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公开(公告)号：CN113571518B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202110185540.1
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体层、栅极结构、源极/漏极外延结构、后侧介电盖和内部间隔件。该栅极结构包围半导体层。源极/漏极外延结构与该栅极结构相邻，并电连接到半导体层。后侧介电盖位于该栅极结构下方并与该栅极结构直接接触。内部间隔件与栅极结构和后侧介电盖直接接触。
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公开(公告)号：CN113571518A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110185540.1
申请日：2021-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明的实施例公开了一种半导体器件及其形成方法。该半导体器件包括半导体层、栅极结构、源极/漏极外延结构、后侧介电盖和内部间隔件。该栅极结构包围半导体层。源极/漏极外延结构与该栅极结构相邻，并电连接到半导体层。后侧介电盖位于该栅极结构下方并与该栅极结构直接接触。内部间隔件与栅极结构和后侧介电盖直接接触。
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公开(公告)号：CN113113491B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202110034361.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 根据本发明实施例的半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括多个第一沟道构件和环绕多个第一沟道构件中的每一个的第一栅极结构。第二晶体管包括多个第二沟道构件和设置在多个第二沟道构件上方的第二栅极结构。多个第一沟道构件中的每一个具有第一宽度和小于第一宽度的第一高度。多个第二沟道构件中的每一个具有第二宽度和大于第二宽度的第二高度。本申请的实施例还提供一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN114725095A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210118439.9
申请日：2022-02-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L21/8256
Abstract: 本公开涉及具有非对称衬底接触件的2D沟道晶体管结构。提供了半导体器件及其形成方法。一种方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方淀积二维(2D)材料层；形成与半导体结构和2D材料层电连接的源极特征和漏极特征，其中源极特征和漏极特征包括半导体材料；并且在二维材料层上方形成栅极结构，该栅极结构介于源极特征和漏极特征之间。栅极结构、源极特征、漏极特征、半导体结构和2D材料层被配置为形成场效应晶体管。半导体结构和2D材料层分别充当源极特征和漏极特征之间的第一沟道和第二沟道。
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公开(公告)号：CN113078153A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110060401.6
申请日：2021-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 根据本发明的半导体器件包括第一源极/漏极外延部件和第二源极/漏极外延部件，其各自具有外部衬垫层和内部填充层；多个沟道构件，其沿第一方向在第一源极/漏极外延部件与第二源极/漏极外延部件之间延伸；以及栅极结构，设置在多个沟道构件上方和周围。多个沟道构件与外部衬垫层接触并且与内部填充层间隔开。外部衬垫包括锗和硼，并且内部填充层包括锗和镓。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112018178A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201911061790.3
申请日：2019-11-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 多栅极半导体器件及其形成方法包括在栅极和邻近的源极/漏极部件之间形成气隙。包括多个硅层的第一鳍元件设置在衬底上，第一栅极结构形成在第一鳍元件的沟道区上方。形成气隙，使得气隙设置在第一栅极结构的部分的侧壁上。外延源极/漏极部件邻接气隙。第一栅极结构的部分也可以设置在多个硅层的第一层和第二层之间。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法、多栅极半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113314521B
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202011292879.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 根据本发明的半导体器件包括：第一多个全环栅(GAA)器件，位于第一器件区中；和第二多个GAA器件，位于第二器件区中。第一多个GAA器件中的每个包括：沟道构件的第一垂直堆叠件，沿着第一方向延伸；以及第一栅极结构，位于沟道构件的第一垂直堆叠件上方和周围。第二多个GAA器件中的每个包括：沟道构件的第二垂直堆叠件，沿着第二方向延伸；以及第二栅极结构，位于沟道构件的第二垂直堆叠件上方和周围。第一多个GAA器件中的每个包括第一沟道长度，并且第二多个GAA器件中的每个包括小于第一沟道长度的第二沟道长度。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN113380710A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110598001.0
申请日：2021-05-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8238 , H01L27/088 , H01L27/092
Abstract: 方法包括提供具有前侧和背侧的结构，结构包括衬底、位于衬底上方并且连接第一源极/漏极(S/D)部件和第二S/D部件的两个或多个半导体沟道层以及接合半导体沟道层的栅极结构，其中，衬底位于结构的背侧处，并且栅极结构位于结构的前侧处；使第一S/D部件凹进，从而暴露半导体沟道层中的一个的终端；以及在第一S/D部件上沉积覆盖半导体沟道层中的一个的暴露的终端的介电层。本申请的实施例还涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN113113491A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110034361.8
申请日：2021-01-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 根据本发明实施例的半导体器件包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括多个第一沟道构件和环绕多个第一沟道构件中的每一个的第一栅极结构。第二晶体管包括多个第二沟道构件和设置在多个第二沟道构件上方的第二栅极结构。多个第一沟道构件中的每一个具有第一宽度和小于第一宽度的第一高度。多个第二沟道构件中的每一个具有第二宽度和大于第二宽度的第二高度。本申请的实施例还提供一种形成半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN113053887A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011261991.0
申请日：2020-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了一种半导体结构的实施例。半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；栅极堆叠件，形成在衬底的前侧上，并且设置在衬底的有源区上；第一源极/漏极部件，形成在有源区上并且设置在栅极堆叠件的边缘处；背侧电源轨，形成在衬底的背侧上；背侧接触部件，插入在背侧电源轨和第一源极/漏极部件之间，并且将背侧电源轨电连接到第一源极/漏极部件。背侧接触部件还包括设置在衬底的背侧上的第一硅化物层。本发明的实施例还涉及形成集成电路结构的方法。
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