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公开(公告)号：CN112352188A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201980042758.2
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
IPC: G02B27/44
Abstract: 公开了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括在衬底顶部提供蚀刻终止层；以及在所述蚀刻终止层顶部提供光栅层。所述方法还可包括在所述光栅层之上提供图案化掩模层；以及对所述光栅层及所述图案化掩模层进行蚀刻以在所述光栅层中形成光栅。所述光栅可包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置，并且其中所述蚀刻在所述多个成角构件之间的所述蚀刻终止层中形成过蚀刻区域。
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公开(公告)号：CN101410929A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780010801.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/302 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/1477 , H01J37/302 , H01J2237/0041 , H01J2237/30488 , H01L21/265
Abstract: 一种具有可变扫描频率的离子植入机包括离子束产生器，其产生离子束；扫描器，其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描；及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率，所述操作参数至少部分取决于所述离子束的能量，若所述能量高于能量阀(threshold)值，则所述扫描频率高于扫描频率阀值，若所述能量低于所述能量阀值，则所述扫描频率低于所述扫描频率阀值。
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公开(公告)号：CN111566520A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN201980007141.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
Abstract: 本文中的实施例提供用于形成光学组件的系统及方法。一种方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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公开(公告)号：CN101410929B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200780010801.4
申请日：2007-03-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/147 , H01J37/317 , H01J37/302 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/026 , H01J37/1477 , H01J37/302 , H01J2237/0041 , H01J2237/30488 , H01L21/265
Abstract: 一种具有可变扫描频率的离子植入机包括离子束产生器，其产生离子束；扫描器，其沿至少一方向以一扫描频率对所述离子束进行扫描；及控制器。所述控制器根据所述离子植入机的操作参数控制所述扫描频率，所述操作参数至少部分取决于所述离子束的能量，若所述能量高于能量阀(threshold)值，则所述扫描频率高于扫描频率阀值，若所述能量低于所述能量阀值，则所述扫描频率低于所述扫描频率阀值。
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公开(公告)号：CN115097559B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202210862953.3
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
IPC: G02B5/18
Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111566520B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201980007141.7
申请日：2019-01-03
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西 , 罗伯特·马斯
Abstract: 公开用于形成光学组件的系统及方法。更具体而言，公开产生成角光栅的系统及具可变光栅衍射光学元件形成方法。所述方法可包括在等离子体源与工件之间提供多个接近式掩模，所述工件包括多个与其固定的衬底。多个衬底中的每一者可包括第一目标区域以及第二目标区域。所述方法还可包括自所述等离子体源朝向所述工件递送成角离子束，其中然后在所述多个掩模中的一者处接收所述成角离子束。第一接近式掩模可包括第一组开口，所述第一组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第一目标区域。第二接近式掩模可包括第二组开口，所述第二组开口容许所述成角离子束由此穿过仅到达所述多个衬底中的每一者的所述第二目标区域。
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公开(公告)号：CN112400132A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980044880.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
Abstract: 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一侧壁可具有第一角度，且所述光栅的第二侧壁具有不同于所述第一角度的第二角度。改变包括选择性及束角度扩展在内的工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。
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公开(公告)号：CN105849924A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480070509.1
申请日：2014-11-14
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: C23C14/48 , C23C14/025 , C23C14/5806 , H01B12/02 , H01B13/0016 , H01B13/0036 , H01L39/143 , H01L39/2464
Abstract: 一种形成超导体带材的方法包含：将超导体层沉积在基板上；在所述超导体层的表面上形成包括第一金属的金属层；以及将合金物质植入到所述金属层中，其中所述第一金属在植入所述合金物质之后形成金属合金。
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公开(公告)号：CN111788684B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201880078139.4
申请日：2018-11-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H10B12/00
Abstract: 本公开提供一种存储器元件、制作半导体元件的方法及元件结构。存储器元件可包括至少部分地设置在第一水平中的有源元件区。存储器元件可包括至少部分地设置在高于第一水平的第二水平中的存储电容器，其中第一水平及第二水平平行于衬底平面。存储器元件还可包括接触通孔，接触通孔在存储电容器与有源元件区之间延伸，且相对于衬底平面的垂线界定非零度的倾斜角。
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公开(公告)号：CN112400132B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201980044880.3
申请日：2019-06-27
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 摩根·艾文斯 , 鲁格·迈尔提摩曼提森 , 约瑟·欧尔森 , 彼得·F·库鲁尼西
Abstract: 提供了光栅构件及形成方法。在一些实施例中，一种方法包括提供透光衬底以及在所述衬底上形成光栅层。所述方法包括在所述光栅层中形成光栅，其中所述光栅包括多个成角构件，所述多个成角构件相对于所述衬底的平面的垂直线以非零倾斜角设置。所述光栅的第一侧壁可具有第一角度，且所述光栅的第二侧壁具有不同于所述第一角度的第二角度。改变包括选择性及束角度扩展在内的工艺参数具有改变所述多个成角构件的形状或尺寸的效果。
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