公开(公告)号：CN113838928A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202010584595.5

申请日：2020-06-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯黎 ,  周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45 ,  H01L21/335 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种高效率高线性射频GaN功率器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源极，设置在衬底上方，漏极，设置在衬底上方与源极相对应，栅极，设置在衬底上方，位于源极与漏极之间，其中，源极和漏极均包括第一金属层，栅极包括第二金属层，源极和漏极呈非均匀多线条结构，该非均匀多线条结构具有多个长度不等的线条。源极的非均匀线条结构还能减小源欧姆接触的寄生电容Cgs，从而获得更好的线性度和fT。漏极的非均匀线条结构还能减小漏欧姆接触的寄生电容Cgd、Cds，从而获得更好的功率增益、fmax以及线性度。

公开(公告)号：CN114078966B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010811911.8

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯黎 ,  周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。

公开(公告)号：CN114078966A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010811911.8

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯黎 ,  周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。

公开(公告)号：CN111048584B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I‑V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。

公开(公告)号：CN111048584A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P-氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P-GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I-V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。