公开(公告)号：CN101034695A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086073.7

申请日：2007-03-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 黄洸汉 ,  王允愈 ,  H·S·怀尔德曼 ,  C·C·帕克斯 ,  杨智超

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体结构，它包括含Co的衬垫，布置在吸氧层与含金属的导电材料之间。含Co的衬垫、吸氧层和含金属的导电材料形成MOL金属化层，其中含Co的衬垫取代了传统的TiN衬垫。“含Co”意指衬垫单独地包括元素Co，或包括元素Co和P或B中的至少一个。为了在高深宽比的接触开口之内提供本发明的含Co的衬垫的更好阶梯覆盖，通过无电镀淀积工艺形成该含Co的衬垫。

公开(公告)号：CN1913125A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610101503.3

申请日：2006-07-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A·P·考利 ,  L·A·克莱文格 ,  杨智超 ,  K·占达 ,  J·P·吉尔 ,  李保振

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76865 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76886

Abstract: 一种制造器件的方法包括在衬底和布线层中形成的蚀刻沟槽中沉积电迁移(EM)阻抗材料。形成与下面的扩散阻挡层和布线层电接触的EM阻抗材料。该方法还包括形成与EM阻抗材料和布线层电接触的过孔结构。该方法产生防止断路的结构。

公开(公告)号：CN116530019A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180081023.8

申请日：2021-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  M·C·希尔维斯特 ,  徐顺天 ,  刘其俊 ,  F·L·李 ,  杨智超 ,  Y·米格诺特 ,  T·斯坦达特

IPC: H03K19/18

Abstract: 本发明提出一种电阻切换RAM逻辑器件。该设备包括一对电阻切换RAM单元，该对电阻切换RAM单元可被独立地编程为至少低电阻状态(LRS)或高电阻状态(HRS)。电阻切换RAM逻辑器件可还包括电连接到该对电阻切换RAM单元的共享输出节点。可以根据电阻切换RAM单元中的每一个的经编程的电阻状态来确定逻辑输出。

公开(公告)号：CN105810643A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610006801.8

申请日：2016-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·B·多里斯 ,  何虹 ,  李俊涛 ,  王俊利 ,  杨智超

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2251 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/16 ,  H01L29/161 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66818

Abstract: 本发明涉及制造Si和SiGe鳍片、制造CMOS器件的方法以及CMOS器件。描述了一种制造硅(Si)和硅锗(SiGe)鳍片的方法。该方法包括：在布置在衬底上的掩埋氧化物(BOX)层上形成至少两个Si鳍片，至少一个Si鳍片形成在第一区域中，并且至少一个Si鳍片形成在第二区域中，在第二区域中的至少一个Si鳍片比在第一区域中的至少一个Si鳍片更薄。该方法同样包括在第一区域之上沉积氧化物掩模；在第二区域中的至少一个Si鳍片上外延生长SiGe层；以及执行热退火工艺以将Ge从SiGe层驱动到在第二区域中的至少一个Si鳍片中，以在第二区域中形成至少一个SiGe鳍片。

公开(公告)号：CN103811464B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201310548278.8

申请日：2013-11-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  M.A.伯根达尔 ,  D.V.霍勒克 ,  李保振 ,  S.波诺思

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847 ,  H01L23/481 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/4822 ,  H01L23/4825 ,  H01L23/485 ,  H01L23/52 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种结构以及制造该结构的方法。该结构包括在基板上的电介质层；第一配线，形成在电介质层中的第一沟槽中，第一沟槽的侧壁和底部上的第一衬垫和第一铜层填充第一沟槽中的所有其余空间；第二配线，形成在电介质层中的第二沟槽中，第二沟槽的侧壁和底部上的第二衬垫和第二铜层填充第二沟槽中的所有其余空间；以及电迁移停止层，形成在电介质层中的第三沟槽中，第三沟槽的侧壁和底部上的第三衬垫和第三铜层填充第三沟槽中的所有其余空间，电迁移停止层位于第一和第二配线之间且邻接其各自端部。

公开(公告)号：CN104022100A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410059010.2

申请日：2014-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： N·R·郝格 ,  李保振 ,  黄洸汉 ,  杨智超

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种熔丝、制造这种熔丝的方法及包含这种熔丝的电路。这种熔丝包括：位于沟槽侧壁和底部上的导电且保形的衬垫；位于保形衬垫上的铜层，其中沟槽的下部中位于沟槽底部之上的铜层的第一厚度大于沟槽的邻接的上部中位于沟槽侧壁之上的铜层的第二厚度；及沟槽中位于铜层上的电介质材料，该电介质材料填充所述沟槽的上部中的剩余空间。

公开(公告)号：CN103563083A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280024800.6

申请日：2012-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  S.A.科恩 ,  李保振

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L23/5252 ,  H01L29/413 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种开关器件（140或240），包括：第一电介质层（102或207），具有第一顶表面（108或218）；两个导电特征（104、106或214、216），埋设在第一电介质层（102或207）中，每个导电特征（104、106或214、216）具有第二顶表面（110、112或220、222），其基本上与第一电介质层（102或207）的第一顶表面（108或218）共面；以及低扩散迁移率金属的一组离散岛（114a-c或204a-c），位于两个导电特征（104、106或214、216）之间。低扩散迁移率金属的离散岛（114a-c或204a-c）可位于第一顶表面（108）上或埋设在第一电介质层（207）中。当规定的电压施加到两个导电特征（104、106或214、216）时，开关器件（140或240）的两个导电特征（104、106或214、216）间的导电率增加。还提供一种形成该开关器件（140或240）的方法。

公开(公告)号：CN101246874B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810005691.9

申请日：2008-02-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  丹尼尔·C·埃德尔斯坦 ,  黄洸汉 ,  杨海宁

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7684 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76885

Abstract: 本发明提供一种互连结构及其制作方法。在该互连结构中，嵌入介电材料内的导电特征用金属盖层覆盖，但在最终的结构中依然没有金属残留物存在于介电材料的表面上。本发明的互连结构与现有技术的互连结构相比，具有改善的介电击穿强度。而且，本发明的互连结构具有对于半导体工业更好的可靠性和技术扩展性。本发明的互连结构包括具有嵌入其中的至少一个金属覆盖导电特征的介电材料，其中所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分延伸高出介电材料的上表面。介电盖层位于介电材料上且包封所述至少一个金属覆盖导电特征的顶部分，所述顶部分延伸高出介电材料的上表面。

公开(公告)号：CN101236917B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810003951.9

申请日：2008-01-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 许履尘 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及邻近衬底上的结构形成接触的方法以及相关的半导体器件。公开了接触形成方法以及相关的半导体器件。一种方法包括在所述结构和所述衬底之上形成第一衬里，所述第一衬里覆盖所述结构的侧壁；在所述第一衬里和所述结构之上形成介质层；在所述介质层中形成到所述第一衬里的接触孔；在所述接触孔中包括在覆盖所述侧壁的所述第一衬里之上形成第二衬里；去除在所述接触孔的底部处的所述第一和第二衬里；以及使用导电材料填充所述接触孔以形成所述接触。在所述结构的所述侧壁之上的较厚的衬里防止了短路，并允许至少保持在一个或多个所述衬里中的任何的本征应力。

公开(公告)号：CN101256978B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200810082602.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 许履尘 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·R·通蒂 ,  杨智超

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/5256 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76892 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种电熔丝的制造方法和半导体结构。提供一种结构的制造方法，该方法包括提供一种结构。该结构包括(a)衬底层，(b)在衬底层中的第一熔丝电极，以及(c)在衬底层和第一熔丝电极上的熔丝电介质层。该方法还包括(i)在熔丝电介质层中形成开口，以便第一熔丝电极通过该开口暴露于周围环境，(ii)在该开口的侧壁和底壁上形成熔丝区域，以便将熔丝区域电耦合到第一熔丝电极，以及(iii)在所述形成熔丝区域之后，用电介质材料填充该开口。