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公开(公告)号：CN108878604B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810726543.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法，该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构，使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱，能够很容易的剥离掉。相较激光剥离的方法制备的垂直结构的LED，本方法能够避免激光烧灼导致的外延层材料质量变差，以及良率较低的问题。
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公开(公告)号：CN110417097A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910806164.6
申请日：2019-08-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有消毒功能的便携式充电装置及应用，该便携式充电装置包括充电模块，用于为手机充电；消毒模块，其设置在充电模块上，用于进行光学消毒；以及驱动显示模块，用于控制和显示消毒模块的工作状态。本发明采用紫外消毒技术，达到净化效果，是一种高效安全的物理消毒技术，将功能单一的充电宝升级为便携式消毒装备，改善卫生状况，提升居民健康水平，本发明利用驱动及显示模块调节并显示紫外光源模组的输出强度及工作时间，对个人物品或公共区域进行快速，安全，无副作用的消毒处理。
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公开(公告)号：CN108630792A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810370861.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种基于Ga2O3衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法，该紫外LED的结构自下而上依次包括β-Ga2O3衬底、低温AlN缓冲层、AlGaN应力释放层、n型AlGaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层以及反射镜层；并在反射镜层上制作p电极，在β-Ga2O3衬底底面上制作n电极，从而可实现高效率、大功率垂直结构紫外LED。
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公开(公告)号：CN108091646A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711453233.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。
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公开(公告)号：CN106784180A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611114395.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/12
Abstract: 一种紫外发光二极管器件的制备方法，包括如下步骤：在衬底上生长含In或含Ga的AlN低温成核层；在低温成核层上生长AlN高温缓冲层；在AlN高温缓冲层上依次生长N型AlxGa1‑xN电极接触层、AlxGa1‑xN量子阱层、AlxGal‑xN电子阻挡层、P型AlxGal‑xN层和P型InxGal‑xN电极接触层；在P型InxGal‑xN电极接触层的上面向下依次刻蚀，暴露出N型AlxGa1‑xN电极接触层，在N型AlxGa1‑xN电极接触层上的一侧形成LED芯片PN结的台面；在台面上制备n型接触电极；在P型InxGa1‑xN电极接触层上制备p型接触电极。本发明可以提高UV‑LED发光效率，消除了光刻和刻蚀工艺可能会对设备造成的污染，并降低器件的加工成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106517410A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201611216944.8
申请日：2016-12-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: C02F1/32
CPC classification number: C02F1/325 , C02F2201/3222
Abstract: 本发明公开了一种杀菌消毒的装置包括管道，其管体至其内壁能够透光；光源，嵌入所述管道的管体中，用于产生杀菌消毒用的光并向管道内壁照射；电源用于给所述光源供电；还包括电源外壳和防水导线，所述电源外壳固定于所述管道的外壁，用于容纳所述电源，用于连接电源和光源。本发明提供的杀菌消毒的装置可以降低杀菌消毒的成本，只要用户将带有杀菌消毒装置的水管接入水流过的管路，就可以及时杀菌消毒。
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公开(公告)号：CN103956414B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201410183522.X
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种紫外发光二极管器件的制备方法。该紫外发光二极管器件制备方法中，pn结台面的材料均为AlxGa1-xN材料，其中0≤x≤1，且有源区中Al组分最低，即整个发光二极管pn结台面结构对有源区发出的光是透明的。因此本发明的紫外发光二极管结构解决了p型GaN层吸收紫外光的问题，可以有效提高紫外发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN103887385B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410092505.5
申请日：2014-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种提高发光效率的极性面氮化镓基发光器件，依次包括衬底、缓冲层、n型AluGa1-uN接触层、发光有源区、AlxGa1-xN最后一个量子垒层，AlyGa1-yN电子阻挡层，Al组分渐变AlGaN层和p型AlzGa1-zN接触层，其中0≤u，x，y，z≤1；其特征在于，其中所述AlxGa1-xN最后一个量子垒层中Al组分x与AlyGa1-yN电子阻挡层中的Al组分y相同。本发明因为电子阻挡效果的提高以及空穴注入的改善能有效降低电子泄露从而提高器件发光效率。
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公开(公告)号：CN103701037B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201310637212.6
申请日：2013-11-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。
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公开(公告)号：CN103199164B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310118141.9
申请日：2013-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。
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