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公开(公告)号：CN103928440A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410107226.1
申请日：2014-03-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种集成电路铜互连扩散阻挡层及其备方法。本发明使用PEALD技术生长CoxN与Ru原子层，形成Ru-Co-N的交叠结构，代替传统的TaN/Ta结构，作为Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层，其表达式为Ruy(CoxN)1-y；通过调节Ru与CoxN两者的比例，可以得到对Cu优秀的粘附能力和扩散阻挡能力。本发明可在高纵横比结构上生长出均匀非晶薄膜，可以减少工艺步骤与薄膜器件的整体厚度，可以改善对Cu的扩散阻挡与粘附性能，还可以提高铜互连的导电性能，为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。
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公开(公告)号：CN103681480A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310714616.0
申请日：2013-12-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L21/321
CPC classification number: H01L21/76838
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种远程氢等离子体表面处理制备超薄铜籽晶层的方法。本发明方法包括：将双（六氟乙酰丙酮）合铜吸附在扩散阻挡层上，清除多余双（六氟乙酰丙酮）合铜；将二乙基锌吸附在扩散阻挡层上，清除多余二乙基锌；重复上述步骤以达到超薄铜籽晶层的目标厚度；最后通入远程氢等离子体，进行表面处理。本发明采用ALD生长铜籽晶层，在较低的工艺温度下，可以有效地控制铜籽晶层的厚度，具有良好的沟槽填充性能；采用远程氢等离子体脉冲可与沉积薄膜中的杂质反应生成气体副产物并通过载气带离，从而提高沉积薄膜的质量，提高电镀铜与铜籽晶层的粘附特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性。
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公开(公告)号：CN103413837A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310284376.5
申请日：2013-07-08
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/94 , H01L21/334
Abstract: 本发明属于微电子领域，具体涉及一种锗基高介电常数绝缘介质的MOS电容器及其制备方法。本发明所涉及的MOS电容器，采用n型锗（Ge）作为半导体衬底，采用高介电常数的Al2O3薄膜和TiO2薄膜混合结构作为绝缘介质，并以Al2O3薄膜开始和结束薄膜叠层结构，最终形成金属/绝缘体/锗半导体结构。本发明采用原子层淀积技术制备锗上高介电常数绝缘介质，可以有效解决锗本征氧化物热稳定性和可溶于水的不足，为新型器件的研发提供宽广前景。
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公开(公告)号：CN103337469A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310235743.2
申请日：2013-06-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/768 , H01L21/3205
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积的沟槽；转移到原位沉积腔后顺次通入五（二甲胺基）钽和含氮等离子体进行氮化钽扩散阻挡层的沉积；原位顺次通入二（六氟乙酰丙酮）化铜和二乙基锌进行铜籽晶层的沉积；取出硅片进行电化学沉积铜；化学机械抛光去除多余的铜。
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公开(公告)号：CN102507040A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110354870.5
申请日：2011-11-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明属于温度测量技术领域，具体为一种基于椭偏仪的薄膜温度测量方法。本发明利用椭偏仪测量被测薄膜的折射率谱线与标准折射率谱线，将两者比较，采用最小二乘法得到最佳匹配曲线，从而根据标准谱线所对应的温度值得到被测薄膜的温度值。本发明可非直接、无损耗地测量固体薄膜实时或非实时温度。测量过程中对薄膜材料没损伤，当实验条件不发生明显变化时，该方法具有较高的置信度。当标准折射率谱的温度间隔取得较小时，该方法具有较高的精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102208441A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110112347.1
申请日：2011-05-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/12 , H01L21/336 , C23C16/44 , C23C16/40 , H01L29/786
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管有源层及其生长方法。本发明提出的薄膜晶体管为由ZnO掺杂Hf元素的HfZnO薄膜，其生长方法包括：用原子层淀积技术在基板上周期性地生长HfO2和ZnO薄膜，得到特定厚度的HfZnO有源沟道层。本发明方法所淀积的薄膜具有薄膜厚度的精确控制性，优异的保形性，良好的界面控制能力，极好的大面积均匀性，可以减少薄膜的缺陷密度，因此可大大降低沟道层中的缺陷以及介质层和沟道层界面处的缺陷，最终提高TFT的性能。
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公开(公告)号：CN119545816A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411490382.0
申请日：2024-10-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法；本发明首先通过热氧化法，在p‑Si衬底上生长SiO2界面层（IL）。通过原子层沉积技术在IL层上生长不同循环数的Ga2O3，并原位生长HfO2薄膜。接着，器件快速退火，以修复介质层间的氧化物缺陷。最后，制备出图形化的W电极，从而得到MOSCAP器件；本发明中，加入Ga2O3偶极子层后的MOSCAP器件表现出较低的回滞曲线，且仅增加了极低的等效氧化物厚度（EOT），同时实现了显著的VFB正向调节。本发明证实了Ga2O3是一种具有潜力的新型p‑dipole材料，在先进工艺节点的多阈值技术发展中展现出广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN114078966B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202010811911.8
申请日：2020-08-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。
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公开(公告)号：CN115884599A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211577445.7
申请日：2022-12-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H10B53/00
Abstract: 本发明公开了一种氧化铪基铁电电容器及其制备方法，在高阻硅片上采用原子层沉积技术生长氧化铝（Al2O3）薄膜，然后在Al2O3薄膜上沉积氧化锆（ZrO2）籽晶层，在籽晶层上生长氧化铪HfO2铁电薄膜，利用磁控溅射、光刻、刻蚀制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。在本发明的电容存储器结构中，通过构建具有高介电常数的双层堆叠界面层优化HfO2铁电薄膜与半导体硅沟道的界面，增加了HfO2铁电相的成分、减弱了沟道电荷注入，实现高性能的电容存储功能。
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公开(公告)号：CN115775687A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211614877.0
申请日：2022-12-14
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种镓掺杂的氧化铪基铁电薄膜电容器及其制备方法；本发明在硅/二氧化硅片上采用物理气相沉积技术生长底电极钨，然后在钨电极上采用等离子体增强原子层沉积技术生长镓掺杂氧化铪铁电薄膜，再利用物理气相沉积、光刻、剥离制备顶电极，最后采用快速热退火形成铁电电容器。本发明的镓掺杂氧化铪基铁电薄膜，通过采用原子半径较小的镓原子取代部分铪原子，在氧化铪薄膜中产生较大的应力，诱导铁电相的产生，实现了低矫顽场、高可靠性。
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