公开(公告)号：CN117811571A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202211163788.9

申请日：2022-09-23

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  李骏康 ,  吴颖 ,  许俊豪

IPC: H03K19/094

Abstract: 本申请提供了一种逻辑电路、数字电路和电子设备，通过处理模块中的第一共栅互补场效应晶体管和第二共栅互补场效应晶体管，减小了逻辑电路制造工艺的难度，且大大降低了逻辑电路的制造成本。逻辑电路可以包括控制模块、处理模块和输出模块。控制模块可以用于根据第一输入信号确定第一控制信号并传输给处理模块。处理模块可以用于输出第二控制信号，第二控制信号可以用于指示处理模块的输出信号。输出模块可以用于根据第二控制信号输出第三控制信号，第三控制信号用于指示逻辑电路的输出信号。

公开(公告)号：CN114300456A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111528254.7

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  朱宝 ,  尹睿

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道和所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道均由第一鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道均由第二鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向，紧凑的器件排布，降低了所占面积，节约制造成本。本发明还提供了一种存储器。

公开(公告)号：CN114300455A

公开(公告)日：2022-04-08

申请号：CN202111528228.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  朱宝 ,  尹睿

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道由第一鳍式结构形成，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道由第二鳍式结构形成，所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道由第三鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道由第四鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向，紧凑的器件排布，降低了所占面积，节约制造成本。本发明还提供了一种存储器。

公开(公告)号：CN117766002A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202211175101.3

申请日：2022-09-26

Applicant: 华为技术有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  詹士杰 ,  吴颖 ,  许俊豪

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/419 ,  G11C5/02

Abstract: 本申请提供了一种静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备，包括：第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管、第二下拉管、第一选通管以及第二选通管；第一上拉管与第一下拉管作为第一互补场效应晶体管，第二上拉管与第二下拉管作为第二互补场效应晶体管，第一互补场效应晶体管在第一平面上的正投影、第一选通管在第一平面上的正投影、第二选通管在第一平面上的正投影以及第二互补场效应晶体管在第一平面上的正投影沿第一方向依次间隔排列；第一互补场效应晶体管、第一选通管在第二平面上的正投影与第二互补场效应晶体管、第二选通管在第二平面上的正投影间隔排列，提供新型结构的存储单元，提高存储单元的性能。

公开(公告)号：CN114203705A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111528267.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  朱宝 ,  尹睿

IPC: H01L27/11

Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构，能够减少第一传输管和所述第二传输管所占的面积，提高电路集成度，并降低制造成本。

公开(公告)号：CN114203704A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202111525682.4

申请日：2021-12-14

Applicant: 复旦大学 ,  上海集成电路制造创新中心有限公司

Inventor： 丁荣正 ,  俞少峰 ,  朱小娜 ,  朱宝 ,  尹睿

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向，堆叠设置的第一传输管和第二传输管，能够极大减少单个第一传输管和单个第二传输管所占面积，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。

公开(公告)号：CN113805711A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111008992.9

申请日：2021-08-31

Applicant: 复旦大学

Inventor： 李艳丽 ,  伍强 ,  朱小娜 ,  尹睿

IPC: G06F3/033 ,  G06F3/038 ,  A63F13/214 ,  A63F13/24

Abstract: 本发明属于电子运动设备技术领域，具体为一种脚控位移输入装置。本发明通过脚掌操控输入操作，通过直流电机或圆形格栅角位移编码器实现脚底位移信号转化为电信号；最后通过USB接口将信号输入到电脑中，驱动与运动相关的程序；输入装置包括脚控位移信号传感器，其结构有两种形式：一为直流电机驱动式，包括：滚球、支撑轴承、软质圆柱、弹性薄片、固定支架、直流电机、运算放大器和单片机；另一种为角位移编码器驱动式，即将前一种位移传感器中的直流电机替换以为角位移编码器。本发明装置无需额外占地，无需安全防护装置，正常桌椅与带有USB接口的电脑就可使用。应用场景包括如2D、3D游戏，地图历经，360°VR街景体验，实景虚拟参观等。

公开(公告)号：CN112466952A

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN202011363671.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱小娜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/1159

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，包括铁电层衬底、栅极、源极、漏极、浅沟槽隔离结构和侧墙，所述铁电层衬底自下而上包括第一硅层、第一氧化层、铁电层、第二氧化层和第二硅层。所述介电层的材料包括二氧化铪基高介电常数材料或二氧化铪基材料中的一种，降低了亚阈值摆幅，所述铁电层的材料为铁电性材料，能够利用底电极写入不同极化方向对沟道开启进行控制，读出时采用表面栅，降低对所述铁电层的影响，写入时采用底部栅，用作存储器件时的写入与读出分离，提高了器件的可靠性。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN119208330A

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202411732504.2

申请日：2024-11-29

Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 ,  复旦大学

Inventor： 朱小娜 ,  汤培顺 ,  朱驰昂

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种CFET的门电路器件结构与工艺，涉及半导体技术领域，包括衬底，所述衬底的顶部通过绝缘层包裹有并联连接的N沟道场效应管#imgabs0#和P沟道场效应管#imgabs1#；N沟道场效应管#imgabs2#与P沟道场效应管#imgabs3#共用相同的源极S，N沟道场效应管#imgabs4#与P沟道场效应管#imgabs5#共用相同的漏极D；N沟道场效应管#imgabs6#的栅极#imgabs7#与P沟道场效应管#imgabs8#的栅极#imgabs9#互相分离，互相分离的栅极#imgabs10#与栅极#imgabs11#构成分离栅结构。本发明通过将原本平面的CMOS单元对折构成向上相互垂直堆叠的立体器件，同时采用介质隔离P型和N型场效应管器件的栅极构成分离栅结构，能够节省CFET集成的平面面积、提高集成密度、缩小沟道进程以及提高芯片精度，有利于保持电路性能和电路设计的灵活性。

公开(公告)号：CN115621204A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211287237.3

申请日：2022-10-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 朱小娜 ,  魏晨程 ,  丁荣正 ,  俞少峰

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供了一种重置金属栅的方法，包括：形成待重置金属栅结构，所述待重置金属栅结构包括自下向上堆叠设置的第一MOS管结构、第二MOS管结构；刻蚀所述第二MOS管结构的第二沟道及所述第二沟道的外围结构，以形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第一通孔结构，所述第一沟道的外围结构和所述第二沟道的外围结构均包括栅极和介电层，所述介电层环绕所述栅极设置；沉积二氧化硅，然后在所述二氧化硅上形成连通所述第一MOS管结构的第一沟道的外围结构的第二通孔结构；沉积金属，以形成连通所述第一沟道的外围结构的金属接触结构，实现了分离栅结构。本发明还提供了一种半导体器件及电路。