公开(公告)号：CN107039278B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201611021412.9

申请日：2016-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林群雄 ,  吴忠政 ,  卡洛斯·H·迪亚兹 ,  王志豪 ,  谢文兴 ,  许义明

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括形成从衬底延伸的鳍。鳍具有源极/漏极(S/D)区和沟道区。鳍包括第一半导体层和第一半导体层上的第二半导体层。第一半导体层具有第一组分，且第二半导体层具有不同于第一组分的第二组分。该方法还包括从鳍的S/D区去除第一半导体层，从而使得第二半导体层的在S/D区中的第一部分悬置在间隔中。该方法还包括在S/D区中外延生长第三半导体层，第三半导体层围绕在第二半导体层的第一部分周围。本发明的实施例还提供了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN111092078A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911010895.6

申请日：2019-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  苏焕杰 ,  林志昌 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 此处提供具有鳍状场效晶体管装置的集成电路装置与形成集成电路装置的方法。在一些例子中，集成电路装置包括基板；鳍状物，自基板延伸；栅极，位于鳍状物的第一侧上；以及栅极间隔物，沿着栅极的侧部。栅极间隔物具有沿着栅极延伸且具有第一宽度的第一部分，以及延伸于栅极上且具有第二宽度的第二部分，而第二宽度大于第一宽度。在这些例子中，栅极间隔物的第二部分包括位于栅极上的栅极间隔物层。

公开(公告)号：CN111081706A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201911008242.4

申请日：2019-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  朱熙甯 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体装置，包括第一装置鳍状物与第二装置鳍状物。第一源极/漏极构件外延成长于第一装置鳍状物上。第二源极/漏极构件外延成长于第二装置鳍状物上。第一虚置鳍状结构位于第一装置鳍状物与第二装置鳍状物之间。栅极结构部分包覆第一装置鳍状物、第二装置鳍状物、与第一虚置鳍状结构。第一虚置鳍状结构的第一部分位于第一源极/漏极构件与第二源极/漏极构件之间并位于栅极结构之外。第一虚置鳍状结构的第二部分位于栅极结构之下。第一虚置鳍状结构的第一部分与第二部分具有不同的物理特性。

公开(公告)号：CN110970506A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910931780.4

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  朱熙甯 ,  蔡庆威 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括第一晶体管，形成在半导体装置的第一区。第一晶体管包括第一通道结构，在第一晶体管的源极端与漏极端之间延伸。第一晶体管包括第二通道结构，在半导体装置的基板上方的垂直方向，第二通道结构堆叠在第一通道结构上。第一晶体管还包括第一栅极结构，以位于第一通道结构与第二通道结构之间的第一金属盖，绕着第一通道结构与第二通道结构。第一金属盖的功函数异于第一栅极结构的其他部分的功函数。

公开(公告)号：CN110970503A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910892234.4

申请日：2019-09-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江国诚 ,  朱熙甯 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在一例中，半导体装置包括基板；第一细长鳍状结构，位于基板上；与第二细长鳍状结构，位于基板上。第一细长鳍状结构的纵轴对准第二细长鳍状结构的纵轴。装置还包括虚置结构，其延伸于第一细长鳍状结构与第二细长鳍状结构之间。虚置结构包括介电材料。

公开(公告)号：CN110970429A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910932072.2

申请日：2019-09-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐继兴 ,  杨世海 ,  蔡庆威 ,  程冠伦 ,  王志豪 ,  曹敏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 第一鳍片结构被设置于基板上。第一鳍片结构包含一半导体材料。栅极介电层被设置于第一鳍片结构的上部及侧表面上。栅极电极层被形成于栅极介电层上。第二鳍片结构被设置于基板上。第二鳍片结构与第一鳍片结构物理性地分隔，并包含一铁电材料。第二鳍片结构电性耦接至栅极电极层。

公开(公告)号：CN110970307A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910922323.9

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨世海 ,  徐志安 ,  李凯璿 ,  程冠伦 ,  王志豪

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 半导体装置的形成方法包括：提供基板；形成多个芯图案于基板上；形成多个牺牲图案于芯图案之间的多个开口中；移除芯图案；形成介电层于牺牲图案之间的多个开口中；移除牺牲图案，以得多个沟槽；以及形成栅极堆叠于沟槽的每一者中。

公开(公告)号：CN110943079A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201910429880.7

申请日：2019-05-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 游家权 ,  张家豪 ,  林佑明 ,  王志豪

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体元件。半导体元件包括在基板上方形成的栅极结构。间隔层在栅极结构的侧部分上形成。第一介电层在栅极结构上方形成。导电覆盖层穿过第一介电层并且在栅极结构上方形成。导电覆盖层的顶表面在间隔层的顶表面之上。半导体元件进一步包括在导电覆盖层上方形成的导电层。导电层与导电覆盖层电耦接。

公开(公告)号：CN110660854A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910126403.3

申请日：2019-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林志昌 ,  吴伟豪 ,  余佳霓 ,  苏焕杰 ,  徐廷鋐 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括在半导体元件上方形成遮罩层，其中半导体元件包含：栅极结构；第一层，设置于栅极结构上方；以及层间介电质，设置于第一层的侧壁上，且其中遮罩层定义开口暴露出第一层的一部分和层间介电质的一部分；进行第一蚀刻工艺，以通过开口蚀刻第一层的一部分和层间介电质的一部分；在进行第一蚀刻工艺之后，在开口中形成一衬垫层；在形成衬垫层之后，进行第二蚀刻工艺，其中第二蚀刻工艺使开口向下延伸而穿过第一层和穿过栅极结构；以及在进行第二蚀刻工艺之后，以第二层填充开口。

公开(公告)号：CN105609543B

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201510796896.3

申请日：2015-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡洛斯·H·迪亚兹 ,  吴忠政 ,  张家豪 ,  王志豪 ,  让-皮埃尔·科林格 ,  林群雄 ,  连万益 ,  梁英强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了一种半导体器件及其形成方法。半导体器件包括：衬底，第一和第二源极/漏极(S/D)区，第一和第二S/D区之间的沟道，接合沟道的栅极，和连接到第一S/D区的接触部件。接触部件包括第一和第二接触层。第一接触层具有共形截面轮廓并在其至少两个侧面上与第一S/D区接触。在实施例中，第一接触层与第一S/D区的三个或四个侧面直接接触，以增大接触面积。第一接触层包括半导体‑金属合金、III‑V族半导体和锗中的一种。本发明实施例涉及用于高度缩放的晶体管的接触件。