ,  朱鸣 ,  林慧雯 ,  张立伟

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/823871

Abstract: 本发明关于集成电路制造，更具体地说是关于金属栅极结构。CMOS半导体器件的示例性结构包括衬底，该衬底包括P-有源区域，N-有源区域，和插入所述P-有源区域和所述N-有源区域之间的隔离区域；在P-有源区域上方的P-金属栅电极，P-金属栅电极延伸到隔离区域的上方；和在N-有源区域上方具有第一宽度的N-金属栅电极，N-金属栅电极延伸到隔离区域的上方并且在隔离区域中具有与P-金属栅电极电接触的接触段，其中接触段具有比第一宽度大的第二宽度。

公开(公告)号：CN102347361A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110038163.5

申请日：2011-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76897 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管及其制造方法，其中该场效应晶体管包括：一基板，包括一表面；一栅极结构，包括多个侧壁与一顶面，该栅极结构设置于该基板之上；一间隔物，邻近该栅极结构的所述多个侧壁；一第一接触蚀刻停止层，位于该间隔物之上且沿着该基板的表面延伸；一层间介电层，邻近该第一蚀刻停止层，其中该层间介电层的一顶面与该栅极结构的该顶面共平面；以及一第二接触蚀刻停止层，位于至少该栅极结构的该顶面的一部分之上。本发明可制造出不具有因接触蚀刻而形成的凹陷情形的金属栅极结构，进而改善了元件表现。

公开(公告)号：CN102347360A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201010569674.5

申请日：2010-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊宏 ,  张立伟 ,  朱鸣 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L29/495

Abstract: 本发明公开了半导体装置及其制造方法，该半导体装置为一种栅极偏移结构的半导体装置，其包含一基底与形成于上述基底的一隔离构造。一有源区是形成于上述基底并实质上邻接上述隔离构造，一界面层是形成于上述基底上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一多晶硅层是形成于上述界面层上及上述隔离构造与上述有源区的上方，一沟槽是形成于上述隔离构造上方的上述多晶硅层中，上述沟槽延伸至上述界面层，一填充层是沿着上述沟槽的轮廓形成，而一金属栅极是形成于上述沟槽中。本发明是在未明显增加装置的制造成本的情况下，可抵御高电压，并可提供优于传统装置的性能。

公开(公告)号：CN102347330A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110038174.3

申请日：2011-02-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张立伟 ,  朱鸣 ,  林慧雯 ,  杨宝如 ,  庄学理

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件，包括：一基板，具有一第一有源区与一第二有源区；具有第一栅间距的多个第一栅电极，位于该第一有源区之上，其中每一第一栅电极具有一第一宽度；多个第一间隔物，邻近所述多个第一栅电极，其中每一第一间隔物具有一第三宽度；具有与所述多个第一栅电极的相同栅间距的多个第二栅电极，位于该第二有源区之上，其中每一第二栅电极具有大于该第一宽度的一第二宽度；以及多个第二间隔物，邻近所述多个第二栅电极，其中每一第二间隔物具有少于该第三宽度的一第四宽度。本发明的实施例可形成无孔洞的层间介电层，进而改善了元件表现。

公开(公告)号：CN102163618A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201010241552.3

申请日：2010-07-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仁安 ,  杨宝如 ,  庄学理 ,  陈嘉仁

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/401 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823864 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656

Abstract: 本发明有关一种场效应晶体管及间隙壁结构的制作方法，一场效应晶体管示范性的结构包括一基底；一位于基底上包括侧壁的栅极结构；一位于基底中栅极结构的一侧的硅化区，硅化区具有一最靠近栅极结构的内部边缘；一邻接栅极结构的侧壁的第一氧密封层；一邻接侧壁上第一氧密封层的含氧层，且含氧层还包括延伸至基底上方的部分；一第二氧密封层，邻接含氧层且延伸至基底上方的部分含氧层上方，其中第二氧密封层的外部边缘与硅化层的内部边缘偏移。本发明形成改善的元件和形成间隙壁的方法。

公开(公告)号：CN220510038U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321412869.8

申请日：2023-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄仕贤 ,  刘振华 ,  张洸鋐 ,  王胜雄 ,  林俊言 ,  谢东衡 ,  杨宝如

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种集成电路(IC)结构，包括自基板突出的鳍片结构，包含具第一宽度的第一部分、具不同于第一宽度的第二宽度的第二部分及基板上沿第一方向连续延伸的第三部分，第一及第二宽度沿垂直第一方向的第二方向测量。IC结构包括含有接合第一部分的第一金属栅极堆叠的第一标准单元、含有接合第二部分的第二金属栅极堆叠的第二标准单元及设置于第一与第二标准单元之间的填充单元，其包括连接第一部分至第二部分的第三部分。IC结构更包括定义填充单元的第一及第二边界的介电栅极及第三金属栅极堆叠，介电栅极以单间距间隔与第三金属栅极堆叠分隔。