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公开(公告)号：CN110970506B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN201910931780.4
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括第一晶体管，形成在半导体装置的第一区。第一晶体管包括第一通道结构，在第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸。第一晶体管包括第二通道结构，在半导体装置的基板上方的垂直方向，第二通道结构堆叠在第一通道结构上。第一晶体管还包括第一栅极结构，以位于第一通道结构与第二通道结构之间的第一金属盖，绕着第一通道结构与第二通道结构。第一金属盖的功函数异于第一栅极结构的其他部分的功函数。
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公开(公告)号：CN109216428B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201711344639.1
申请日：2017-12-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/04 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的 晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在第二区域内，并且定向为第一方向，其中，第二鳍式有源区域具有沿着第一方向的 晶体方向。本发明还提供了半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN115312515A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210586233.9
申请日：2022-05-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L23/538 , H01L21/8238
Abstract: 公开了包括背侧电容器的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括第一晶体管结构；位于第一晶体管结构的前侧上的前侧互连结构，前侧互连结构包括前侧导线；位于第一晶体管结构的背侧上的背侧互连结构，背侧互连结构包括背侧导线，背侧导线具有大于前侧导线的线宽度的线宽度；以及耦合至背侧互连结构的第一电容器结构。
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公开(公告)号：CN115084019A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210137928.9
申请日：2022-02-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及背面源极/漏极接触件及其形成方法。一种半导体器件包括：器件层，该器件层包括：沟道区域；栅极堆叠，位于沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁之上并且沿着沟道区域和第一绝缘鳍的侧壁；以及外延源极/漏极区域，与沟道区域相邻，其中，外延源极/漏极区域延伸穿过第一绝缘鳍。该半导体器件还包括：正面互连结构，位于器件层的第一侧上；以及背面互连结构，位于器件层的第二侧上，该器件层的第二侧与器件层的第一侧相对。背面互连结构包括与外延源极/漏极区域电连接的背面源极/漏极接触件。
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公开(公告)号：CN109309125B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201810376848.2
申请日：2018-04-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 本文中提供了具有栅极堆叠件的集成电路和用于形成所述集成电路的方法的实例。在一些实例中，一种方法包括接收工件，所述工件包括：设置在沟道区上方的侧壁间隔件对、设置在沟道区上并且沿着所述侧壁间隔件对中的第一间隔件的垂直表面延伸的栅极电介质、以及设置在高k栅极电介质上并且沿着垂直表面延伸的覆盖层。在覆盖层和高k栅极电介质上形成成形部件。去除设置在成形部件和第一间隔件之间的高k栅极电介质的第一部分和覆盖层的第一部分，以留下沿着垂直表面延伸的高k栅极电介质的第二部分和覆盖层的第二部分。
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公开(公告)号：CN113594250A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110733568.4
申请日：2021-06-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L27/112
Abstract: 本公开乃针对一种晶体管结构和一些方法，用于在共同基板上形成高电压纳米片晶体管及低电压环绕式栅极晶体管。此方法包括在基板上形成鳍式结构，具有第一纳米片层及第二纳米片层。此方法亦包括在鳍式结构上形成栅极结构，具有第一电介质及第一栅极电极，以及移除鳍式结构中未被栅极结构覆盖的部分。此方法还包括部分蚀刻第一纳米片层的暴露表面，以在鳍式结构的第一纳米片层形成凹入部分，并在凹入部分形成间隔物结构。此外，此方法包括将第一栅极电极置换为第二电介质及第二栅极电极，以及形成外延结构，邻接鳍式结构。
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公开(公告)号：CN113594158A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110465251.7
申请日：2021-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本文公开了用于多栅极器件的自对准栅极切割技术，其提供了具有不对称金属栅极轮廓和不对称源极/漏极部件轮廓的多栅极器件。示例性多栅极器件具有沟道层、包裹沟道层的部分的金属栅极和设置在衬底上方的源极/漏极部件。沟道层沿第一方向在源极/漏极部件之间延伸。第一介电鳍和第二介电鳍设置在衬底上方并且配置不同。沟道层沿第二方向在第一介电鳍和第二介电鳍之间延伸。金属栅极设置在沟道层和第二介电鳍之间。在一些实施例中，第一介电鳍设置在第一隔离部件上，并且第二介电鳍设置在第二隔离部件上。第一隔离部件和第二隔离部件配置不同。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113571518A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110185540.1
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体层、栅极结构、源极/漏极外延结构、后侧介电盖和内部间隔件。该栅极结构包围半导体层。源极/漏极外延结构与该栅极结构相邻，并电连接到半导体层。后侧介电盖位于该栅极结构下方并与该栅极结构直接接触。内部间隔件与栅极结构和后侧介电盖直接接触。
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公开(公告)号：CN113140546A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110283495.3
申请日：2021-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L27/088 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 公开了在半导体器件的源极/漏极区和栅极结构上执行背侧蚀刻工艺的方法以及通过该方法形成的半导体器件。在实施例中，半导体器件包含：第一晶体管结构；在第一晶体管结构的前侧上的第一互连结构；以及在第一晶体管结构的背侧上的第二互连结构，该第二互连结构包含：在第一晶体管结构的背侧上的第一介电层；延伸穿过第一介电层至第一晶体管结构的源极/漏极区的接触件；以及在接触件与第一介电层之间沿接触件侧壁的第一间隔件，面对第一介电层的该第一间隔件的侧壁与第一晶体管结构的源极/漏极区的侧壁对准。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN113054020A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011635510.8
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本申请的实施例公开了一种具有空气间隔件和空气封盖的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括衬底和在该衬底上设置的鳍结构。鳍结构包括第一鳍部分和第二鳍部分。该半导体器件还包括在该第一鳍部分上设置的源极/漏极(S/D)区域、在该S/D区域上设置的接触结构、在该第二鳍部分上设置的栅极结构、在该栅极结构的侧壁和接触结构之间设置的空气间隔件、在该栅极结构上设置的封盖密封件、以及在该栅极结构的顶面和封盖密封件之间设置的空气封盖。
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