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公开(公告)号：CN100547109C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200510109502.9
申请日：2005-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法，包括以下步骤：使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中，而该前体是溶解于有机溶剂中的。
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公开(公告)号：CN101006194A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000633.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/18 , C23C16/44 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/76838 , H01L21/76841
Abstract: 本发明提供一种成膜方法，其特征在于，包括：使用二价Cu的原料物质，在基板上形成第一阶段的Cu膜的工序；和使用一价Cu的原料物质，在所述第一阶段的Cu膜上形成第二阶段的Cu膜的工序。
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公开(公告)号：CN1717791A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200380104440.1
申请日：2003-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。
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公开(公告)号：CN100557779C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200680001098.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0209 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/76838 , H01L21/76864
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。
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公开(公告)号：CN1860587A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200480028497.2
申请日：2004-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 山崎英亮 , 松田司 , 五味淳 , 波多野达夫 , 立花光博 , 松泽兴明 , 河野有美子 , 格特·J·莱乌辛克 , 芬顿·R·麦克非利 , 桑德拉·G·马尔霍特拉 , 安德鲁·H·西蒙 , 约翰·J·尤尔坎斯
IPC: H01L21/285 , C23C16/16 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属－羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。
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公开(公告)号：CN1763242A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510109502.9
申请日：2005-10-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
CPC classification number: C23C18/08
Abstract: 本发明提供一种在基板上沉积的沉积方法，包括以下步骤：使用将前体加入超临界态介质而制成的加工介质。将该前体加入超临界态介质中，而该前体是溶解于有机溶剂中的。
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公开(公告)号：CN100508136C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200510114267.4
申请日：2005-10-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 近藤英一
IPC: H01L21/3205 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/04 , C23C18/08 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76877 , Y10T428/12819 , Y10T428/12903
Abstract: 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。
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公开(公告)号：CN100483637C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200480028497.2
申请日：2004-09-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国际商业机器公司
Inventor： 山崎英亮 , 松田司 , 五味淳 , 波多野达夫 , 立花光博 , 松泽兴明 , 河野有美子 , 格特·J·莱乌辛克 , 芬顿·R·麦克非利 , 桑德拉·G·马尔霍特拉 , 安德鲁·H·西蒙 , 约翰·J·尤尔坎斯
IPC: H01L21/285 , C23C16/16 , H01L21/768
CPC classification number: C23C16/45523 , C23C16/045 , C23C16/16 , C23C16/4408 , H01L21/28556 , H01L21/76843 , H01L21/76876 , H01L21/76877
Abstract: 本发明提供了一种利用间歇前驱气流工艺在衬底上形成金属层的方法。该方法包括使衬底暴露于还原气中，同时使衬底暴露于金属-羰基前驱气脉冲中。该工艺进行到在衬底上形成期望厚度的金属层。该金属层可以形成在衬底上，或者该金属层可以形成在金属成核层上。
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公开(公告)号：CN101053072A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200680001098.6
申请日：2006-03-22
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3205 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/76846 , C23C16/0209 , C23C16/0281 , C23C16/18 , H01L21/28556 , H01L21/76838 , H01L21/76864
Abstract: 本发明涉及一种基板处理方法，是在基板的基底材料的表面上形成Cu膜前对该基板实施的基板处理方法，其特征在于，包括：准备形成有Cu膜的基板的准备工序；对该基板进行规定的处理，使所述基板的基底材料表面的结晶性显示出与该Cu膜的晶格不匹配小的取向性的处理工序。
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公开(公告)号：CN1717791B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200380104440.1
申请日：2003-11-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , H01J37/32357 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的目的是提供一种降低基板处理容器内部件损害的基板处理装置的清洗方法。按照本发明的用来清洗处理被处理基板的基板处理装置中的基板处理容器的方法由下面的工序组成：向设置在所述基板处理装置中的远程等离子体发生部中导入气体的气体导入工序；由所述远程等离子体发生部激励气体生成反应种的反应种生成工序；在从所述远程等离子体发生部向处理容器中供给反应种，并使所述处理容器内的压力达到1333Pa以上状态的反应工序。
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