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公开(公告)号：CN108879294A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810811169.3
申请日：2018-07-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种基于直调半导体激光器自反馈单周期振荡的光电振荡器，属于光电振荡器技术领域。该光电振荡器包括：半导体激光器，第一光耦合器，光反馈环路和光电振荡环路；光反馈环路包括：第二光耦合器，可调光衰减器，偏振控制器；光电振荡环路包括：光电探测器，微波放大器，微波功分器；其中，所述的半导体激光器工作在单周期振荡状态，振荡频率为光电振荡器工作频率。本发明采用光反馈注入方式，使半导体激光器工作在单周期振荡状态，显著提升了工作稳定性和调制效率，且起振条件降低。
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公开(公告)号：CN108231652A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711477940.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种用于薄片材料解离和转移的装置，其包括：清洗凹槽、拖铲，粘有薄片材料的器件位于清洗凹槽的正上方；拖铲用于移取薄片材料；其中，拖铲包括：拖铲手柄、插棍，插棍用于移取时托住薄片材料。本发明可以大大降低薄片材料在解离和转移时受到的应力作用，极大地降低碎片率；本发明设计简单、制备成本低、操作方便、可视具体情况优化并灵活改进。
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公开(公告)号：CN104953468A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410130717.8
申请日：2014-03-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种四段式放大反馈混沌光发射激光器结构，包括：一衬底；一n-InP缓冲层制作在衬底上；一InGaAsP下限制层制作在n-InP缓冲层上；一多量子阱增益层制作在InGaAsP下限制层上；一InGaAsP上限制层制作在多量子阱有源层上；一p-InP盖层制作于InGaAsP上限制层上方，其上有一凸起的脊形；一p-InGaAs接触层制作于p-InP盖层的上方；一TiAu金属电极制作于p-InGaAs接触层的上方；一AuGeNi金属电极制作于衬底的下方，形成四段式放大反馈混动光发射激光器结构；该四段式放大反馈混动光发射激光器结构分为激光器区、相区、放大反馈区和透明区。本发明具有可单片集成、结构紧凑、稳定性好、制作工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN104377544A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410709708.4
申请日：2014-11-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种基于放大反馈实现直调带宽扩展的单片集成激光器芯片，包括：一下限制层；一有源层，其制作在下限制层上；一上限制层，其制作在有源层上；一波导层，为条状，其纵向制作在上限制层上面的中间；一P+电极层，其是用隔离沟将其分为三段，其制作在波导层上；一N+电极层，其制作在下限制层的背面；其中分为三段的P+电极层分别对应为DFB激光器区、无源相位调节区和有源放大反馈区，该DFB激光器区对应的上限制层部分制作有分布反馈Bragg光栅层；该无源相位调节区对应的有源层与DFB激光器区和有源放大反馈区对应的有源层的增益峰存在90nm蓝移。本发明可以突破普通激光器芯片的直调带宽限制，用一种巧妙、有效且成本低的方法实现激光器直调带宽的扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102684071B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210155449.6
申请日：2012-05-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可实现模式间距为100GHz的双模激射半导体激光器，包括：一衬底；一n-InP缓冲层；一InGaAsP下限制层；一多量子阱有源层；一InGaAsP上限制层，其表面形成有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构制作于光栅区；一p-InP层；一p-InGaAsP刻蚀阻止层；一上p-InP盖层；一p-InGaAs欧姆接触层，在该p-InGaAs欧姆接触层上形成有隔离沟，该隔离沟将该p-InGaAs欧姆接触层分为四段；以及分别形成在四段p-InGaAs欧姆接触层上的金属电极层；其中，该p-InGaAs欧姆接触层分成的四段分别对应于该双模激射半导体激光器的的四段结构：前增益区、相区、光栅区和后放大区。
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公开(公告)号：CN102023455B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200910093299.9
申请日：2009-09-16
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: G02F3/00
Abstract: 一种基于n-InP的单片集成的光逻辑门，包括：一基片；一n型稀释波导层制作于基片之上；一下限制层、多量子阱层、上限制层、盖层和接触层依次制作于n型稀释波导层之上，形成电吸收调制器结构；一N型宽禁带层、P型窄禁带吸收层、P型重掺杂的InP电子阻挡层和P型重掺杂InGaAs接触层，依次制作于n型稀释波导层之上，形成单行载流子探测器的结构；一n型金属电极层制作于n型释波导层之上；一氮化硅或氧化硅绝缘覆盖层制作于n型金属电极层之上，并将电吸收调制器结构和单行载流子探测器结构的侧面及其周围覆盖；一聚合物包层制作于氮化硅或氧化硅绝缘覆盖层之上；一薄膜电阻制作于聚合物包层之上；一P型微带线状金属电极和P型电极板制作于聚合物包层之上，并通过薄膜电阻连接。
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公开(公告)号：CN102082392A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010611558.5
申请日：2010-12-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种可调谐激光器与光放大器的单片集成器件及其制作方法。该单片集成器件包括五段，依次为光放大器区(19)、与光放大器区相邻的前取样光栅区(20)、与前取样光栅区相邻的增益区(21)、与增益区相邻的相区(22)，以及与相区相邻的后取样光栅区(23)。本发明将取样光栅光栅分布布拉格反射激光器同半导体光放大器进行单片集成，有效的减小了器件尺寸，减小了功耗，提高了激光器功率并平衡各波长出光功率。
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公开(公告)号：CN101621179B
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200810116039.4
申请日：2008-07-02
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器及其与半导体光放大器集成的制作方法，包括：在n型InP衬底上分别外延InP缓冲层和介质膜；在介质膜上刻出条形凹槽，并依次生长InGaAsP下限制层、InGaAsP/InGaAsP多量子阱、InGaAsP上限制层和InP光栅制作保护层；去除介质膜；刻出多条取样光栅窗口；制作取样光栅；腐蚀保护层；依次生长p-InP层、p-InGaAsP刻蚀阻止层、p-InP层和p+-InGaAs层；形成脊形波导；刻蚀形成电隔离沟；在p-InGaAsP刻蚀阻止层上进行He离子注入；在上述步骤制作的器件结构的上表面和脊形波导的侧面淀积介质绝缘层；在器件的上表面溅射p电极；将衬底减薄，并蒸发n电极，解理管芯，完成器件的制作。
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公开(公告)号：CN101540358A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102201.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发明，由于采用能带结构空间变化的半导体材料作为增益介质，超辐射发光二极管辐射光具有内在的非相关性，所以在较大的输出功率下，仍然可以保持较宽光谱输出。
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