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公开(公告)号：CN113381294B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202110639802.7
申请日：2021-06-08
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种单片集成边发射激光器及制备方法，其单片集成边发射激光器包括：衬底；多层结构，为由多对半导体材料层生长于所述衬底上的周期或准周期结构，每对所述半导体材料层沿垂直于所述衬底的方向依次包括低折射率材料层和第一高折射率材料层，每层所述半导体材料层的厚度不小于λ/5n，其中，λ为所述单片集成边发射激光器的工作波长，n为每层所述半导体材料层的折射率；第二高折射率材料层，形成于所述多层结构中最后生长的低折射率材料层上，所述第二高折射率材料层的折射率高于第一高折射率材料层和低折射率材料层；有源层，位于所述第二高折射率材料层中，所述有源层的厚度小于第二高折射率材料层的厚度。
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公开(公告)号：CN101540358A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200810102201.7
申请日：2008-03-19
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：衬底，以及位于所述衬底上的增益介质，该增益介质采用能带结构空间变化的半导体材料形成。本发明同时公开了一种制作宽光谱大功率的半导体超辐射发光二极管的方法。利用本发明，由于采用能带结构空间变化的半导体材料作为增益介质，超辐射发光二极管辐射光具有内在的非相关性，所以在较大的输出功率下，仍然可以保持较宽光谱输出。
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公开(公告)号：CN1905297A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200510012265.4
申请日：2005-07-28
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种用于光时分复用系统的单片集成光发射器的制作方法，包括如下步骤：选择一磷化铟衬底；在磷化铟衬底上采用在一次选择区域外延生长法制作多量子阱有源区；在多量子阱有源区的上面，靠近有源区的一端的三分之一制作光栅；在多量子阱有源区和光栅上生长光限制层；在光限制层生长电接触层；在电接触层上制作P面电极；采用湿法化学腐蚀法在P面电极上纵向腐蚀出两条电隔离沟，该两条电隔离沟的中间为第一电吸收调制器、一侧为第二电吸收调制器、另一侧为分布反馈激光器；在整个管芯的底部蒸镀N面电极；在整个管芯的一端蒸镀抗反射膜，另一端蒸镀高反射膜，完成管芯的制作；将上述管芯烧结在一铜质热沉上，完成整个器件的制作。
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公开(公告)号：CN1747264A
公开(公告)日：2006-03-15
申请号：CN200410073859.1
申请日：2004-09-06
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法，包括：利用金属有机物化学气相淀积的方法在n型InP衬底上依次外延下限制层，多量子阱，上限制层，InP缓冲层；淀积介质膜；掩膜光刻制作注入保护图形，在增益区留下介质膜，其余区域腐蚀掉介质膜；进行P离子注入，然后腐蚀掉表面剩下的介质膜；在表面重新淀积介质膜；快速热退火；腐蚀掉介质膜7，InP缓冲层；在波导区制作光栅；刻蚀阻止层；制作脊型结构，形成波导；利用掩膜光刻，并进行光刻腐蚀，形成隔离沟，大面积淀积SiO2层，并进行He离子注入使隔离沟成为高阻区；在脊形条上开电极窗口，溅射P面电极，减薄后，背面蒸发N面电极；解理出单个波长可调谐分布布拉格反射激光器管芯。
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公开(公告)号：CN1601226A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN03160123.5
申请日：2003-09-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种光纤陀螺用单片集成波导型光收发芯片，其特征在于，该芯片是把超辐射发光二极管7、波导型探测器和3dB耦合器集成制作在同一InP基片上；其中超辐射发光二极管和波导型探测器通过3dB耦合器连接在一起并通过3dB耦合器的第三端发射和接收光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1527447A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN03106828.6
申请日：2003-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底1上外延多量子阱层结构；在多量子阱层上生长氮化硅介质膜；在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜；快速退火；掩膜光刻；用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓砷磷层；在磷化铟层上掩膜光刻，开出光栅窗口，保留有源区上的磷化铟层，腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层，然后大面积做均匀光栅；选择腐蚀磷化铟层，然后外延光栅盖层和电极接触层；光刻出单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；溅射P面电极和N面电极。
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公开(公告)号：CN113948966B
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202111207033.X
申请日：2021-10-15
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种面发射激光器及其制作方法，面发射激光器包括一悬浮型光栅，悬浮型光栅的制作方法包括：S1，在衬底上依次形成牺牲层和高折射率差亚波长光栅层，牺牲层所用材料为GaInP；S2，刻蚀高折射率差亚波长光栅层，得到光栅图形；S3，刻蚀所述光栅图形下方的牺牲层，得到用于支撑所述光栅图形的至少两个支撑柱，其中，根据所述光栅图形的形状采用相应的刻蚀时间。其采用GaInP作为牺牲层的组成材料，通过控制刻蚀时间和选择特定HCG图形的拓扑结构，在HCG区域四周支撑梁下面形成支撑柱，避免了HCG图形坍塌，简化了制作工艺，降低了制作成本，具有大规模生产的前景。
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公开(公告)号：CN112397998B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011275473.4
申请日：2020-11-13
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供了一种面发射激光器，其特征在于，包括：衬底；多层结构，设置在衬底上，其包括多个低折射率材料层、多个高折射率材料层及有源层，多个低折射率材料层及多个高折射率材料层交替生长形成周期性或准周期性的布拉格反射镜结构，有源层位于最后生长的一层低折射率材料层上；其中，周期性的布拉格反射镜结构中多个低折射率材料层及多个高折射率材料层的厚度分别相等，准周期性的布拉格反射镜结构中至少有一层材料层的厚度与其他同折射率材料层的厚度不等；光子晶体层，其设置在多层结构上。本公开还提供了一种面发射激光器的制备方法。
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公开(公告)号：CN100461472C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510056278.1
申请日：2005-04-04
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种宽光谱、大功率的半导体超辐射发光二极管，包括：一衬底片；一二氧化硅层，该二氧化硅层制作在衬底片上，在二氧化硅层上刻蚀出平行的宽度渐变的两个三角形二氧化硅图形；一缓冲层，该缓冲层制作在两个三角形二氧化硅图形之间；一下限制层，该下限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在缓冲层上；一多量子阱层，该多量子阱层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在下限制层上，形成能带结构空间变化的半导体多量子阱层结构；一上限制层，该上限制层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在多量子阱上；一包层，该包层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在上限制层上；一接触层，该接触层采用金属有机物化学气相沉淀方法淀积在包层上。
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公开(公告)号：CN1312812C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03106828.6
申请日：2003-03-03
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01S5/00
Abstract: 一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括以下步骤：在n型磷化铟衬底(1)上外延多量子阱层结构；在多量子阱层上生长氮化硅介质膜；在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜；快速退火；掩膜光刻；用选择腐蚀方法，去掉铟镓砷层，磷化铟层和铟镓砷磷层；在磷化铟层上掩膜光刻，开出光栅窗口，保留有源区上的磷化铟层，腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层，然后大面积做均匀光栅；选择腐蚀磷化铟层，然后外延光栅盖层，和电极接触层；光刻出单脊形条，掩膜光刻电隔离沟，淀积二氧化硅层，在隔离沟处采用离子注入，形成高隔离电阻区；溅射P面电极和N面电极。
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