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公开(公告)号：CN109728391B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201811653921.2
申请日：2018-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01P3/10 , H01S5/02315
Abstract: 本公开提供了一种基于缺陷地结构共面波导的激光器，包括：介质层(1)；下表面镀金层(2)，设置在介质层(1)的下表面；上表面镀金层(3)包括两部分，中间设置为信号线(4)，两侧的地线上设置有缺陷，形成缺陷地结构(5)；激光器(6)，设置在信号线(4)的末端，激光器(6)的正极连接至缺陷地结构(5)。
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公开(公告)号：CN111082311A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911422971.4
申请日：2019-12-31
Applicant: 中国科学院半导体研究所
Abstract: 本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构，其中包括多列相邻设置的集成器件单元组，每列集成器件单元组包括多个集成器件单元，每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽，所述两个光器件通过脊型波导串联；每列集成器件单元组中的集成器件单元与相邻列交错设置，使得在横向，一列集成器件单元的脊型波导与相邻列集成器件单元的刻蚀凹槽相对，或一列集成器件单元的刻蚀凹槽与相邻列集成器件单元的脊型波导相对。所述整片制作结构摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤，实现了光子集成器件的整片镀膜和测试筛选，大大降低了光子集成器件的制作和测试成本；减少了集成器件单元的底面和端面反射光对在线测试数据的干扰。
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公开(公告)号：CN109346916A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811309972.3
申请日：2018-11-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所 , 中国科学院大学
IPC: H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种用于半导体光电子器件测试和透镜耦合的夹具，涉及光电子器件领域。该夹具包括：连接轴，一端与底座中心位置连接；PCB电路板基座，其中心位置与所述连接轴的另一端连接；PCB电路板，包括有四个角，且其四个角分别与所述PCB电路板基座固定连接；管壳基座，包括有四个角，且其四个角分别与所述PCB电路板的四个角固定连接；且所述管壳基座上表面设有管壳固定装置。本发明在较小的空间里可实现BOX管壳的固定和电路的连接，方便带电测试和透镜耦合。
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公开(公告)号：CN103762158B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410031337.9
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种利用激光微区等离子体诱导量子阱混和的方法，包括如下步骤：步骤A：在量子阱结构片上的量子阱层上沉积表面牺牲层；步骤B：激光通过具有送气功能的激光头，在表面牺牲层上聚焦，形成反应气的激光等离子体；步骤C：控制该激光等离子体轰击表面牺牲层，将部分表面牺牲层进行改性，形成改性区；步骤D：退火，通过热诱导作用将激光等离子体改性区的化学变性或结构缺陷传递到量子阱结构内，使量子阱层的阱／垒成分互混，实现量子阱结构的带隙波长蓝移。本发明可以很好地进行选区量子阱混和。
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公开(公告)号：CN101882636B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201010175445.5
申请日：2010-05-12
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/042 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/52 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种以掺杂广谱吸收层作为太阳能电池背光面的结构。该掺杂广谱吸收层，包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。本发明同时公开了一种制作背光面广谱吸收硅基太阳能电池结构的方法。本发明能有效提高硅基太阳能电池的光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231652A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711477940.X
申请日：2017-12-29
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种用于薄片材料解离和转移的装置，其包括：清洗凹槽、拖铲，粘有薄片材料的器件位于清洗凹槽的正上方；拖铲用于移取薄片材料；其中，拖铲包括：拖铲手柄、插棍，插棍用于移取时托住薄片材料。本发明可以大大降低薄片材料在解离和转移时受到的应力作用，极大地降低碎片率；本发明设计简单、制备成本低、操作方便、可视具体情况优化并灵活改进。
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公开(公告)号：CN103165755B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201310100046.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种制作金属环绕型太阳电池的方法，包括：在基片上制作呈等边三角形阵列排布的通孔阵列；将基片在碱性溶液中进行各向异性腐蚀制作减反绒面；将基片在管式扩散炉内进行杂质扩散形成发射极；在基片的正面和背面形成正面减反介质薄膜和背面钝化介质薄膜；在基片背面的通孔阵列之间形成基区，并制作叉指基区电极；在基片背面发射区内制作叉指发射区电极，发射区电极材料填满通孔，连接所有通孔阵列；在基片正面制作沿等边三角形边缘排布的细栅金属电极；烧结形成欧姆接触。本发明采用等边三角形通孔阵列，改善了太阳电池的通孔分布和电极排布的均匀性，提高了光生载流子的收集率，提高了太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103367519A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310280622.X
申请日：2013-07-05
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0288 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种响应度可调的硅光电探测器及其制作方法，该硅光电探测器包括：p型硅基衬底层；n型碲离子注入层，通过于该p型硅基衬底层表面进行碲离子注入而形成；碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层，通过于该n型碲离子注入层表面进行氧离子注入而形成；增透膜层，形成于该碲氧元素共掺杂的硅纳米岛层表面；正面接触电极和保护环接触电极，形成于该增透膜层表面；以及背面接触电极，形成于该p型硅基衬底层背面。本发明结合了硅中深能级和纳米岛结构能带调控功能，使硅光电探测器的响应度具有随反向偏压增大而增强并且响应波段向红外拓展的优异特性。
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公开(公告)号：CN103165755A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201310100046.6
申请日：2013-03-26
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种制作金属环绕型太阳电池的方法，包括：在基片上制作呈等边三角形阵列排布的通孔阵列；将基片在碱性溶液中进行各向异性腐蚀制作减反绒面；将基片在管式扩散炉内进行杂质扩散形成发射极；在基片的正面和背面形成正面减反介质薄膜和背面钝化介质薄膜；在基片背面的通孔阵列之间形成基区，并制作叉指基区电极；在基片背面发射区内制作叉指发射区电极，发射区电极材料填满通孔，连接所有通孔阵列；在基片正面制作沿等边三角形边缘排布的细栅金属电极；烧结形成欧姆接触。本发明采用等边三角形通孔阵列，改善了太阳电池的通孔分布和电极排布的均匀性，提高了光生载流子的收集率，提高了太阳电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102227005B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110155465.0
申请日：2011-06-10
Applicant: 中国科学院半导体研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法，包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层，在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散的方法，形成n型掺杂层，环形n型掺杂层形成PN结保护环，圆形n型掺杂层形成PN结光敏区；在硫系环境下，采用超快激光脉冲辐照n型硅靶材表面的方法，在圆形PN结光敏区的表面形成硅纳米点层；在硅纳米点层上面淀积一层增透膜层；光刻增透膜层，在增透膜层的表面形成环形电极窗口；在环形电极窗口上制备光敏区正面接触电极；在保护环上制备正面接触电极；在p型硅基衬底的背面制备背面接触电极，完成器件的制作。
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