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公开(公告)号：CN103296165B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310244179.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN103199164B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310118141.9
申请日：2013-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基DBR高反射紫外发光二极管及制作方法。该紫外发光二极管依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有DBR高反射结构。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过所述DBR高反射结构反射后，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明提出的上述其外发光二极管器件及其制作方法工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域。
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公开(公告)号：CN103325903A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310244191.1
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可调控能带的UV LED多量子阱结构装置及生长方法，其能够提高紫外发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率。所述可调控能带的UV LED多量子阱结构装置，其包括至少一个能带被调控的量子阱结构，该能带调控量子阱结构由量子阱势垒层和组分渐变量子阱势阱层交替生长而成。该可调控能带的UV-LED量子阱结构能够实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高UV-LED量子阱区域的辐射复合效率，进而提高UV-LED的功率和效率。
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公开(公告)号：CN103236479A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310141880.X
申请日：2013-04-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种能够发射具有峰状轮廓并具有中心波长(λ)的辐射的共振腔紫外发光二极管(RC-UVLED)装置，该装置包括：一种共振腔紫外发光二极管装置，其包括：第一腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向上辐射和经过第一反射器反射的电磁波；第二腔，其用于传输共振腔紫外发光二极管装置的量子阱有源区向下辐射和经过第二反射器反射的电磁波；其中第一腔和第二腔共同构成的共振通道，电磁波在其中来回传播。第一反射器和第二反射器，分别连接到该第一腔和第二腔，分别用于反射从第一腔和第二腔中经过并射向反射器的电磁波。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102801471A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210236374.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H04B10/10 , H04B10/155 , H04B10/158
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，用于便携装置之间的数据传输，该系统包括至少一个第一便携装置(1)和至少一个第二便携装置(2)，其中所述第一便携装置至少包括一个LED灯(3)，该LED灯在时序上的亮灭状态表示所要传送的数据；所述第二便携装置至少包括一个光感应器(4)，该光感应器能够感应所述LED灯在时序上的亮灭状态，从而接收该亮灭状态表示的数据。所述LED灯可由白光LED构成。本发明无须增加便携装置的配置，且其数据传输速度最高可达到1Gbits/s，因此具有成本低和效率高的优点。
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公开(公告)号：CN103311097A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310196493.6
申请日：2013-05-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种在蓝宝石衬底上制备微纳米图形的方法，包括以下步骤：步骤1：在一蓝宝石衬底上制备一单晶薄膜；步骤2：在单晶薄膜上旋涂一层光刻胶；步骤3：在光刻胶上制备一有序排列的微纳米球单层膜；步骤4：利用微纳米球的聚光作用，通过光刻机对光刻胶进行曝光；步骤5：去掉微纳米球单层膜，并显影出有序排列的光刻胶微纳米孔阵列；步骤6：通过干法刻蚀将微纳米孔阵列转移到单晶薄膜上，在单晶薄膜上形成单晶薄膜微纳米孔阵列；步骤7：利用单晶薄膜微纳米孔阵列作为掩膜，湿法腐蚀蓝宝石衬底，从而在蓝宝石衬底上获得有序的微纳米图形阵列；步骤8：去除单晶薄膜掩膜后，完成制备。
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公开(公告)号：CN103165775A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310117217.6
申请日：2013-04-07
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种具有高反射薄膜结构的AlGaN基紫外发光二极管器件及制作方法，其涉及微电子技术领域，主要解决紫外发光二极管背面出光结构中出光效率低的问题。该器件依次包括：衬底、AlN成核层、n型AlGaN势垒层、有源区、p型AlGaN势垒层和p型GaN冒层；其中，所述p型AlGaN势垒层上制作有高反射薄膜，用于将光反射后从器件底部发射出去。本发明提出的紫外发光二极管中被p型GaN冒层吸收的光线经过高反射薄膜的反射，由底部发出，极大的提高了出射光的功率和效率。本发明工艺简单，重复性好，可靠性高，可用于空气/水净化，医疗，生物医学，白光照明以及空间通信等领域中。
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公开(公告)号：CN102709429A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210162775.X
申请日：2012-05-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有源区上；一P型过渡层，其生长在电子阻挡层上；一P型接触层，其生长在P型过渡层上；一反射欧姆接触电极，其制作在P型接触层上；采用所述基片制备的紫外发光二极管的发光波长范围在200nm-365nm之间。具有较高的紫外反射率，从而提高了紫外发光二极管的光提取效率。
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公开(公告)号：CN103296165A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310244179.0
申请日：2013-06-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高发光二极管有源区多量子阱中辐射复合效率的可调控能带的量子阱结构及其外延生长方法。该可调控能带的LED量子阱结构包括至少一个组分渐变的量子阱势阱层，实现对量子阱区域的能带调控，提高量子阱有源区中的电子空穴波函数叠加，提高LED量子阱区域的辐射复合效率。该多量子阱结构可应用于InGaN基蓝光和绿光LED，提高InGaN基蓝光和绿光LED有源区的内量子效率，进而提高LED的功率和效率。
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