公开(公告)号：CN119545816A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411490382.0

申请日：2024-10-24

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  沈磊 ,  朱小娜

IPC: H10D1/66 ,  H10D62/10 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种基于p‑dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法；本发明首先通过热氧化法，在p‑Si衬底上生长SiO2界面层（IL）。通过原子层沉积技术在IL层上生长不同循环数的Ga2O3，并原位生长HfO2薄膜。接着，器件快速退火，以修复介质层间的氧化物缺陷。最后，制备出图形化的W电极，从而得到MOSCAP器件；本发明中，加入Ga2O3偶极子层后的MOSCAP器件表现出较低的回滞曲线，且仅增加了极低的等效氧化物厚度（EOT），同时实现了显著的VFB正向调节。本发明证实了Ga2O3是一种具有潜力的新型p‑dipole材料，在先进工艺节点的多阈值技术发展中展现出广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN114527372A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202210146483.0

申请日：2022-02-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴泽昊 ,  蔡畅 ,  沈磊 ,  俞军 ,  王树 ,  徐灵炎 ,  宁冰旭 ,  沈鸣杰 ,  徐烈伟

IPC: G01R31/28 ,  G01R31/317 ,  G01R31/3181 ,  G06F17/13

Abstract: 本申请涉及集成电路技术领域，特别涉及一种针对FPGA器件SerDes模块的单粒子效应测试方法及装置，其中，方法包括：利用作为主控器件的第一FPGA器件生成目标码型的第一SBS码；在作为待测试设备的第二FPGA器件传输第一SBS码的过程中，控制第一FPGA器件使得第一SBS码接受辐射，并检测辐射后目标码型的第二SBS码；参照第二SBS码，统计SBS的误码数量和错误类型，生成单粒子效应测试结果。由此，解决了相关技术中对于FPGA器件SerDes模块测试的稳定性低、精确度不高、实时性较差，且测试适用性较差等问题。