公开(公告)号：CN103904175B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201410158350.0

申请日：2014-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 甄爱功 ,  马平 ,  张勇辉 ,  田迎冬 ,  郭恩卿 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

Abstract: 一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法，包含：在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶；在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜；光刻，在第一光刻胶上形成图形；以第一光刻胶作为掩膜，刻蚀p型氮化镓层，在p型氮化镓层上形成多孔状或柱状的光子晶体；在多孔状的光子晶体表面旋涂第二光刻胶；在第二光刻胶上制作第二单层纳米球薄膜；光刻，在第二光刻胶上形成图形；以第二光刻胶作为掩膜，刻蚀p型氮化镓层，在多孔状的光子晶体上形成具有波导结构的光子晶体；制作电极，完成正装结构的制作。

公开(公告)号：CN103701037B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201310637212.6

申请日：2013-11-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 田迎冬 ,  董鹏 ,  张韵 ,  闫建昌 ,  孙莉莉 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。

公开(公告)号：CN103701037A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310637212.6

申请日：2013-11-27

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 田迎冬 ,  董鹏 ,  张韵 ,  闫建昌 ,  孙莉莉 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明公开了一种氮化镓激光器腔面的制作方法，包括：在衬底上外延生长氮化镓激光器结构，得到外延片，氮化镓激光器结构从衬底一侧依次包括n型欧姆接触层、n型限制层、n型波导层、量子阱、电子阻挡层、p型波导层、p型限制层、p型欧姆接触层；在外延片的欧姆接触层上涂覆光刻胶；应用光刻版进行标准光刻；在外延层片上蒸镀金属；在外延层上制作金属掩膜；刻蚀到激光器的n型光限制层；采用腐蚀液腐蚀刻蚀得到的腔面的侧壁；去除外延层表面的金属掩膜。本发明通过感应等离子体刻蚀和碱性溶液腐蚀的方法得到表面平整光滑的腔面，从而了消除干法腐蚀工艺后离子轰击作用对腔面造成的损伤，修复了等离子体对腔面造成的损伤，提高腔面的发射率。

公开(公告)号：CN103904175A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410158350.0

申请日：2014-04-18

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 甄爱功 ,  马平 ,  张勇辉 ,  田迎冬 ,  郭恩卿 ,  王军喜 ,  李晋闽

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法，包含：在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层；在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶；在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜；光刻，在第一光刻胶上形成图形；以第一光刻胶作为掩膜，刻蚀p型氮化镓层，在p型氮化镓层上形成多孔状或柱状的光子晶体；在多孔状的光子晶体表面旋涂第二光刻胶；在第二光刻胶上制作第二单层纳米球薄膜；光刻，在第二光刻胶上形成图形；以第二光刻胶作为掩膜，刻蚀p型氮化镓层，在多孔状的光子晶体上形成具有波导结构的光子晶体；制作电极，完成正装结构的制作。

公开(公告)号：CN103811609A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410056782.0

申请日：2014-02-19

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 闫建昌 ,  王军喜 ,  张韵 ,  丛培沛 ,  孙莉莉 ,  董鹏 ,  田迎冬 ,  李晋闽

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光二极管外延片、器件及其制备方法。该氮化物发光二极管外延片包括：衬底；以及依次沉积于衬底上的氮化物材料的模板层、n型层、量子阱有源区、载流子阻挡层和p型层；其中，p型层中掺杂元素至少包括Mg；载流子阻挡层为含有Al元素的氮化物材料，且除后期由p型层渗入的Mg元素之外，其前期沉积工艺中未掺入Mg元素。本发明通过在量子阱有源区和p型层之间插入合适厚度的非有意掺杂载流子阻挡层，可以有效减少p型层中掺杂剂Mg往量子阱有源区中的扩散效应，从而提高量子阱的辐射复合效率，即有效提高氮化物LED的内量子效率。