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公开(公告)号：CN111082311B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN201911422971.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构，其中包括多列相邻设置的集成器件单元组，每列集成器件单元组包括多个集成器件单元，每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽，所述两个光器件通过脊型波导串联；每列集成器件单元组中的集成器件单元与相邻列交错设置，使得在横向，一列集成器件单元的脊型波导与相邻列集成器件单元的刻蚀凹槽相对，或一列集成器件单元的刻蚀凹槽与相邻列集成器件单元的脊型波导相对。所述整片制作结构摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了光子集成器件的整片镀膜和测试筛选，大大降低了光子集成器件的制作和测试成本；减少了集成器件单元的底面和端面反射光对在线测试数据的干扰。
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公开(公告)号：CN104917050B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201510270769.X
申请日：2015-05-25
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种二维光栅双波长DFB激光器的制作方法，包括步骤1：在衬底上依次外延生长缓冲层、下分别限制层、多量子阱和上分别限制层；步骤2：在上分别限制层上涂甩光刻胶；步骤3：调整全息曝光的干涉条纹周期，进行第一次全息曝光；步骤4：调整全息曝光的干涉条纹周期，在垂直上一次全息曝光的方向上，进行第二次全息曝光；步骤5：显影，并刻蚀出光栅形貌；步骤6：将一部分多量子阱和上分别限制层腐蚀掉；步骤7：在有源区的上分别限制层和无源区的下分别限制层上外延生长包层和接触层；步骤8：在有源区的接触层上刻蚀有源波导结构，在无源区的接触层上刻蚀无源波导结构；步骤9：在有源区的波导上做电极，将衬底减薄，制作背面电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103311807B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310230999.4
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种多波长激光器阵列芯片的制作方法，包括：步骤1：在衬底上依次生长缓冲层、下分别限制层及多量子阱层；步骤2：将一部分多量子阱层腐蚀掉，该腐蚀掉的部分为无源光合波器区，剩余的部分为有源区；步骤3：在保留的多量子阱层上制作介质掩膜对；步骤4：在无源光合波器区和有源区的上表面上外延生长上分别限制层；步骤5：去掉暴露的介质掩膜对，在有源区的上分别限制层上制作光栅；步骤6：在上分别限制层上外延包层及接触层；步骤7：在有源区的接触层上刻蚀有源波导，在无源光合波器区的接触层上刻蚀无源光合波器波导，刻蚀深度大于包层和接触层的厚度；步骤8：在有源波导波导上制作P电极；步骤9：将衬底减薄，在减薄后的衬底的背面并制作N电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103094832B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201310019746.2
申请日：2013-01-18
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种单片集成钛薄膜热电阻可调谐DFB激光器的制作方法，包括：选择一磷化铟衬底1；在该衬底1上依次外延生长缓冲层2、多量子阱有源区3；在多量子阱有源区3的表层采用全息曝光刻蚀制作均匀光栅4；在均匀光栅4上生长包层5和电接触层6；采用常规光刻、刻蚀工艺，在电接触层6上制作出脊波导结构7；在制作的脊波导结构7上生长一层钝化层8；采用常规光刻开出正面电极窗口后，在钝化层8上溅射钛、金金属薄膜；在金属薄膜上涂覆光刻胶，一次光刻出正面电极图形9和薄膜电阻压焊电极图形10以及薄膜电阻区11；二次光刻、选择腐蚀形成钛薄膜热电阻条11；磷化铟衬底1减薄后在衬底1的背面制作背面电极12，完成管芯制作。
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公开(公告)号：CN102820616B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210319231.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: H01S5/3407 , H01S5/12 , H01S5/2077 , H01S5/4087
Abstract: 一种利用选择区域外延技术制作分布反馈激光器阵列的方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上外延生长下分别限制层及量子阱层；步骤2：在量子阱层上制作选择区域外延介质掩膜图形；步骤3：选择区域外延生长上分别限制层，使不同的激光器单元具有不同厚度的上分别限制层；步骤4：去掉介质掩膜图形；步骤5：在上分别限制层上大面积制作光栅；步骤6：在光栅7上生长接触层，完成激光器阵列的制备。本发明在获得不同阵列单元不同发光波长的同时对量子阱材料的发光性能不产生影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103545715A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310503604.3
申请日：2013-10-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种激光器阵列与合波器单片集成芯片的制作方法，包括：在n型InP衬底上依次生长n型InP缓冲层，n型AlGaInAs包层，AlGaInAs多量子阱层，p型AlGaInAs包层，InP间隔层，InGaAsP光栅层和InP牺牲层，形成基片，该基片的一侧为有源区，另一侧为合波器区；在合波器区的InP牺牲层中注入P离子并快速热退火；去掉InP牺牲层，在有源区的InGaAsP光栅层中制作光栅；在有源区和合波器区的InGaAsP光栅层上生长p型InP包层及p型InGaAs接触层；采用干法刻蚀去除p型InGaAs接触层，p型InP包层，InGaAsP光栅层，InP间隔层，在有源区形成各激光器单元的脊型波导及合波器区形成合波器脊型波导；在有源区的脊型波导上制作p电极；减薄n型InP衬底，并在其背面制作n电极，完成制备。
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公开(公告)号：CN103532014A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310529374.8
申请日：2013-10-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯表面生长包层和电接触层材料；在反馈区、相位区及增益区的包层及电接触层上制作倒台浅脊波导结构，其波导侧壁为(111)A晶面；在电接触层上刻蚀电隔离沟，同时对隔离沟进行离子注入，在增益区和相区、相位区和反馈区之间实现电隔离。本发明在提高注入载流子浓度的同时保证反馈区具有较低的串联电阻，有利于增大器件波长调谐范围及提高波长调谐灵敏度。
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公开(公告)号：CN103208562A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310100049.X
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种制作发射极环绕型太阳电池的方法，包括：在基片上制作呈等边三角形阵列排布的通孔阵列；将基片在碱性溶液中进行各向异性腐蚀制作减反绒面；将基片在管式扩散炉内进行杂质扩散形成发射极；在基片正面和背面制作氮化硅或氧化硅形成正面减反介质薄膜和背面钝化介质薄膜；在基片背面的通孔阵列之间形成背面基区，并制作叉指基区电极；在基片背面发射区内制作叉指发射区电极，发射区电极材料填满通孔，连接所有通孔阵列；烧结形成基区电极、发射区电极与基片材料之间的欧姆接触。本发明采用等边三角形通孔阵列，改善了发射极环绕型太阳电池的通孔分布和电极排布的均匀性，提高了光生载流子的收集率，提高了太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102377109B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110356474.6
申请日：2011-11-11
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。
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公开(公告)号：CN102290481B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110256554.4
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/028 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制作在二氧化硅介质掩蔽层环形结构的内壁及覆盖部分环形结构表面的边缘，形成环状结构；一增透膜层，制作在正面接触电极的环状结构内，并覆盖p型参杂层的表面；一广谱吸收黑硅层，制作在n型硅基衬底层的背面；一介质钝化层，该介质钝化层为点状，形成在广谱吸收黑硅层的表面；一背面接触电极，制作在广谱吸收黑硅层的表面并覆盖点状的介质钝化层。
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