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公开(公告)号：CN100377319C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN03817478.2
申请日：2003-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体W实施预定处理，设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22；和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部，所述气体供给装置具备，从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56；安装于所述气体通路的上端部，且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58；和开闭所述气体通路的开关阀60；在所述材料贮存槽中设置有用于向其导入载体气体的第一载体气体供给装置。
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公开(公告)号：CN1672247A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03817478.2
申请日：2003-08-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/4481 , Y10T137/0324
Abstract: 本发明提供一种可以将在材料贮存槽内产生的原料气体几乎不产生压力损失地供给至处理装置的处理系统。该处理系统具有，为了对被处理体W实施预定处理，设置有向处理容器26内喷射由低蒸汽压的金属化合物M所形成的预定原料气体的气体喷射装置42的处理装置22；和向所述气体喷射装置供给所述预定原料气体的气体供给装置24。所述气体喷射装置是喷射头部，所述气体供给装置具备，从所述喷射头部向上方延伸的气体通路56；安装于所述气体通路的上端部，且内部收容所述金属化合物材料的材料贮存槽58；开闭所述气体通路的开关阀60。
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公开(公告)号：CN100390317C
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN03809799.0
申请日：2003-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/16 , C23C16/4412
Abstract: 本发明的成膜装置100的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器10；用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120；用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30；具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32；和，从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33；并且，原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管，在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。
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公开(公告)号：CN1650045A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN03809799.0
申请日：2003-07-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/285 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45561 , C23C16/16 , C23C16/4412
Abstract: 本发明的成膜装置100的特征是，包括：装入用于生成源气体的原料的原料容器10；用于对半导体基板101进行成膜处理的成膜室120；用于将上述源气体从原料容器10供给至成膜室120的原料供给管路30；具有由涡轮分子泵14和干式泵16形成的真空泵系统的用于排出成膜室120中气体的排气流路32；和，从原料供给管路30分支、并与成膜室120和涡轮分子泵14形成旁路、然后与排气流路32合流的预流动流路33；并且，原料供给管路30包含有内径大于6.4mm的配管，在预流动流路中33设置涡轮分子泵15。
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