-
公开(公告)号：CN108728791B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201710277996.4
申请日：2017-04-25
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供一种进气机构及其进气方法和半导体处理设备。该进气机构环绕设置在腔室内的基台周围，基台周围沿基台径向由内向外依次环绕设置有压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构，基台、压环、上屏蔽结构和下屏蔽结构在腔室内围成工艺区域，进气机构包括调节结构，调节结构位于上屏蔽结构和下屏蔽结构之间，且能沿基台的轴向上下移动，以分别在工艺区域内形成不同路径的进气通道，分别满足不同的工艺要求。该进气机构通过不同路径的进气通道能够调节经其进入工艺区域的反应气体的流量不同，从而能够使不同工艺阶段沉积形成的膜层部分均能满足相应阶段的成膜工艺要求。
-
公开(公告)号：CN110544645A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
-
公开(公告)号：CN110289226A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201810226568.3
申请日：2018-03-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室和半导体处理设备。所述工艺腔室包括腔室本体和LED灯源，LED灯源用于朝向腔室本体内的待处理工件发出光线，所述LED灯源包括灯罩和在所述灯罩内设置的至少一个LED芯片，每个所述LED芯片均能够发出预定波长的光线。本发明的工艺腔室，采用至少一个LED芯片作为发光单元，可以使得LED芯片在灯罩内灵活排布，其次，LED芯片的发光效率较高、发热量小、寿命较高，因此维护成本较低。此外，当待处理工件为待处理介质层时，合理选用所需要的预定波长，可以提高对Low-k材料中C-SI，C-H，H-O等键的裂解作用，从而形成SI-O-SI键，可以有效降低介电常数K值，并且可以有效增加Low-k的机械强度。
-
公开(公告)号：CN108456865A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201710086741.X
申请日：2017-02-17
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：S1，预设沉积第一厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；S2，将所述基片水平旋转一定角度；S3，预设沉积第二厚度薄膜的工艺参数，在该工艺参数下进行沉积；执行上述步骤S1～S3至少一次，直至沉积预设厚度的薄膜。该薄膜沉积方法可以获得厚度均匀性较好的薄膜。
-
公开(公告)号：CN108172396A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201611117907.1
申请日：2016-12-07
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01F41/22
Abstract: 本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体，在所述腔室主体的外侧设置有与电源相连的偏置电磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件；偏置电磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉积腔室，其能够在基座上方形成足以诱发磁性薄膜的面内各向异性的水平磁场。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108091588A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201611045887.1
申请日：2016-11-21
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/324
Abstract: 本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进行退火工艺，保持晶片传入前后，腔室内的压力恒定，可以避免在退火工艺过程中的气体乱流，不但可以降低工艺腔体内温度波动，提高腔室和晶片温度的均匀性，还可以缩短腔室内温度回复稳定的时间，从而提高设备产能。
-
公开(公告)号：CN110544645B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201810522206.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L21/67 , C23C16/30 , C23C16/455 , C23C16/50
Abstract: 本发明公开了一种工艺腔室用匀流件、工艺腔室和半导体处理设备。包括相连通的匀流主体管和插接管，其中，所述插接管的一端与所述匀流主体管连通，另一端用于与所述工艺腔室的进气口连通；所述匀流主体管呈环状结构，所述环状结构的周向上间隔设置有多个匀流出气口，以对经所述进气口进入所述匀流主体管内的工艺气体进行匀流。通过所设置的多个匀流出气口对工艺气体进行匀流后再扩散至工艺腔室内，从而可以使得工艺气体在工艺腔室内均匀分布，进而可以产生密度均匀的等离子体，提高所沉积膜层的厚度的均匀性，降低产品的制作成本。
-
公开(公告)号：CN106783800B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201510801891.5
申请日：2015-11-19
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种芯片的阻挡层及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于提高阻挡层的阻挡作用，并且不会增加甚至可以减少溅射镀膜机台的维护次数。其中所述基片上的阻挡层为单层金属薄膜结构或者多层金属薄膜层叠的结构，且所述阻挡层中至少一层金属薄膜具有非晶结构。前述芯片的阻挡层设置于导电层与基片之间，用于防止导电层与基片之间的扩散。
-
公开(公告)号：CN110512178A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201810493616.5
申请日：2018-05-22
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
Abstract: 本发明公开了一种腔室内衬、工艺腔室和半导体处理设备。腔室内衬用于在工艺腔室内形成限制等离子体分布的工艺空间，包括：第一围挡部；自第一围挡部向工艺空间内侧弯折延伸形成的过渡连接部；自过渡连接部向背离第一围挡部的方向弯折延伸形成的第二围挡部；第一围挡部、过渡连接部和第二围挡部共同形成工艺空间；过渡连接部上设置有第一收容结构，用于收容工艺腔室内产生的颗粒杂质。通过所设置的第一收容结构，能够有效收集工艺腔室内产生的颗粒杂质，从而能够避免该些颗粒杂质落到工艺腔室中的硅片表面，进而能够提高硅片的工艺良率，降低制作成本。
-
公开(公告)号：CN110144556A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910294788.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 北京北方华创微电子装备有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/02 , C23C14/14 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L29/739
Abstract: 本发明实施例提供一种沟槽中溅射薄膜层填充方法和器件，该方法包括：预先设定用于为待填充沟槽加热的基座温度，采用预设溅射功率向所述待填充沟槽内分层顺序填充溅射薄膜层；在后填充的所述溅射薄膜层才覆盖在在先填充的所述溅射薄膜层的表面；在后填充时采用的所述预设溅射功率与在先填充时采用的所述预设溅射功率不同；各层次薄膜层的厚度总和满足预设薄膜厚度。在对具有高深宽比的沟槽中进行溅射薄膜层填充时，可以在预设的温度下，划分为多个功率等级进行填充。在填充时，可以采用回流和沉积交替的方式，能够有效防止槽口封闭而形成槽内空洞；功率由低到高循序渐进，能够有效避免沟槽底部钉穿失效，保证器件结构完整。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
57
records
(took 0.046 seconds)
