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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630792A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810370861.7
申请日：2018-04-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 一种基于Ga2O3衬底的垂直结构紫外LED及其制备方法，该紫外LED的结构自下而上依次包括β-Ga2O3衬底、低温AlN缓冲层、AlGaN应力释放层、n型AlGaN层、多量子阱有源区、p型AlGaN层、p型GaN层以及反射镜层；并在反射镜层上制作p电极，在β-Ga2O3衬底底面上制作n电极，从而可实现高效率、大功率垂直结构紫外LED。
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公开(公告)号：CN109166948B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201810940241.2
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直金字塔结构LED及其制备方法，属于半导体技术领域。该垂直金字塔结构LED包括：衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，其中，外延层包括介质层和金字塔结构，所述介质层沉积在衬底上，具有开设至衬底的周期性孔洞结构的图形化掩膜；所述金字塔结构为填满所述孔洞结构并继续生长形成金字塔式结构。本发明直接在新型衬底上开孔选区外延生长GaN基垂直金字塔LED，不需要生长氮化物薄膜层、不需要衬底剥离、发光层转移、二次键和的简单垂直金字塔结构技术路线，将大幅提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN109166948A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810940241.2
申请日：2018-08-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种垂直金字塔结构LED及其制备方法，属于半导体技术领域。该垂直金字塔结构LED包括：衬底和外延层，所述外延层位于所述衬底之上，其中，外延层包括介质层和金字塔结构，所述介质层沉积在衬底上，具有开设至衬底的周期性孔洞结构的图形化掩膜；所述金字塔结构为填满所述孔洞结构并继续生长形成金字塔式结构。本发明直接在新型衬底上开孔选区外延生长GaN基垂直金字塔LED，不需要生长氮化物薄膜层、不需要衬底剥离、发光层转移、二次键和的简单垂直金字塔结构技术路线，将大幅提高生产效率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN107833945B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201711200874.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN基垂直LED结构及其制备方法。其中，GaN基垂直LED结构，包括：衬底，为透明、导电、与GaN晶格失配度在1％～15％的宽禁带半导体材料；依次外延于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及反射膜；以及p/n电极，分别位于反射膜的上方、衬底的背面。实现了直接在衬底上外延生长垂直结构LED，仅通过一次外延即可获得大注入电流密度、高亮、垂直LED结构，为垂直结构LED的制备提供了工艺简单、有效降低时间成本的技术路线，完全能够满足通用照明低成本、高性能、高成品率的大规模生产要求，在保证性能要求的同时有助于实现量产。
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公开(公告)号：CN107833945A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201711200874.1
申请日：2017-11-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种GaN基垂直LED结构及其制备方法。其中，GaN基垂直LED结构，包括：衬底，为透明、导电、与GaN晶格失配度在1％～15％的宽禁带半导体材料；依次外延于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、多量子阱发光层、p型GaN层以及反射膜；以及p/n电极，分别位于反射膜的上方、衬底的背面。实现了直接在衬底上外延生长垂直结构LED，仅通过一次外延即可获得大注入电流密度、高亮、垂直LED结构，为垂直结构LED的制备提供了工艺简单、有效降低时间成本的技术路线，完全能够满足通用照明低成本、高性能、高成品率的大规模生产要求，在保证性能要求的同时有助于实现量产。
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