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公开(公告)号：CN117936577A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410070130.6
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L23/31 , H01L29/45
Abstract: 本公开提供了一种具有欧姆接触界面钝化层的GaN HEMT器件及其制备方法，该GaN HEMT器件包括：衬底层(1)；缓冲层(2)，生长于衬底层(1)的上表面；异质结结构层(3)，生长于缓冲层(2)的上表面，异质结结构层(3)的上表面的边缘处设有对称的两个外延槽；接触电阻结构层(4)，生长于外延槽内，其厚度大于外延槽的深度，自下而上依次包括材料层(41)、钝化层(42)及源漏金属层(43)；栅极金属层(5)，生长于异质结结构层(3)的上表面，以及位于接触电阻结构层(4)之间。本公开可以减少材料层(41)中的金属诱导带隙中间态密度，并钝化界面处的悬挂键，减轻界面态对于费米能级的钉扎效应，从而降低欧姆接触电阻，实现具有低欧姆接触电阻的GaN基HEMT。
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公开(公告)号：CN111578159A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010445714.9
申请日：2020-05-22
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: F21K9/62 , F21K9/65 , F21K9/68 , F21K9/69 , F21V19/00 , F21V23/00 , F21V29/74 , F21V9/32 , F21V9/40 , F21V13/04
Abstract: 一种白光激光照明装置，包括激光模块、激光合束系统和荧光转换模块，其中，激光模块包括至少一颗红光激光二极管与至少一颗蓝光激光二极管，其发出的光束通过激光合束系统进行合束混光后耦合进光纤中，混合激光经光纤传输后入射到封装在多元件组合套筒内的荧光转换模块上。本发明采用红光激光器作为弥补红光光谱缺失的手段，可以有效避免因红光荧光材料发生荧光饱和现象而带来的稳定性问题，实现高光通量白光显色指数的提升以及色温的调整，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN111446296A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010262718.3
申请日：2020-04-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/43 , H01L29/08 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本公开提供了一种p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构及制作方法，其p型栅增强型氮化镓基高迁移率晶体管结构，自下而上顺次包括：衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p型层；还包括：第一n型层、第二n型层、第一台面、第二台面、源电极、漏电极和栅电极，第一台面自p型层刻蚀至沟道层；第一n型层生长在第一台面上；第二台面自第一n型层刻蚀至缓冲层内；源电极和漏电极分别制备在第一n型层上；栅电极制备在p型层上；第二n型层生长在p型层上，且位于栅电极外的区域。本公开第二n型层的引入可耗尽其下方p型层中的空穴浓度，恢复异质结中的二维电子气，实现器件的增强型，并避免了刻蚀带来的晶格损伤以及界面杂质对p型层的影响。
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公开(公告)号：CN106341095B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610797852.7
申请日：2016-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提出一种在金属上生长高质量单晶氮化物薄膜的方法：在金属上先采用低温磁控溅射技术制备AlN成核层，然后采用MOCVD技术制备高质量单晶氮化物薄膜。此外，在此基础上提出了一种单晶氮化物体声波谐振器结构，与常规多晶体声波谐振器相比，此种谐振器的压电材料由两部分组成，包括采用低温磁控溅射技术制备的AlN成核层和在AlN成核层上采用MOCVD技术制备的高质量单晶氮化物薄膜。AlN成核层可覆盖底部金属电极，因此可有效改善氮化物薄膜质量，克服制备高质量单晶氮化物薄膜时遇到的问题与挑战，从而有望获得高性能的单晶氮化物体声波谐振器。
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公开(公告)号：CN109672419A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811295597.1
申请日：2018-11-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供了一种体声波谐振器的结构及其制备方法，采用在带有空气隙的衬底上直接转移石墨烯复合结构制备底电极的方法，解决了空气隙制备中湿法腐蚀牺牲层存在的牺牲层去除不彻底的问题，简化了工艺；同时，避免了采用CMP工艺带来的成本提升和应力积累问题，简化工艺、降低成本，提升了压电薄膜外延质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108110097A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201810034773.X
申请日：2018-01-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/02 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 一种GaN基LED器件，包括：一衬底；一成核层，其制作在衬底上；一非掺杂GaN层，其制作在成核层上；一n型层，其制作在非掺杂GaN层上；一发光层，其制作在n型层上；一p型层，其制作在发光层上。本发明具有制备时间短，成本低廉的优点，可大规模制备，提高了外延材料质量和器件性能。
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公开(公告)号：CN108010959A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711280883.6
申请日：2017-12-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L29/41 , H01L21/336 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种凹槽阳极肖特基二极管及其制备方法，该凹槽阳极肖特基二极管，包含衬底，形成于衬底上的外延层，形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽，以及形成于外延层上的阳极和阴极，其中：阳极形成于外延层表面阳极区域的阳极凹槽上，使阳极表面具有阳极凹槽图形。阳极凹槽图形是不连续图形，图形尺寸为纳米级到微米级。该二极管利用非连续阳极凹槽，提高了阳极凹槽的周长/面积比，使导通电阻降低，从而能够制备正向电流更大、导通电阻更低、导通压降更低的凹槽阳极肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN106441485A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611164611.5
申请日：2016-12-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: G01F15/12 , C02F1/32 , C02F2303/04
Abstract: 本发明提出了一种具有紫外杀菌消毒功能的水表，包括计量装置、感应装置和发光装置，其中，通过在计量装置中水表本体上设置一个透明窗口，正对该透明窗口固定一个发光装置的紫外光源，紫外光源能够产生紫外光线并透过透明窗口对流经水表本体的水进行杀菌消毒。在保证原水表计量功能的同时，对流经水表本体的水进行高效高速的杀菌消毒。
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公开(公告)号：CN104538303A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410816561.9
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/78
CPC classification number: H01L29/66409 , H01L29/66856
Abstract: 一种转移衬底的氮化镓基高电子迁移率晶体管的制作方法，包括：在衬底上依次生长低温成核层、氮化镓高阻层、高迁移率氮化镓层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和氮化镓帽层；在氮化镓帽层的表面制备硅、铜或氮化铝的第一导电衬底；将衬底与低温成核层分离；将氮化镓高阻层的表面磨抛平整；在氮化镓高阻层的表面制备硅、铜、氮化铝的第二导电衬底，将氮化镓基高电子迁移率晶体管转移到硅、铜、氮化铝的第二导电衬底上；把通过热压键合或电镀在氮化镓帽层上的第一导电衬底去除掉；在氮化镓帽层上面的两侧制作源、漏的欧姆接触电极；在氮化镓帽层上面的中间制作栅极的肖特基接触电极完成制备。
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公开(公告)号：CN104465905A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410817187.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/06 , H01L2933/0008
Abstract: 一种采用侧壁等离激元技术提高紫外发光二极管效率的方法，包括：在基底上依次生长AlN缓冲层、n型AlGaN层、AlGaN有源区、AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层和p型InGaN电极接触层；从所述p型InGaN电极接触层顶部开始向下刻蚀，刻蚀深度至n型AlGaN层内，形成发光二极管pn结脊形结构及其两侧的台面；在所述台面上制作n型接触电极；在所述脊形结构上的p型InGaN电极接触层上制作p型接触电极；在脊形结构及两侧台面上沉积电绝缘层，该电绝缘层覆盖n型接触电极和p型接触电极；在n型接触电极和p型接触电极的上方，分别形成上电极窗口区和下电极窗口区；在所述上电极窗口区及两侧的电绝缘层制作上电极层；在所述下电极窗口区上制作下电极层，完成方法的制作。
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