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公开(公告)号：CN111710595A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010600417.7
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种AlN模板的应力与晶圆翘曲控制方法，包括以下步骤：提供耐高温衬底；采用磁控溅射技术分别在所述衬底的正面和反面分别沉积AlN薄膜，厚度分别为0.1微米至1微米，形成低质量双面AlN模板；将得到的双面沉积的低质量AlN模板放入高温设备中进行退火处理，制备高质量双面AlN模板。本发明实现了对AlN模板的应力与晶圆翘曲比较好的控制，很好的避免了在芯片工艺制作过程中所导致的晶圆崩裂，并提高了器件性能。
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公开(公告)号：CN108878604B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810726543.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法，该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构，使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱，能够很容易的剥离掉。相较激光剥离的方法制备的垂直结构的LED，本方法能够避免激光烧灼导致的外延层材料质量变差，以及良率较低的问题。
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公开(公告)号：CN108091646A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711453233.7
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种紫外LED抗静电硅基板的封装结构，包括：一硅基板，该硅基板是用间隔槽隔离出正极、负极和自由极，所述正极位于硅基板上面的一侧，所述负极和自由极位于硅基板上面的另一侧；一稳压二极管，其制作在正极部分的硅基板上；一紫外LED芯片，其倒装在硅基板，并与正极、负极和自由极连接；一陶瓷管壳，所述硅基板制作在陶瓷管壳上，所述基板的正极与陶瓷管壳的正极连接，所述硅基板的负极与陶瓷管壳的负极连接；一盖片，其封盖在陶瓷管壳上。本发明可提高自身抗静电能力，有效的保护紫外LED，结构简化，降低成本。
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公开(公告)号：CN119486316A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411618173.X
申请日：2024-11-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H10F71/00 , C30B25/18 , C30B29/40 , H10F77/124 , H10F30/21
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN薄膜生长方法及AlGaN薄膜，涉及半导体材料外延技术领域，用以解决现有技术中基于碳化硅衬底生长的AlGaN薄膜存在缺陷密度高的技术问题。该方法包括：准备一衬底，并对衬底进行清洗处理；将清洗后的衬底放入高温MOCVD设备中，通入指定时间的金属有机源，使金属原子吸附在衬底的生长面；对吸附金属原子后的衬底进行指定时间的金属原子解吸附处理，得到目标衬底；在目标衬底的生长面上，生长AlGaN薄膜。该方法通过金属原子吸附和解吸附过程来降低衬底表面的台阶密度，有效去除表面的氧化层，从而提升了AlGaN薄膜的晶体质量和表面光滑程度。
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公开(公告)号：CN113539791B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202110716091.9
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种极性交替AlN模板的制备方法，包括：在衬底表面沉积氮极性AlN；在所述氮极性AlN上沉积掩膜层；对所述掩膜层图形化，以暴露部分所述氮极性AlN；对氮极性AlN进行热处理，诱使所述掩膜层覆盖的所述氮极性AlN的极性反转，保持暴露的所述氮极性AlN的极性不变；去除所述掩膜层，得到表面极性交替的AlN结构；在表面极性交替的AlN结构上继续沉积AlN至预设厚度，得到所述极性交替AlN模板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113445130A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110716151.7
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种AlGaN基紫外激光器的生长方法，通过原位热处理的方法粗化AlGaN赝晶层的表面，来缓解AlGaN厚膜的应力，显著改善晶体质量；由于表面粗化结构尺寸更小，后续AlGaN厚膜生长过程更容易合并，形成原子级平整表面，进而生长得到高质量的紫外激光器结构。
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公开(公告)号：CN113437186A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110715925.4
申请日：2021-06-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种AlGaN薄膜的制备方法，包括：对衬底进行热处理，以使所述衬底的生长面转变为岛状起伏结构；在所述生长面上生长多孔AlN薄膜；在所述多孔AlN薄膜上生长表面合并的AlGaN薄膜。该方法不仅可以提高外延层的晶体质量，而且可以通过多孔结构有效缓解外延层应力，进而制备高质量的AlGaN薄膜。
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公开(公告)号：CN110808319B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201911099376.1
申请日：2019-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种反极性垂直发光二极管及其制备方法，该反极性垂直发光二极管包括：基板；n型电极，位于所述基板之上；n型GaN基半导体层，位于所述n型电极之上；发光层，位于所述n型GaN基半导体层之上；p型GaN基半导体层，位于所述发光层之上；p型电极，位于所述p型GaN基半导体层之上；其中，所述n型GaN基半导体层、发光层和p型GaN基半导体层在自下而上的方向上均表现为氮极性，在自上而下的方向上均表现为金属极性。本发明综合反极性和垂直结构的优势，可有效提高p型GaN基半导体层的空穴浓度，抑制量子阱有源区的量子限制斯塔克效应，从而提高LED的辐射复合效率和内量子效率，改善LED的发光性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110269950A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201810208011.7
申请日：2018-03-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统，包括：分布式深紫外LED杀菌消毒模块，分布于消毒区域的多个不同位置；人体识别模块，用于采集侵入人员信息，对侵入所述消毒区域的人员进行识别；以及主控制器，与所述人体识别模块及分布式深紫外LED杀菌消毒模块连接，用于接收所述人体识别模块发送的侵入人员信息，并根据侵入人员信息控制所述分布式深紫外LED杀菌消毒模块的启停。本公开基于人体识别深紫外LED杀菌消毒系统，能够快速智能识别出人体安全，既达到杀菌消毒的目的又避免了紫外线伤害，具有重要的实际应用意义。
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公开(公告)号：CN108922947A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810722927.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层有源区的材料质量，释放外延层应力，提高内量子效率，还能通过多孔结构降低光的内部反射提高出光效率，同时相对于传统图形衬底外延技术，该外延模板制备方法更加简单，外延层合并更容易。
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