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公开(公告)号：CN105794325A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480066582.1
申请日：2014-10-30
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H05H1/46 , H01J27/024 , H01J37/32082 , H01J37/32422
Abstract: 在一个实施例中，一种用于对基底进行图案化的系统包含：等离子体腔室；功率源，用于在所述等离子体腔室内产生等离子体；以及提取板系统，包括多个孔径且沿着所述等离子体腔室的一侧而设置。所述提取板系统经配置以接收相对于所述等离子体腔室而对所述提取板系统加偏压的提取电压，其中所述多个孔径经配置以从所述等离子体提取多个相应带电粒子子束。所述系统还包含：投影光学系统，用于将所述多个带电粒子子束中的至少一个引导到所述基底。
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公开(公告)号：CN105765692A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480063500.8
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/3171
Abstract: 离子束扫描器包含第一扫描平台，具有第一开口以传送离子束，第一扫描平台对应于第一振荡偏转信号以在第一开口内产生第一振荡偏转场；第二扫描平台，设置于第一扫描平台下游、并具有第二开口以传送离子束，第二扫描平台对应第二振荡偏转信号以在第二开口内产生方向与第一振荡偏转场相反的第二振荡偏转场；以及扫描控制器，当经扫描离子束离开定义共同聚焦点的第二平台时，使第一振荡偏转信号和第二振荡偏转信号同步以产生多个离子轨迹。
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公开(公告)号：CN103975450B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280059584.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 约翰·W·葛拉夫 , 班杰明·B·里欧登 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L21/266
CPC classification number: H01L31/0682 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示一种指叉式背接触太阳能电池及其制造指叉式背接触太阳能电池的改良方法。第一光罩是用n型掺杂物的图案化离子植入以完成背面场。第二光罩是用以在同一平面上产生p型发射体。第二光罩用以与n型植入对齐，并于多个取向以产生所需的p型发射体。在一些实施例中，进行p型参杂物全面性离子布植。在一些实施例中，产生掺杂梯度。
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公开(公告)号：CN105264633A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031930.1
申请日：2014-05-02
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 斯坦尼斯拉夫·S·托多罗夫 , 乔治·M·葛梅尔 , 理查·艾伦·斯普林克 , 诺曼·E·赫西 , 法兰克·辛克莱 , 常胜武 , 约瑟·C·欧尔森 , 大卫·罗杰·汀布莱克 , 库尔·T·岱可-路克
IPC: H01J37/304 , H01J37/317
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/48 , G21K5/00 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24535 , H01J2237/24542 , H01J2237/31703
Abstract: 一种控制离子植入机中的离子束的系统，包括检测系统与分析组件。检测系统用于检测在第一频率的离子束的多个束电流量测。分析组件用于判定基于多个束电流量测的离子束的变化，所述变化对应于在第二频率的离子束的束电流变化，所述第二频率不同于所述第一频率。所述系统也包括回应于分析组件的输出而调整离子束的调整组件以减少所述变化，其中当离子植入机中产生离子束时，所述分析组件与所述调整组件经设置以动态地将离子束的变化减少至低于阀值。
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公开(公告)号：CN104335319A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380029154.7
申请日：2013-04-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/15
CPC classification number: H01J37/3007 , H01J37/15 , H01J2237/083 , H01J2237/1502 , H01J2237/31701 , H01J37/317 , H01J37/3171
Abstract: 一种电极调整方法与装置被揭示以用于工件制程。组件可包括具有第一端及第二端(126，128)的电极组件(124)。第一及第二机械手(130，132)可被耦接至第一及第二端。机械手可被用以选择性地带动电极组件的第一和第二端部的移动以调整一或多个通过电极的离子束特性。第一及第二机械手可独立操纵使得电极的第一及第二端可彼此独立地被调整。使用本揭示装置的方法也被揭示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101189699B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200680019506.0
申请日：2006-06-07
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304
CPC classification number: H01L21/26586 , H01J37/304 , H01J37/3171 , H01J2237/24528 , H01J2237/30455 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703 , H01L29/66803 , H01L29/785
Abstract: 本发明揭露一种用于离子束角度处理控制的技术。在一特定例示性实施例中，技术可实现为一离子注入机系统中的离子束角度处理控制的方法。此方法可包括将多个离子束导向一基板表面处。方法可还包括判定一个或多个离子束撞击基板表面的离子束角度扩散，所述离子束角度扩散由撞击所述基板表面的每一所述离子束的入射角以及本征角度扩散所引起。此方法可更包括基于一所要的离子束扩散调整所述离子束角度扩散以产生所述所要的离子束扩散。
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公开(公告)号：CN101484967B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200780023921.8
申请日：2007-06-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/304 , H01J37/244 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0448 , G01J1/4257 , G01J2001/4261 , H01J37/244 , H01J2237/2446 , H01J2237/24507 , H01J2237/24542 , H01J2237/24578 , H01J2237/30472 , H01J2237/31703
Abstract: 一种束密度量测系统(140)，其包括遮罩(150)、束感测器(142，242)以及致动器(156)。束感测器在束(104，204)的行进方向上位于遮罩下游。束感测器经组态以感测该束的强度，且束感测器具有长维度以及短维度。致动器相对于束感测器而转译遮罩，其中随着相对于束感测器而转译遮罩，遮罩阻断来自束感测器的束的至少一部分，且其中与遮罩相对于束感测器的位置的改变相关联的强度的测得值表示该束在束感测器的长维度所界定的第一方向上的束密度分布。
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公开(公告)号：CN101088138B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200580044839.4
申请日：2005-11-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/12
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J2237/047 , H01J2237/12
Abstract: 一种在减速模式过程中离子注入机的加速-减速管(240)的强聚焦效应的弱化装置及方法。该装置包括一管透镜(250)，围绕离子束(104)，并与加速-减速管(240)的减速透镜(260)相邻。该管透镜使离子束(104)在管透镜(250)的入口处散焦，从而减少由管产生的离子散焦问题。本发明也包括一加速-减速管以及与管透镜成为一体的离子注入机。在管透镜(250)中后续还可添加另外的减速抑制电极(270)，将电子限制在管透镜内。
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公开(公告)号：CN101802964A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107478.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 皮尔·R·卢比克 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森 , 卡森·D·泰克雷特萨迪克
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J37/248 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/2001
Abstract: 本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。
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公开(公告)号：CN101410929B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200780010801.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/302 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/1477 , H01J37/302 , H01J2237/0041 , H01J2237/30488 , H01L21/265
Abstract: 一种具有可变扫描频率的离子植入机包括离子束产生器，其产生离子束；扫描器，其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描；及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率，所述操作参数至少部分取决于所述离子束的能量，若所述能量高于能量阀(threshold)值，则所述扫描频率高于扫描频率阀值，若所述能量低于所述能量阀值，则所述扫描频率低于所述扫描频率阀值。
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