公开(公告)号：CN114078966A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010811911.8

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯黎 ,  周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。

公开(公告)号：CN111834467B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201910322519.4

申请日：2019-04-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  李晓茜 ,  陈金鑫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供了一种与Si工艺兼容的NixSiy/Ga2O3肖特基二极管及其制备方法，用于在标记片上形成肖特基电极以及欧姆电极，该标记片的工作面具有第一区域、第二区域以及第三区域，包括以下步骤：将Ga2O3薄膜覆盖在第一区域上，然后将Ga2O3薄膜的表面以及工作面全部涂胶；在Ga2O3薄膜的表面以及工作面光刻去胶得到阳极窗口；在阳极窗口处溅射沉积Si以及Ni；将去胶的标记片在惰性气氛、预定温度下快速退火预定时间；在第一区域以及第三区域制作具有Ga2O3的欧姆电极，从而得到NixSiy/Ga2O3肖特基二极管。本发明制得的NixSiy/Ga2O3肖特基电极具有较低的电阻率，优异的热稳定性，在满足与硅工艺相兼容的情况下能够制得势垒高度可调的NixSiy/Ga2O3肖特基阳极，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN113541451A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202010319721.4

申请日：2020-04-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02H7/12

Abstract: 本发明提供一种用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路，用于对外部输入的低压数字输入信号HI和LI进行处理并输出高侧输出信号HO和低侧输出信号LO，其特征在于，包括：输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、高侧预驱动电路、低延时高压电平移位电路、高侧高效率输出驱动电路H、栅压钳位电路、短路保护电路以及欠压保护电路。其中，数控高精度死区时间产生电路和低侧数控延时电路内部的延迟电路采用数字控制延时电路，栅压钳位电路具有第一PMOS晶体管M1L、第二PMOS晶体管M2L、NMOS晶体管M3L、比较器、钳位反相器和2输入或门。

公开(公告)号：CN111048584B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P‑氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P‑GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I‑V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。

公开(公告)号：CN111048584A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911334848.7

申请日：2019-12-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  冯黎 ,  李晓茜 ,  张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟

IPC: H01L29/737 ,  H01L29/10 ,  H01L23/64 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件及其制备方法，属于射频功率器件领域。本发明提供了一种高线性氮化镓HBT射频功率器件，包括：外延材料层；次集电层；集电层；氮化硅层；集电极接触孔金属层；P-氮化镓基层；发射极层；P型多晶硅层；以及基极金属层。因为本发明在P-GaN非本征基区采用成熟的P型Si半导体实现自镇流结构，同时利用多晶硅互连线Rb为镇流电阻，采用了多晶硅互连线有效地缩短非本征基区区域。所以，本发明可以利用这个负反馈结构降低器件I-V中的非线性分量，能够降低RC延迟时间，明显提高器件高的fT、fmax高频参数。

公开(公告)号：CN109560134A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201811227070.5

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟 ,  蒋西西

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为GaN基功率器件及其制备方法。本发明采用p型多晶硅作为漏极，通过漏极的空穴注入，实现两种载流子同时导电，实现电导调制，从而降低器件的导通电阻Ron，并利用两种载流子的电负性相吸，有效减小器件的表面漏电和提高击穿电压。另外，本发明采用P型多晶硅栅极和漏极集成电路工艺实现增强型GaN基功率器件，以支持未来的硅基GaN量产化技术。

公开(公告)号：CN109545851A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811227030.0

申请日：2018-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张卫 ,  卢红亮 ,  黄伟 ,  蒋西西

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，具体为一种增强型GaN基功率器件及其制备方法。本发明选用Si上AlGaN/GaN作为衬底，在衬底上曝光出欧姆接触的源极和漏极图形，电子束蒸发第一金属，经过去胶剥离和退火后，形成器件的源极和漏极；然后形成掩蔽层，曝光出器件的台面图形，干法刻蚀所述掩蔽层和所述AlGaN层并过刻，形成器件区。光刻、刻蚀形成栅开口，淀积多晶硅，进行p型掺杂并退火，光刻、刻蚀形成P型多晶硅栅；最后，曝光金属引线的图形，电子束蒸发第二金属，经过去胶剥离得到金属引线，获得增强型GaN基功率器件。本发明采用p型多晶硅栅，有效地抑制栅漏电，提高器件阈值电压稳定性，并与硅集成电路工艺有较高的兼容性。

公开(公告)号：CN102122241A

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN201010022647.6

申请日：2010-01-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 韩军 ,  黄伟 ,  曹丹 ,  曾晓洋

IPC: G06F7/52

Abstract: 本发明涉及一种适用于高速网络应用以及便携式移动设备应用需要的针对ECC(椭圆曲线密码)算法的双域模乘模除器，它由4个PE运算单元、5个寄存器堆Regfile、Booth编码单元、输入寄存器Load file、控制模块control和17个多路选择器组成，由17个多路选择器来改变四个PE运算单元之间的连接以及数据的读取位置以完成模除或模乘操作，具有可扩展性，最高可支持480-bit的模乘除运算，模乘与模除运算能够共用硬件单元，以减小硬件的面积；算法中的长操作数的加减法和移位运算都以字为单位进行，大大加快的算法的收敛速度，从而使运算速度加倍。

公开(公告)号：CN114078966B

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202010811911.8

申请日：2020-08-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 冯黎 ,  周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明属于半导体器件领域，提供了一种复合沟道结构的射频AlGaN/GaN器件，其特征在于，包括：衬底，由SiC上AlGaN/GaN制成；源电极，设置在衬底上方；漏电极，设置在衬底上方；栅电极，设置在衬底上方，位于源电极与漏电极之间；以及复合沟道，包括二维电子气沟道以及多晶硅电流沟道，其中，二维电子气沟道包括衬底的AlGaN层以及GaN层，多晶硅电流沟道包括多个长度不相等的凹陷沟道以及多晶硅层，多晶硅层设置于衬底的GaN层以及漏电极之间，凹陷沟道设置于漏电极以及二维电子气沟道之间，器件还包括掩蔽层，掩蔽层设置在凹陷沟道以及部分二维电子气沟道的AlGaN层之间，源电极包括第一金属层述栅电极包括第二金属层，漏电极包括第三金属层，多晶硅电流沟道为n型掺杂多晶硅。

公开(公告)号：CN113541451B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202010319721.4

申请日：2020-04-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 周德金 ,  黄伟 ,  卢红亮 ,  张卫

IPC: H02M1/08 ,  H02M1/088 ,  H02M1/32 ,  H02H7/12

Abstract: 本发明提供一种用于增强型GaN HEMT的高频智能半桥栅驱动电路，用于对外部输入的低压数字输入信号HI和LI进行处理并输出高侧输出信号HO和低侧输出信号LO，其特征在于，包括：输入接收电路、数控高精度死区时间产生电路、低侧数控延时电路、低侧高效率输出驱动电路L、高侧预驱动电路、低延时高压电平移位电路、高侧高效率输出驱动电路H、栅压钳位电路、短路保护电路以及欠压保护电路。其中，数控高精度死区时间产生电路和低侧数控延时电路内部的延迟电路采用数字控制延时电路，栅压钳位电路具有第一PMOS晶体管M1L、第二PMOS晶体管M2L、NMOS晶体管M3L、比较器、钳位反相器和2输入或门。