公开(公告)号：CN101253282A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200680031423.3

申请日：2006-10-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L29/78

CPC classification number: C23C16/34 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/56 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28556 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 本发明是一种成膜方法，该方法包括向能够抽真空的处理容器内供给高熔点金属有机原料气体和含氮气体，在载置于该处理容器内的被处理体表面形成高熔点金属的金属化合物膜的薄膜的成膜工序。为了提高薄膜中所含碳的浓度，在成膜工序中的含氮气体的分压为17％以下。

公开(公告)号：CN100390317C

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN03809799.0

申请日：2003-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山英亮 ,  河野有美子 ,  山本纪彦

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 本发明的成膜装置100的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器10；用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120；用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30；具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32；和，从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33；并且，原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管，在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。

公开(公告)号：CN1717791A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200380104440.1

申请日：2003-11-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑英亮 ,  中村和仁 ,  松泽兴明 ,  松田司 ,  河野有美子

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/4405 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32862

Abstract: 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。

公开(公告)号：CN1650045A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809799.0

申请日：2003-07-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑英亮 ,  河野有美子 ,  山本纪彦

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/45561 ,  C23C16/16 ,  C23C16/4412

Abstract: 本发明的成膜装置100的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器10；用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120；用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30；具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32；和，从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33；并且，原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管，在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。

公开(公告)号：CN1481582A

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN01820602.6

申请日：2001-12-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小岛康彦 ,  有马进 ,  山崎英亮 ,  河野有美子

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/205 ,  C23C14/50 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/68721 ,  C23C16/4585 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6835 ,  H01L2924/3025

Abstract: 在将一薄膜沉积在晶片的一处理面上并将该晶片移出处理腔之后，夹具的接触凸台与基座接触从而加热该夹具。下一步，在将其上沿未沉积薄膜的晶片移入时，提升夹具将该晶片布置在基座上。之后，该夹具与晶片接触并且将该晶片稳定到一预定温度。之后，将一薄膜沉积在晶片的处理表面上。

公开(公告)号：CN1479805A

公开(公告)日：2004-03-03

申请号：CN01820349.3

申请日：2001-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 山﨑英亮 ,  河野有美子

IPC: C23C16/44 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/34 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28568

Abstract: 本发明涉及一种采用ALD法的薄膜形成方法及薄膜形成装置，通过ALD法将多种原料气体逐类、并经多次供应，进行成膜，在此工序之前，实施同时提供多种原料气体的前置处理，从而使得成膜中的潜伏期缩短并提高产率。

公开(公告)号：CN109563619A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046213.X

申请日：2017-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 青山真太郎 ,  铃木幹夫 ,  河野有美子 ,  佐藤耕一

IPC: C23C16/14 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  C23C16/28 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 在基板的表面形成钨膜的钨膜的成膜方法具有：在减压气氛下的处理容器内配置表面具有非晶层的基板；对处理容器内的基板进行加热；以及、向处理容器内供给作为钨原料的WF6气体和作为还原气体的H2气体，在非晶层上形成主钨膜。

公开(公告)号：CN103874781B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201280049744.1

申请日：2012-10-04

Applicant: 气相成长株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 町田英明 ,  石川真人 ,  须藤弘 ,  河野有美子 ,  岩井和俊

IPC: C23C16/18 ,  C07C257/14 ,  C07C211/65 ,  C07F15/06

CPC classification number: C23C18/08 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C18/04

Abstract: 本发明提供一种能够稳定供给熔点低、40℃左右为液体、引起配管中途的固化闭塞的可能性小的原料，容易形成高品质钴基膜的技术，该技术使用双(N,N'-二异丙基丙脒)钴。

公开(公告)号：CN102859657B

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201280001147.1

申请日：2012-02-01

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  三井造船株式会社

Inventor： 米永富广 ,  河野有美子 ,  内田直喜 ,  尾崎一博

IPC: H01L21/22 ,  C23C16/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67303

Abstract: 通过控制从加热座的周缘部进入的磁通量的透射，准确控制加热座的面内温度。为具有载置基板的载置面的导电部件，包括：加热座（200），其分为周缘部（210）和包围于该周缘部的内侧部（220），内侧部包括厚板状发热体，周缘部将比内侧部薄的薄板状发热体在互相电绝缘的状态下层叠而构成；和电磁铁（120），其从加热座的侧面在平行于该载置面的方向上形成交流磁场，通过由施加于卷绕于该电磁铁的感应线圈（124）的两个频率的高频电流来控制在各薄板状发热体产生的感应电流而控制磁通量透过内侧部，由此改变各加热座的周缘部的发热量和内侧部的发热量的比例来进行温度控制。

公开(公告)号：CN102160156B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200980136346.1

申请日：2009-07-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 河野有美子 ,  柏木勇作

IPC: H01L21/312 ,  C08G73/10 ,  C23C14/12 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/312 ,  B05D1/60 ,  C08G73/1046 ,  C08G73/105 ,  C08G73/1067 ,  C08G73/1071 ,  C08L79/08 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02269 ,  H01L21/481 ,  H01L23/49894 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 将在原料形成面上以规定图案形成有用于形成聚合膜的多种原料的第1基板(16)、和具有应该形成聚合膜的成膜面的第2基板(15)以原料形成面和成膜面相对的方式在处理容器(2)内相对向配置，使处理容器2内为真空环境，将第1基板(16)加热至上述多种原料(17、18)蒸发的第1温度使其蒸发，并且将第2基板(15)加热至多种原料发生聚合反应的第2温度，使从第1基板(16)蒸发的多种原料(17、18)在第2基板(15)的成膜面反应，在成膜面形成规定的聚合膜。