公开(公告)号：CN104919596B

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201380070118.5

申请日：2013-11-26

Applicant: 佛罗里达大学研究基金会有限公司

Inventor： 安德鲁·加布里埃尔·林兹勒 ,  刘博 ,  米切尔·奥斯汀·麦卡西

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L51/057 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/092 ,  H01L27/283 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/102 ,  H01L51/105

Abstract: 提供了关于双极型垂直场效应晶体管(VFET)的各种实施例。其中在一个实施例中，双极型VFET包括栅极层；源极层，其是电逾渗并且多孔的；介电层；漏极层；以及半导体沟道层。半导体沟道层与源极层的至少一部分和介电层的至少一部分接触，并且源极层和半导体沟道层形成栅极电压可调的电荷注入势垒。另一实施例包括包含介电表面处理层的双极型垂直场效应晶体管。半导体沟道层与源极层的至少一部分和介电表面处理层的至少一部分接触，并且其中源极层与半导体沟道层形成栅极电压可调的电荷注入势垒。

公开(公告)号：CN107093607A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710263476.8

申请日：2017-04-20

Applicant: 深圳市华星光电技术有限公司

Inventor： 于晓平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/45 ,  H01L21/28 ,  H01L21/84 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/401 ,  H01L29/413 ,  H01L29/458

Abstract: 本发明公开了一种阵列基板、显示基板的制作方法、显示基板及显示面板，所述阵列基板包括：玻璃基板；栅极电极层，形成在所述玻璃基板上；绝缘层，覆盖在所述玻璃基板和所述栅极电极层上；半导体层，覆盖在所述绝缘层上；n型掺杂石墨烯层，形成在所述半导体层上；源极和漏极电极层，形成在所述n型掺杂石墨烯层上。通过上述方式，本发明能够很好的导通半导体层与金属电极层，显著提高半导体器件的性能。

公开(公告)号：CN104995741B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380073253.5

申请日：2013-12-06

Applicant: 索尔伏打电流公司

Inventor： I.阿贝里 ,  M.芒努松 ,  D.阿索利 ,  L.I.萨米尔森 ,  J.奥尔松

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/18 ,  H01L33/16 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42

CPC classification number: H01L29/413 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/15 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/20 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/1852 ,  H01L33/02 ,  H01L33/16 ,  H01L33/38 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  Y10S977/932 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体纳米线器件，包括：至少一根半导体纳米线，其具有底面和顶面；绝缘材料，其包围所述半导体纳米线；以及电极，其欧姆接触所述半导体纳米线的顶面。所述电极与所述半导体纳米线的半导体材料的接触由与所述半导体纳米线的顶面的接触占主导。

公开(公告)号：CN104995332B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201380069418.1

申请日：2013-11-18

Applicant: 加利福尼亚大学董事会

Inventor： 钦吉斯·S·奥兹康 ,  米赫里马赫·奥兹康 ,  阿里·B·古文茨 ,  拉亚特·K·保罗 ,  林见 ,  玛茨尔·哈茨恩亚德 ,  米罗·佩谢夫 ,  郭士锐 ,  钟杰斌

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/44 ,  C01B32/186

CPC classification number: C23C16/44 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C01B2204/22 ,  C23C16/26 ,  H01G4/008 ,  H01G9/042 ,  H01G9/145 ,  H01G9/20 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2072 ,  H01G11/36 ,  H01G11/52 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/302 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/7781 ,  H01L31/028 ,  H01L31/068 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1804 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/424 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02E60/13 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了制造石墨烯膜的方法。示例性方法可以包括提供基材，在室内于约600℃至约1100℃加热所述基材，以及在约600℃至约1100℃的温度下历时约10秒至约1分钟将碳源引入所述室内。所述方法可以还包括将所述基材冷却至约室温以形成所述石墨烯膜。也提供了制造柱状石墨烯纳米结构的方法以及基于石墨烯的装置。

公开(公告)号：CN105590665A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201510770231.5

申请日：2015-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵恩亨 ,  宋仁庸 ,  李昌承 ,  郭燦 ,  金材官 ,  李周浩 ,  黄珍荣

IPC: H01B1/22 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

CPC classification number: H01B1/22 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C23F1/32 ,  D06M15/564 ,  D06M23/005 ,  D06M2101/00 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04112 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/413 ,  H01L31/022491 ,  H01L33/42 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

Abstract: 实例实施方式涉及纳米结构体、其制备方法及包括该纳米结构体的面板单元，所述纳米结构体包括导电区和非导电区，其中所述导电区包括至少一根第一纳米线，和所述非导电区包括至少一根至少部分地截断的第二纳米线。

公开(公告)号：CN105304487A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510278164.5

申请日：2015-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林正堂 ,  蔡腾群 ,  王立廷 ,  陈德芳 ,  彭治棠 ,  林宏达 ,  王建勋 ,  黄鸿仪

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/28 ,  H01L29/775

CPC classification number: H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/775 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供了一种垂直全环栅器件系统及其制造方法。提供了用于形成纳米线器件的底部源极/漏极接触区的结构和方法。纳米线形成在衬底上。纳米线相对于衬底基本上垂直延伸，并且纳米线设置在顶部源极/漏极区和底部源极/漏极区之间。第一介电材料形成在底部源极/漏极上。第二介电材料形成在第一介电材料上。执行第一蚀刻工艺，以去除部分第一介电材料和部分第二介电材料，从而暴露部分底部源极/漏极区。执行第二蚀刻工艺，以去除第一介电材料的位于第二介电材料下面的一部分，以进一步地暴露底部源极/漏极区。第一含金属材料形成在暴露的底部源极/漏极区上。执行退火，以形成底部接触区。

公开(公告)号：CN104658911A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410045813.2

申请日：2014-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 让·皮埃尔·科林格 ,  林正堂 ,  江国诚 ,  卡洛斯·H.·迪亚兹

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/16 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供了一种纳米线场效应晶体管（FET）器件以及用于形成纳米线FET器件的方法。形成包括源极区和漏极区的纳米线FET。纳米线FET还包括连接源极区和漏极区的纳米线。在源极区上形成源极硅化物，并且在漏极区上形成漏极硅化物。源极硅化物由第一材料组成，该第一材料不同于漏极硅化物包括的第二材料。本发明提供了源极和漏极上具有不同硅化物的纳米线MOSFET。

公开(公告)号：CN104145340A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380005173.6

申请日：2013-01-10

Applicant: 挪威科技大学

Inventor： H·韦曼 ,  B-O·菲莫兰德 ,  D·C·基姆

IPC: H01L29/66 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/005 ,  C30B29/42 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/66469 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/036 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1884 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/18 ,  H01L33/30 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: 一种物质组合物，其包含在基片上的多条纳米线，所述纳米线已经在金属催化剂的存在下外延生长在所述基片上，使得催化剂沉积定位于至少一些所述纳米线的顶部，其中所述纳米线包含至少一种III-V族化合物或至少一种II-VI族化合物或包含至少一种非碳的IV族元素；并且其中石墨层与至少一些位于所述纳米线的顶部的催化剂沉积接触。

公开(公告)号：CN104145323A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201280045443.1

申请日：2012-09-19

Applicant: 班德加普工程有限公司

Inventor： 马西·R·布莱克 ,  乔安妮·福齐亚蒂 ,  迈克尔·朱拉 ,  杰夫·米勒 ,  布赖恩·默菲 ,  亚当·斯坦德利

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28506 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/413 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明提供一种接触纳米结构表面的方法。在此方法中，提供在表面上具有纳米结构材料的基片，基片为导电性，并且纳米结构材料用绝缘材料涂覆。至少部分去除纳米结构材料的一部分。以使得导体通过已至少部分去除纳米结构材料的区域与基片电接触的方式，在基片上沉积导体。

公开(公告)号：CN104103343A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410089745.X

申请日：2014-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 内藤胜之 ,  吉永典裕 ,  赤坂芳浩 ,  小野富男

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04

CPC classification number: G02F1/13439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C08J7/06 ,  C08J2333/08 ,  C08J2333/10 ,  C09D5/24 ,  H01B1/02 ,  H01B1/04 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L29/7781 ,  H01L31/022466 ,  H01L51/0097 ,  H01L51/4226 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/529 ,  Y02E10/549 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供透明导电膜和电器件。根据一个实施方案，透明导电膜(10)含有层叠结构，该层叠结构包括导电层(15)和透明聚合物层(16)。导电层(15)含有金属纳米线(14)和包括石墨烯的碳材料(13)。透明聚合物层(16)含有具有100℃以下的玻璃化转变温度的透明聚合物。碳材料(13)构成透明导电膜(10)的一个表面。