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公开(公告)号：CN108878604B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201810726543.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法，该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构，使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱，能够很容易的剥离掉。相较激光剥离的方法制备的垂直结构的LED，本方法能够避免激光烧灼导致的外延层材料质量变差，以及良率较低的问题。
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公开(公告)号：CN108922947B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201810722927.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层有源区的材料质量，释放外延层应力，提高内量子效率，还能通过多孔结构降低光的内部反射提高出光效率，同时相对于传统图形衬底外延技术，该外延模板制备方法更加简单，外延层合并更容易。
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公开(公告)号：CN108878604A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810726543.X
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明提供一种垂直结构的发光二极管(LED)芯片的制备方法，该方法主要是通过电化学或光电化学腐蚀或光辅助电化学腐蚀的方法将LED外延层中的牺牲层腐蚀成多孔结构，使得牺牲层上下外延层之间的结合强度变得非常弱，能够很容易的剥离掉。相较激光剥离的方法制备的垂直结构的LED，本方法能够避免激光烧灼导致的外延层材料质量变差，以及良率较低的问题。
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公开(公告)号：CN108922947A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810722927.4
申请日：2018-07-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/007
Abstract: 本发明涉及半导体微电子技术领域，具体为公开了一种基于多孔外延模板的高效紫外发光二极管及其制作方法。该发明是通过电化学腐蚀、光电化学腐蚀、光催化腐蚀或金属催化腐蚀获得多孔外延模板，然后在此模板上外延LED结构。通过这种方法不但能提高外延层有源区的材料质量，释放外延层应力，提高内量子效率，还能通过多孔结构降低光的内部反射提高出光效率，同时相对于传统图形衬底外延技术，该外延模板制备方法更加简单，外延层合并更容易。
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