公开(公告)号：CN102339775A

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN201110285677.0

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/316 ,  B08B3/08

CPC classification number: H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种砷化镓表面自体氧化物清洗、纯化及淀积Al2O3介质的方法。该方法包括：使用新型的硫钝化剂，与砷化镓表面的自体氧化物发生反应而清洗，并生成硫化物钝化膜使砷化镓和外界隔绝，从而防止了砷化镓的再次氧化；利用ALD淀积Al2O3的反应源三甲基铝与砷化镓表面进行的预处理反应，进一步清洗GaAs表面的残留自体氧化物和硫化物等，然后采用ALD淀积高质量Al2O3介质作为栅介质，Al2O3介质层将GaAs和外界环境很好地隔离开来。本发明工艺简单，效果良好，为进一步制备GaAs的器件提供了前提条件。

公开(公告)号：CN102332425A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110285221.4

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  陈琳 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823871 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76867 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体涉及一种用于32纳米及以下工艺中提升铜互连线的抗电迁移特性的方法。在铜互连线上采用自对准工艺制备CuSi3、CuGe、CuSiN等覆盖层，加上新型阻挡层材料的使用，可以大大提高铜互连线的抗电迁移特性并且保持铜互连线的高导电性能，为32纳米及以下工艺节点中提供了理想的互连结构工艺解决方案。

公开(公告)号：CN103617949A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201310416064.5

申请日：2013-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02315 ,  H01L21/28158

Abstract: 本发明属于半导体集成电路工艺技术领域，具体涉及一种利用NF3抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层生长的方法。本发明在淀积高k栅介质层前先用NF3等离子体对硅衬底进行预处理，能够有效地防止氧气在硅衬底中的扩散，从而抑制高k栅介质层和硅衬底之间界面层的生长，降低高k栅介质层的等效氧化层厚度，使得器件的击穿特性等性能得到改善。另外，氮原子对高k栅介质层中的缺陷以及高k栅介质层和硅衬底的界面陷阱还有很好的钝化作用，这使得器件的电特性等方面的性能也得到了改善。

公开(公告)号：CN103579100A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310503143.X

申请日：2013-10-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  杨雯 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  C23C14/24

CPC classification number: H01L21/76877 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种在扩散阻挡层上制备超薄铜籽晶层的方法及其应用。本发明采用原子层沉积方式制备超薄铜籽晶层，包括如下步骤：将双（六氟乙酰丙酮）合铜吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标准毫升毎分钟；再将二乙基锌吸附在扩散阻挡层上，气流量为100-500标准毫升毎分钟。其优点在于采用ALD方法来生长铜籽晶层，在较低的工艺温度下，每个生长周期只形成约为0.03～1nm左右厚度的薄膜，可以有效地控制铜籽晶层的厚度，具有良好的沟槽填充性能，提电镀铜与铜籽晶层的粘附特性，并保持其在集成电路铜互连应用中的可靠性，为22nm以下工艺技术节点提供了一种理想的互连工艺技术解决方案。

公开(公告)号：CN103151302A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310059371.2

申请日：2013-02-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明属于集成电路工艺领域，具体涉及一种利用含氮的等离子体制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的方法。由于α-Ta更容易生长于氮含量丰富的氮化钽层之上，通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理，可以显著得提升氮化钽层中的氮含量，从而可以在氮化钽层较薄的情况下生长得到低电阻率的α-Ta，以达到制备低阻钽和氮化钽双层阻挡层的目的。相比于传统的通过调整氮化钽生长过程中的工艺参数来调整氮化钽层中的氮含量，本发明所提出的通过用含氮的等离子体对氮化钽层进行处理来提升氮化钽层中的氮含量的整个过程更易操作也更容易控制。

公开(公告)号：CN103337469B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201310235743.2

申请日：2013-06-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  杨雯 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积的沟槽；转移到原位沉积腔后顺次通入五（二甲胺基）钽和含氮等离子体进行氮化钽扩散阻挡层的沉积；原位顺次通入二（六氟乙酰丙酮）化铜和二乙基锌进行铜籽晶层的沉积；取出硅片进行电化学沉积铜；化学机械抛光去除多余的铜。

公开(公告)号：CN103337469A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310235743.2

申请日：2013-06-15

Applicant: 复旦大学

Inventor： 卢红亮 ,  耿阳 ,  杨雯 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种原位沉积阻挡层和籽晶层的系统和方法。本发明提出的原位沉积系统包括沉积系统，进气、排气系统，管路控制系统，等离子体发生系统等。本发明所提出的采用原位沉积的铜互连流程包括：刻蚀出需要沉积的沟槽；转移到原位沉积腔后顺次通入五（二甲胺基）钽和含氮等离子体进行氮化钽扩散阻挡层的沉积；原位顺次通入二（六氟乙酰丙酮）化铜和二乙基锌进行铜籽晶层的沉积；取出硅片进行电化学沉积铜；化学机械抛光去除多余的铜。

公开(公告)号：CN103137706A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201310063841.2

申请日：2013-02-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  郑珊 ,  王鹏飞 ,  杨雯 ,  张卫 ,  周鹏

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件结构领域，具体涉及一种基于应变硅技术的深耗尽沟道晶体管及其制备方法。应变硅技术是通过利用硅和锗之间4.2%的晶格差异来发挥作用，能大幅提高空穴和电子迁移率，并增强跨导和驱动电流，可以提高整个硅基CMOS集成电路的速度和集成度，以满足高速、高性能电路的要求。深耗尽沟道能够有效减小随机杂质波动（RDF），从而能够有效降低阈值电压波动、工作电压和功耗。本发明通过引入应变硅技术和深耗尽沟道，能够有效降低阈值电压波动、工作电压和功耗并大大提高整个晶体管的速度和集成度。

公开(公告)号：CN102332430A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110285132.X

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  房润辰 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1616

Abstract: 本发明属于低温原子层淀积技术领域，具体为一种柔性透明1T1R存储单元的制造方法。本发明通过全低温工艺在柔性衬底上生长全透明的1T1R存储单元，包括透明的氧化层介质、透明电极和透明衬底，这些透明层通过低温工艺淀积到一起，实现了一个全透明的器件，其同样能够实现非透明器件的功能。本发明可在未来柔性低温存储单元制造中得到应用，并且改变目前器件的封装和存在方式，使得可折叠和可弯曲式便携式存储单元成为可能。

公开(公告)号：CN102332426A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110285348.6

申请日：2011-09-23

Applicant: 复旦大学

Inventor： 孙清清 ,  陈琳 ,  杨雯 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45534 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种铜的扩散阻挡层的制备方法。本发明选用合适的反应前躯体，采用原子层沉积技术在TaN层上生长Co或者Ru，可以得到用于32nm或以下工艺节点中的互连中的扩散阻挡层，克服PVD淀积Ta/TaN双层结构作为铜的扩散阻挡层在台阶覆盖和保形性上的不足，有效解决Cu/low-k双镶嵌工艺中所面临的沟槽和通孔中空洞的产生以及电迁移稳定性的严重问题。